【課題】配位子、および酸のレベルが比較的高いが、先行技術の欠点を、少なくともある程度は処理および緩和した触媒系を確立する。
【解決手段】エテンと、一酸化炭素およびヒドロキシル基含有化合物とを、エテンのカルボニル化を触媒することが可能な触媒系の存在下で接触させる工程を含む、エチレン系不飽和化合物をカルボニル化する方法であって、該触媒系は、ａ）パラジウム金属またはその化合物、ｂ）二座ホスフィン配位子、およびｃ）１８℃の水溶液中で測定して４未満のｐＫａを有する酸を組み合わせることにより得られ、該配位子は、該金属または該金属化合物中の金属に対して少なくとも２：１のｍｏｌ過剰で存在し、該酸は、該配位子に対して少なくとも２：１のｍｏｌ過剰で存在する。 （もっと読む）

【課題】耐熱性、絶縁性、耐光性、機械的特性に優れるノルボルナン骨格含有ポリアミドを提供する。
【解決手段】ノルボルナン骨格含有ポリアミドであって、下記一般式（II）で表される骨格を６０モル％以上含有することを特徴とするエキソ体比率の高いノルボルナン骨格含有ポリアミド。


（但し、式中Ｒ^１は水素又はメチル基であり、Ｘ又はＹは２価の有機基である。ｎは１〜５００の整数である。） （もっと読む）

【課題】耐熱性、絶縁性、耐光性、機械的特性に優れるノルボルナン骨格含有ポリアミドを製造する方法を提供する。
【解決手段】特定構造のノルボルナンジカルボン酸ハライド誘導体と、ジアミン化合物とを極性溶媒中で反応させてなる、ノルボルナン骨格含有ポリアミドの製造方法であって、前記ノルボルナンジカルボン酸ハライド誘導体総量の６０モル％以上が、エキソ体ノルボルナンジカルボン酸ハライド誘導体であることを特徴とする、下記一般式（III）で表されるノルボルナン骨格含有ポリアミドの製造方法。


（但し、式中Ｘは２価の有機基である。ｎは１〜５００の整数である。） （もっと読む）

【課題】配位子、および酸のレベルが比較的高いが、先行技術の欠点を、少なくともある程度は処理および緩和した触媒系を確立する。
【解決手段】エチレン系不飽和化合物のカルボニル化を触媒することが可能な触媒系であって、ａ）パラジウム金属またはその化合物、ｂ）二座ホスフィン配位子、およびｃ）１８℃の水溶液中で測定して４未満のｐＫａを有する酸を組み合わせることにより得られ、該配位子と該金属または該金属化合物中の金属との比は、５：１から７５０：１の範囲内であり、該酸は、該配位子に対して２：１を超えるｍｏｌ過剰で存在する。 （もっと読む）

【課題】α，β−不飽和カルボン酸エステルの製造方法として、酢酸パラジウム、第三級ホスフィン化合物及びメタンスルホン酸の存在下に、メチルアセチレンと、一酸化炭素と、メタノールと、を反応させる工程を有するメタクリル酸メチルを製造する方法が知られている。このような状況下、新規なα，β−不飽和カルボン酸エステルの製造方法が求められている。
【解決手段】白金族元素を有する化合物、ホスフィン化合物及びルイス酸の存在下に、式（１）


（式中、Ｒは水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す）
で示されるアセチレン化合物、一酸化炭素及びアルコール化合物を反応させる工程を有することを特徴とするα，β−不飽和カルボン酸エステルの製造方法。 （もっと読む）

一般式（Ｉ）の新規な二座配位子が、エチレン性不飽和化合物のカルボニル化方法とともに記載される。基Ｘ^１が、１８℃の希釈水溶液中で４〜１４のｐＫｂを有する、少なくとも１個の窒素原子を含む最大で３０個の原子を有する一価のヒドロカルビル基として定義されてもよく、ここで、前記少なくとも１個の窒素原子が、１〜３個の炭素原子だけＱ^２原子から離れている。基Ｘ^２が、Ｘ^１、Ｘ^３またはＸ^４として定義されるかあるいは少なくとも１個の第一級、第二級または芳香環炭素原子を有する最大で３０個の原子を有する一価の基を表し、ここで、各前記一価の基が、それぞれ前記少なくとも１個の第一級、第二級または芳香環炭素原子を介して、それぞれの原子Ｑ^２に結合される。Ｑ^１およびＱ^２がそれぞれ、独立して、リン、ヒ素またはアンチモンを表す。
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易動性水素原子を有する、水やその供給源以外の、共反応剤の存在下で一酸化炭素を用いるエチレン性不飽和化合物のモノカルボニル化のための触媒系のＴＯＮを増大させる方法が記載されている。触媒系は、（ａ）第（８、９）族もしくは第（１０）族の金属またはその好適な化合物と、（ｂ）化学式（Ｉ）


〔式中、基Ｘ^３およびＸ^４は、独立して、３０個までの原子の一価基を表すかＸ^３およびＸ^４は、一緒になって、４０個までの原子の二価基を形成し、かつＸ^５は、４００個までの原子を有し、Ｑ^１は、リン、ヒ素、またはアンチモンを表す〕で示される配位子と、ｃ）場合によりアニオン源と、を組み合わせることにより取得可能である。本方法は、水またはその供給源を触媒系に添加する工程を含む。本方法は、好ましくは、電気陽性金属の存在下で行われる。
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一酸化炭素と共反応剤と好適な触媒系とを用いる液相中でのエチレンの連続カルボニル化方法が記載されている。この方法は、（ｉ）共反応剤と、（ａ）第ＶＩＩＩ族金属／化合物と（ｂ）一般式（Ｉ）で示される配位子とｃ）場合によりアニオン源とを組み合わせることにより取得可能な好適な触媒系と、を含む液相を形成する工程であって、式中、Ｑ^１は、場合によりリンでありうる、工程と、（ｉｉ）少なくともエチレンガス入力供給ストリームと一酸化炭素ガス入力供給ストリームとを提供することにより液相に接触する気相を形成する工程であって、ただし、入力供給ストリームから液相に入るエチレン：ＣＯモル比は、２：１よりも大きいものとする、工程と、（ｉｉｉ）液相中で共反応剤および好適な触媒系の存在下でエチレンを一酸化炭素と反応させる工程と、を含み、気相中のエチレン：ＣＯガスモル比が２０：１〜１０００：１であるか、または液相中のエチレン：ＣＯのモル比が１０：１よりも大きい。
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高度フッ素化カルボン酸及びその塩、並びにその前駆体を調製するための方法であって、一般式（Ｉ）：
Ｒ_ｆ−（Ｏ）_ｎ−（ＣＦ_２）_ｍ−ＣＦ＝ＣＦ_２ （Ｉ）
の高度フッ素化オレフィンを、一般式（ＩＩ）：
ＨＣＯＲ （ＩＩ）
に基づくギ酸の誘導体と、ラジカル反応開始剤の存在下で接触させることによって一般式（ＩＩＩ）：
Ｒ_ｆ−Ｏ_ｎ−（ＣＦ_２）_ｍ−ＣＦＨ−ＣＦ_２−ＣＯＲ （ＩＩＩ）
のＯ−エステル、Ｓ−エステル、又はアミド付加体の形のカルボン酸前駆体を形成することと、式（ＩＩＩ）の付加体を加水分解することによって一般式（ＩＶ）：
Ｒ_ｆ−Ｏ_ｎ−（ＣＦ_２）_ｍ−ＣＦＨ−ＣＦ_２−ＣＯＯ⁻Ｍ^＋ （ＩＶ）
のカルボン酸又はその塩を形成することと、を含み、式（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）において、Ｒは、残基Ｏ⁻Ｍ^＋、Ｓ⁻Ｍ^＋、ＯＲ’、ＳＲ’又はＮＲ’Ｒ’’を表し、ただしＲ’及びＲ’’は互いに独立して、少なくとも１個の炭素原子を含み、かつα水素原子を有さない直鎖若しくは分枝鎖若しくは環状の脂肪族又は芳香族残基であり、Ｒ_ｆは、Ｈ、又は残基若しくは水素を含む過フッ素化若しくは部分的にフッ素化された直鎖、分枝鎖、脂肪族、又は芳香族の炭素原子を表し、ｎは１又は０であり、ｍは０〜６の整数を表し、Ｍ^＋はＨ^＋などのカチオンを表す、方法である。 （もっと読む）