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国際特許分類[C07C309/29]の内容

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【課題】抗ヒスタミン活性及び抗アレルギー活性が優れている(S)−4−〔4−〔(4−クロロフェニル)(2−ピリジル)メトキシ〕ピペリジノ〕ブタン酸のベンゼンスルホン酸塩の提供。
【解決手段】(±)−4−〔(4−クロロフェニル)(2−ピリジル)メトキシ〕ピペリジンをジアステレオマー塩に誘導し、これを分別結晶の方法で、光学分割して光学活性な(S)−4−〔(4−クロロフェニル)(2−ピリジル)メトキシ〕ピペリジンを得た後、ピペリジンのN−アルキル化反応およびエステルの加水分解反応さらにベンゼンスルホン酸の中和処理により合成した(S)−4−〔4−〔(4−クロロフェニル)(2−ピリジル)メトキシ〕ピペリジノ〕ブタン酸のベンゼンスルホン酸塩。 (もっと読む)


【課題】 感度及びラフネス特性に優れた半導体用レジスト組成物、並びに、これを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る半導体用レジスト組成物は、下記一般式(I)により表される化合物を含有している。
【化1】
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【課題】スピロ環状化合物に様々な求核置換基を導入することができる新規なヨードニウム化合物を提供すること。
【解決手段】式(2-1)又は(2-2):


で表されるヨードニウム化合物。 (もっと読む)


本発明はCu、Zn、Ag、またはPdからの金属イオンに結合した1つ以上の官能基を含むメソポーラス高分子分離材料に関する。この材料の製造方法、その調製方法、および食品または飼料製品からの農薬の分離における前記材料の使用を開示する。 (もっと読む)


【課題】超微細領域での、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネスを同時に満足する電子線、X線又はEUV光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】特定のオキシムスルホネート構造を有する繰り返し単位及び酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を生じる基を有する繰り返し単位を有する樹脂を含有することを特徴とする電子線、X線又はEUV光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 (もっと読む)


【課題】触媒の再利用が可能であり、有機溶媒を要しないビアリール化合物の製造プロセスを提供すること。
【解決手段】下記一般式(1)で表される第1の芳香族化合物と、下記一般式(2)で表される第2の芳香族化合物とを、パラジウム触媒、有機第4級アンモニウム塩及び水の共存下にクロスカップリング反応させる、下記一般式(3)で表されるビアリール化合物の製造方法。


(式中、環A及び環Bは芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を示し、Xはボロン酸若しくはそのエステルの残基又は3置換シリル基を示し、Yは−COOH、−R−COOH(Rは炭素数1〜6の置換又は非置換の2価の炭化水素基)又は−SO3Hを示す。) (もっと読む)


本発明は1-ベンジル-4-[(5,6-ジメトキシ-1-インダノン)-2-イル]メチルピペリジン(即ちドネペジル, Donepezil)のメタンスルホン酸塩、パラ-トルエンスルホン酸塩、琥珀酸塩、酒石酸塩、硫酸塩、硝酸塩、リン酸塩、サリチル酸塩、フマル酸塩、マレイン酸塩、没食子酸塩、アセチルサリチル酸塩、ベンゼンスルホン酸塩、クエン酸塩、アスパラギン酸塩、グルタミン酸塩、乳酸塩、グルコン酸塩、アスコルビン酸塩、マロン酸塩、リンゴ酸塩、ソルビン酸塩、酢酸塩又はギ酸塩の製造方法に関し、また、これらから得る新規な結晶多形およびその製造方法に関し、また、ドネペジル塩酸塩とマレイン酸、フマル酸、クエン酸、サリチル酸、酒石酸又はコハク酸とから得る共結晶に関する。 (もっと読む)


【課題】IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用される感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法であって、ラフネスが低減し、アウトガスが抑制されたレジスト組成物、該レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】特定置換基を有するベンゼンスルホン酸アニオンを有する特定のトリアリールスルホニウム化合物を含有することを特徴とする電子線、X線またはEUV用レジスト組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法。 (もっと読む)


【課題】ホウ酸化アルカリ土類金属トルエンスルホネートの改良した製造方法を提供する。
【解決手段】下記の工程を含むホウ酸化アルカリ土類金属アルキルトルエンスルホネートの製造方法:
(a)(i)油溶性アルキルトルエンスルホン酸、または油溶性アルカリ土類金属アルキルトルエンスルホネート塩、またはそれらの混合物、(ii)アルカリ土類金属源、(iii)炭化水素溶媒と低分子量のアルコールとからなる混合物中に存在するホウ素源、および(iv)過塩基化酸(ただし、それらのうちの少なくとも一種はホウ酸である)を反応させる工程、
(b)工程(a)の反応生成物を、炭化水素溶媒、低分子量のアルコールおよび工程(a)で生成した水のいずれの蒸留温度よりも高い温度に加熱することにより、反応生成物から炭化水素溶媒、低分子量のアルコールおよび生成水を蒸留除去する工程、
ただし、上記方法の工程において外部からの水の添加は行なわない。 (もっと読む)


【課題】4−アルキルシクロヘキシルアミンのシス/トランス体混合物からシス体を高純度で単離する方法の提供。
【解決手段】(I)のシス/トランス体混合物と(II)の酸とを晶析溶媒中で混合し、(III)の酸付加塩を形成させ、晶析させる工程を含む製造方法。
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