【課題】半導体素子のバンプ形成などに用いられる厚膜レジストパターンなどの製造に有用であり、当該レジストパターンが裾引きの発生が極めて抑制されたものである化学増幅型フォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】樹脂（Ａ）、酸発生剤（Ｂ）及び
式（Ｘ）


（式（Ｘ）中、
Ｒは、水素原子、アルキル基、アリール基などを表す。
２つのＲ^'は、水素原子、アルキル基、アリール基などを表すが、２つのＲ^'が互いに結合し、これらが結合する炭素原子とともに環を形成する。）
で表される化合物（Ｘ）を含有する化学増幅型フォトレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を有するレジストパターンを得ることができる化合物、樹脂、レジスト組成物等を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこれを含むレジスト組成物。


［式中、Ｒ^２はエチレン性二重結合を含む基；Ｗは２価の脂環式炭化水素基；Ｔ^１は、単結合、２価の脂肪族炭化水素基等；Ｔ^２は２価の脂肪族炭化水素基等］ （もっと読む）

【課題】不純物としての無機イオンが存在しない高純度のスルホニウム化合物を高収率で製造する方法の提供。
【解決手段】酢酸イソプロピルを主成分とする有機溶媒で４−置換フェニルジアルキルスルホニウムポリフルオライド化合物を抽出する工程を含む下式で表されるスルホニウム化合物の製造方法。


（ただし、式中、Ｒ₁は水素，メトキシカルボニル基，アセチル基，ベンゾイル基のいずれかを、Ｒ₂は水素，ハロゲン，Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基のいずれかを、Ｒ₃はＣ₁〜Ｃ₄のアルキル基，Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基で置換されていてもよいベンジル基，α−ナフチルメチル基のいずれかを、Ｒ₄はＣ₁〜Ｃ₄のアルキル基を示す。ＸはＳbＦ₆，ＰＦ₆，ＡsＦ₆，ＢＦ₄，ＣＦ_３ＳＯ_３，(ＣＦ_３ＳＯ₂)_２Ｎ，Ｂ(Ｃ₆Ｆ₅)₄のいずれかを示す。） （もっと読む）

【課題】レジスト組成物用の酸発生剤として有用な新規な化合物、該化合物からなる酸発生剤、該酸発生剤を含有するレジスト組成物および該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分、および露光により酸を発生する酸発生剤成分を含有するレジスト組成物であって、酸発生剤成分が、一般式（ｂ１−１１）で表される化合物からなる酸発生剤を含むことを特徴とするレジスト組成物。式（ｂ１−１１）中、Ｒ^７”〜Ｒ^９”のうち少なくとも１つは、置換基として式（Ｉ）で表される基を有する置換アリール基であり、式（Ｉ）中のＷは２価の連結基である。Ｘ⁻は、式（ｂ−３）または（ｂ−４）で表されるアニオンである。
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【課題】ＥＵＶ用またはＥＢ用として有用なレジスト組成物、該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）を含有するＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）が、下記一般式（ａ０−１）又は（ａ０−２）で表される基を含む構成単位（ａ０）を有する高分子化合物（Ａ１）を含有し、前記基材成分（Ａ）に加えて、光反応型クエンチャー（Ｃ）を含有することを特徴とするＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物。式中の基−Ｒ^３−Ｓ^＋（Ｒ^４）（Ｒ^５）は、全体で芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない。Ｍ^ｍ＋は、芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない。
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【課題】極端紫外光リソグラフィーにおいて、ラフネスの低減を実現できる材料を提供する。
【解決手段】下記式（Ａ）で表される環状化合物。（式中、Ｒはカルボン酸誘導体基置換フェニル等、Ｒ^１は水酸基、アルコキシ基、又はＯＲ^Ｌ（Ｒ^Ｌは光反応性基を含む基）等、Ｒ^２は水素原子等を表す。）
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【課題】導電性高分子を用いた熱電変換材料であって、導電性を飛躍的に向上させることで、熱変換効率をより高めた熱電変換材料を提供する。
【解決手段】導電性高分子、カーボンナノチューブ、及びオニウム塩化合物を含有し、導電率異方性が１．５〜１０である熱電変換材料。オニウム塩化合物の共存下において特定の外部エネルギーを付与すると、オニウム塩化合物が酸を発生して優れたドーパントとして機能する結果、熱電変換特性を高めた材料が得られる。 （もっと読む）

【解決手段】ヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位含有高分子化合物及び酸発生剤又はヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位と露光により酸を発生する繰り返し単位含有高分子化合物と、パーフルオロアルキルエーテルカルボン酸のスルホニウム塩又はヨードニウム塩と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後高エネルギー線でレジスト膜を露光し、加熱処理後有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】ヒドロキシ基の水素原子を酸不安定基で置換した繰り返し単位含有高分子化合物と酸発生剤とパーフルオロアルキルエーテルカルボン酸のオニウム塩を含むフォトレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高い特徴を有する。 （もっと読む）