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国際特許分類[C07C45/77]の内容

国際特許分類[C07C45/77]に分類される特許

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【課題】 抗菌力、防虫力が長続きし、しかも植物精油中にトロポロン類及び/又はフェノール類を錯体化する金属のみを含ませることができるようにする。
【解決手段】 トロポロン類及び/又はフェノール類を金属錯体化する金属の金属イオンが含まれた水溶液と植物精油とを攪拌より接触させた後、前記水溶液の上層に分離した植物精油をのみを採取する。この植物精油としては、ヒバ精油が用いられる。また、金属イオンには、銅イオン、鉄イオン、亜鉛イオンが用いられる。 (もっと読む)


【課題】従来の方法に比べて容易にかつ収率よく金属錯体を製造する。
【解決手段】適当な溶剤に式(1)で表される部分構造を有する化合物と所望の配位子化合物とを溶解させて反応させるのみで、当該所望の配位子を有する金属錯体を得ることができる。


(式(1)中、Mは、周期表の第4〜7周期の金属から選ばれる金属元素である。X11〜X26は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表すが、X11〜X26のうち少なくとも1つはハロゲン原子である。) (もっと読む)


【課題】金属化合物配位錯体Mn+(L(n≧1)を効果的に合成する方法を提供する。
【解決手段】金属化合物先駆物質と配位子先駆物質から第1の金属−配位子錯体Mn+(L(n≧1)を合成する方法であって、前記第1の金属−配位子錯体の合成に元素の金属を加えて、原子価がnよりも大きい金属の第2の金属−配位子錯体の生成を抑制することを特徴とする方法とする。 (もっと読む)


【課題】半導体製造における成膜原料であるテトラ−t−ブトキシハフニウム、テトラキス(アセチルアセトナト)ハフニウム、テトラキス(1−メトキシ−2−メチル−2−プロパノラト)ハフニウム、等の製造方法の提供。
【解決手段】テトラ−t−ブトキシハフニウム、テトラキス(アセチルアセトナト)ハフニウム、テトラキス(1−メトキシ−2−メチル−2−プロパノラト)ハフニウム、等の製造方法において、一般式:Hf[N(R1)(R2)]4で示されるハフニウムアミド錯体に一般式:A(OyXOnfmで示される化合物を添加した後、減圧蒸留を行う工程、得られる留分に一般式:Li(NR34)で示されるリチウムアルキルアミドを添加した後、減圧蒸留を行う工程、得られる留分にt−ブタノール、アセチルアセトン、1−メトキシ−2−メチル−2−プロパノール、等を添加した後、減圧蒸留を行う工程を順次実施する。 (もっと読む)


【課題】白金アセチルアセトナト錯体の安全で経済的な製造方法の提供。
【解決手段】ハロゲン不含の白金(IV)オキソ化合物またはヒドロキソ化合物を還元剤と水溶液中で化学量論量またはそれを上回る量のアセチルアセトン(acac)、カリウムアセチルアセトナート(Kacac)ナトリウムアセチルアセトナート(Naacac)、ヘキサフルオロアセチルアセトン(hfac)、トリフルオロアセチルアセトン(tfac)またはアルキル置換アセチルアセトンまたはそれらの塩およびH供与体の存在下で反応させることによって、白金アセチルアセトナト錯体を製造する。 (もっと読む)


【課題】酸化ルテニウムの混入がない、化学気相蒸着法による金属ルテニウム含有薄膜製造に使用する有機ルテニウム錯体混合物、及び当該錯体混合物を用いた金属ルテニウム含有薄膜の製造法を提供する。
【解決手段】一般式(1)


(式中、X及びYは、直鎖又は分枝状の炭素原子数1〜6のアルキル基であり、Zは、水素原子又は炭素原子数1〜4のアルキル基を示す。Lは、少なくともふたつの二重結合をもつ不飽和炭化水素化合物を示す。)β-ジケトナト及び少なくともふたつの二重結合をもつ不飽和炭化水素化合物を配位子とする有機ルテニウム錯体において、Lが異なる二種以上の有機ルテニウム錯体からなる有機ルテニウム錯体混合物によって解決される。 (もっと読む)


【課題】酸化ルテニウムの混入がなく、酸素源を用いた化学気相蒸着法による低抵抗な金属ルテニウム含有薄膜の製造法を提供する。
【解決手段】β-ジケトナト及び少なくともふたつの二重結合をもつ不飽和炭化水素化合物である1,5-ヘキサジエン、1,5-シクロオクタジエン、ノルボルナジエン、4-ビニル-1-シクロヘキセン、又は1,3-ペンタジエンを配位子とする有機ルテニウム錯体又はその溶媒溶液であるルテニウム供給源及び全ガス量の0.1〜10容量%の酸素を用いて、化学気相蒸着法により金属ルテニウム含有薄膜を製造する。 (もっと読む)


【課題】半導体製造におけるALDチタン酸ストロンチウム(STO)もしくはチタン酸バリウムストロンチウム(BST)膜製造に有用な前駆体を提供する。
【解決手段】β−ジケトネート及びN−メチルピロリドンの両方を含む新規なSr及びBa錯体。例えば、Ba2(hfac)4(NMP)5やSr2(tmhd)4(NMP)4などが挙げられる。これらの錯体は揮発性であり、ALDチタン酸ストロンチウム(STO)もしくはチタン酸バリウムストロンチウム(BST)膜のための可能な前駆体として使用することができる。 (もっと読む)


パラジウム(0)−ジベンジリデンアセトン錯体Pdx(dba)y[ここでy/xは1.5〜3である]は、本発明によれば、少なくとも99.5質量%の純度で提供される。Pdx(dba)y錯体の使用は、本発明によれば、元素分析を用いてそれらの化学量論を決定するために可能になる。アルコール中でPd含有出発物質及びジベンジリデンアセトン(dba)からPdx(dba)y錯体を製造する方法の場合に、本発明によれば、まず最初に40℃を上回る温度に予熱したdbaの溶液をアルコール中に装入し、かつその後にPd含有出発物質を予熱した溶液に添加し、それに続き前記錯体を塩基で沈殿させる。 (もっと読む)


【課題】医学分野における又は食品と接触する成形体の架橋のために適した白金触媒を提供する。
【解決手段】白金−1,3−ジケト化合物の製造方法において、ジクロロ白金化合物とジケト化合物とをケト溶剤中で5分から1時間にわたって0℃未満で撹拌し、そして反応生成物を単離する、有利には濾過し、そして溶剤を除去する。 (もっと読む)


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