【課題】ＥＵＶ用またはＥＢ用として有用なレジスト組成物、該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）を含有するＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）が、下記一般式（ａ０−１）又は（ａ０−２）で表される基を含む構成単位（ａ０）を有する高分子化合物（Ａ１）を含有し、前記基材成分（Ａ）に加えて、光反応型クエンチャー（Ｃ）を含有することを特徴とするＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物。式中の基−Ｒ^３−Ｓ^＋（Ｒ^４）（Ｒ^５）は、全体で芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない。Ｍ^ｍ＋は、芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない。
（もっと読む）

【課題】密着性の良好な撥液処理層を形成するための液浸露光装置用撥液処理組成物、および撥液処理方法を提供する。
【解決手段】この組成物は、露光ビームを照射し液体を介して基材を露光する液浸露光装置の部材表面を撥液処理するための組成物であり、少なくとも下記一般式（１）で示される有機ケイ素化合物と溶剤とを含有することを特徴とする。式中、Ｒ^１は炭素数１４〜３０の１価の有機基、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４はそれぞれ独立に炭素数１〜１０の１価の有機基または加水分解性基であり、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４の少なくとも１つは加水分解性基である。
【化１】
（もっと読む）

【課題】低融点の新規なイオン液体、特に低融点でかつ水溶性がきわめて高い新規な親水性イオン液体を提供する。
【解決手段】下記式（I）：
【化１】


（式中、R¹、R²、R³、R⁴はそれぞれ独立に炭素数1〜5の直鎖もしくは分岐のアルキル基、または−R⁵−Aで示される水溶性官能基（R⁵は炭素数1〜10の直鎖もしくは分岐のアルキレン基を示し、Aは水酸基またはカルボキシル基を示す。）を示し、R¹、R²、R³、R⁴のうち1〜3個が水溶性官能基である。水溶性官能基が2個以上の場合、それぞれのAは同一である。X^-はアニオンを示す。）で表される親水性イオン液体。 （もっと読む）

本発明は、実質的に非水溶性溶液中において、マンガン錯体を合成することに関する。 （もっと読む）

【課題】優れたパターンの解像度及びラインエッジラフネスを有するパターンを形成することができる化合物及びそれを用いたレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ−Ｐｂ）で表される化合物。


［式中、Ｘ^Ｐｂは、単結合又は−Ｏ−；Ｒ^Ｐｂは、単結合、２価の脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基又は芳香族炭化水素基、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子またはカルボニル基で置換されていてもよい；Ｙ^Ｐｂは重合性基；Ｚ^Ｐｂは有機基；Ｘ^Ｐｃは、単結合又はアルキレン基；Ｒ^Ｐｃは、置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基又は芳香族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子またはカルボニル基で置換されていてもよい。］ （もっと読む）

【課題】硫黄、ハロゲン及び窒素から完全にフリーで、環境汚染や電子特性への悪影響を生じない塩基性酢酸白金塩及びその塩基性酢酸白金塩を定量的且つ高収率に製造することのできる製法、更に塩基性酢酸白金塩を用いた金属アセチリド化合物とその製法、その応用物の導電性ペーストを提供することを目的とする。
【解決手段】活性化処理を施した白金酸８．００gを１５０ｍＬの氷酢酸と混合し、浴温１００℃で加熱攪拌すると、懸濁していた固体は徐々に溶解し、１０時間以上経過すると固体は消滅して褐色のほぼ均一溶液となる。更に、室温に冷却した後、極微量の不溶分を濾別して、濾液から酢酸を減圧溜去すると、褐色の固体（塩基性酢酸白金塩）９．５２ｇが得られる。この塩基性酢酸白金塩をアルコールに溶解して４倍モルのアセチレンを添加し、７０℃、３時間反応させることにより定量的に白金アセチリドを合成することができる。 （もっと読む）

ポリマー性、イオン性のイミダゾリウム基含有化合物（略してポリマー性、イオン性のイミダゾリウム化合物という）の製造方法において、α−ジカルボニル化合物アルデヒド、第一級アミノ基を少なくとも２つ有する、少なくとも１つのアミノ化合物場合により、第一級アミノ基を１つだけ有するアミノ化合物、及び水素酸を相互に反応させ、ここでα−ジカルボニル化合物及びアルデヒドのカルボニル基が、場合によりヘミアセタール、アセタール、若しくはヘミケタール、又はケタールとしても存在しうることを特徴とする、前記製造方法。 （もっと読む）

【課題】従来製法に比べて穏やかな反応条件で、かつ、工業的に簡便にカルボキシラート錯体を製造できる方法を提供することを課題とする。
【解決手段】一般式（１）
［ＲｕＸ（Ｌ）（ＰＰ）］Ｘ （１）
（式（１）中、Ｒｕはルテニウム原子を示し、Ｘはハロゲン原子を示し、Ｌはアレーンを示し、ＰＰは光学活性ビスホスフィンを示す。）
で示されるルテニウム化合物に、一般式（２）
Ｒ¹ＣＯ₂Ｍ （２）
（式（２）中、Ｍは一価のカチオンを示し、Ｒ¹はアルキル基、ハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、１−アミノアルキル基及び１−アミノ−１−フェニルアルキル基からなる群より選ばれる基を示す。）
で示されるカルボン酸塩を反応させることを特徴とする一般式（３）
Ｒｕ（ＯＣＯＲ¹）₂（ＰＰ） （３）
（式（３）中、Ｒ¹はアルキル基、ハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、１−アミノアルキル基及び１−アミノ−１−フェニルアルキル基からなる群より選ばれる基を示し、ＰＰは光学活性ビスホスフィンを示す。）
で示されるルテニウム錯体の製造方法を提供する。 （もっと読む）

本発明は、式（ＩＩＩ）：［Ｙ−ＣＯ［Ｏ−Ａ−ＣＯ］_ｎ−Ｚ−Ｒ^＋］_ｍｐＸ^ｑ−（式中、Ｙは、水素又は任意に置換されたヒドロカルビル基であり、Ａは、二価の任意に置換されたヒドロカルビル基であり、ｎは１〜１００、好ましくは１〜１０であり、ｍは１〜４であり、ｑは１〜４であり、ｐは、ｐｑ＝ｍであるような整数であり、Ｚは、窒素原子を介してカルボニル基に結合している、任意に置換された二価の架橋基であり、Ｒ^＋はアンモニウム基であり、Ｘ^ｑ−は、硫黄を含有しないアニオンである）を有するポリ（ヒドロキシカルボン酸）アミド塩誘導体を提供する。更に、本発明は、ポリ（ヒドロキシカルボン酸）アミド塩誘導体を含有する潤滑組成物及び燃料組成物並びに流体のリン揮発度を低下させるためのポリ（ヒドロキシカルボン酸）アミド塩誘導体の使用を提供する。 （もっと読む）