【課題】パターン倒れの少ないレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】（Ａ）アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂、（Ｂ）式（ＩＩ）で表される酸発生剤及び（Ｄ）式（Ｉ）で表される化合物を含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ^１及びＲ^２は独立に炭化水素基、アルコキシ基等；ｍ及びｎは独立に、０〜４の整数；Ｒ^３及びＲ^４は独立に、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基；Ｘ^１は２価の飽和炭化水素基；Ｒ^５は環状エーテル構造を含む基；Ｚ１^＋は有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】 エポキシ化合物を高活性かつ高選択的に製造することができ、更に過酸化物を使用しないことから、安全に反応を行うことが可能となるとともに、同時に製造されるアルデヒド化合物を再度原料として転換することが可能となる、新規なエポキシ化合物の製造方法を提供するものである。
【解決手段】 パラジウム錯体及び結晶性チタノシリケートの存在下、オレフィン、１級アルコール及び分子状酸素を反応するエポキシ化合物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】銀ナノ粒子が高分散で担持されたエチレンオキサイド製造用触媒を提供する。
【解決手段】担体及びその担体に担持された銀ナノワイヤーを含む触媒であって、エチレンを酸化することによりエチレンオキサイドを製造するために用いるエチレンオキサイド製造用触媒に係る。 （もっと読む）

【課題】トリビニルシクロヘキサンからトリエポキシエチルシクロヘキサンを高収率かつ簡便に得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】トリビニルシクロヘキサンを、過酸化水素を用いてエポキシ化するに当たり、炭酸カリウム等の塩基触媒及びアセトニトリル等のニトリル化合物の存在下にエポキシ化反応を行うことを特徴とするトリエポキシエチルシクロヘキサン又はトリエポキシエチルシクロヘキサンを含有するエポキシ樹脂の製造方法である。 （もっと読む）

触媒の製造方法を含めて、担体及び該担体上に担持されている銀、レニウム助触媒、第１共促進剤及び第２共促進剤を含み、ａ）担体上に担持されているレニウム助触媒の量は触媒の重量に対して１ｍｍｏｌ／ｋｇを超え；ｂ）第１共促進剤は硫黄、リン、ホウ素及びその混合物から選択され；ｃ）第２共促進剤はタングステン、モリブデン、クロム及びその混合物から選択され；ｄ）担体上に担持されている第１共促進剤及び第２共促進剤の全量は触媒の重量に対して最大で５．０ｍｍｏｌ／ｋｇであり；ｅ）担体は細孔直径範囲が０．０１〜２００μｍ、比表面積が０．０３〜１０ｍ^２／ｇ、細孔容積が０．２〜０．７ｃｍ^３／ｇであって、担体の中央細孔直径が０．１〜１００μｍである単峰性、双峰性または多峰性細孔径分布を有し、１０〜８０％の吸水率を有しているオレフィンのエポキシ化用触媒；オレフィン及び酸素を含む供給物を前記触媒の存在下で反応させることによるオレフィンオキシドの製造方法；並びに１，２−ジオール、１，２−ジオールエーテル、１，２−カーボネートまたはアルカノールアミンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】オレフィンのエポキシ化工程を提供する。
【解決手段】エポキシ化触媒の存在下における、オレフィンと、酸素と、二原子塩素と過ハロゲン化炭化水素のみからなる群から選択された減速材とを含む供給ガス組成物を反応させる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】エチレンのエポキシ化始動工程を提供する。
【解決手段】工程は、エポキシ化触媒の存在下で供給ガス組成物を約１８０℃〜約２１０℃の第１の温度で反応させることによりエポキシ化反応を開始することを含む。十分な濃度の減速材を添加すると同時に約６時間〜約５０時間にわたって第１の温度を約２３０℃〜約２９０℃の第２の温度に昇温し、第２の温度到達後に触媒に吸着した減速材の量が触媒に対して約１０〜約５０ｇ／ｍ^３となる。約５０時間〜約３５０時間の間、供給ガス組成物が約０．５％〜約２５％のＣＯ_２を含むように調整しながら第２の温度を維持する。十分な濃度を超えるレベルまで減速材濃度を高めると同時に第２の温度を第３の温度まで低下させる。 （もっと読む）

【課題】簡便な操作で、低コスト、低リスク、且つ、温和な条件により、高収率、高度に光学選択的に環状エポキシオレフィン化合物の誘導体を製造する方法を提供する。
【解決手段】環状エポキシオレフィン化合物を、Ｎ，Ｎ−二座型光学活性シッフ塩基配位子及び銅化合物を触媒として用いて、有機過酸化物と反応させ、選択的不斉酸化反応を行うことによる、下記式（３）で示される光学活性な環状エポキシアリールエステル誘導体の製造法。
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本発明に記載の実施態様は、脂環式ジエポキシド化合物及びそのような化合物の形成方法を提供する。このような方法は、反応容器に適切なジエンと適切なジエノフィルを入れ、これらを反応させ、続いてエポキシド化される、所望の脂環式ジエポキシド前駆体を形成させ、回収することを含む。このような化合物は、非異性体残基に関し、少なくとも９５パーセント又は少なくとも９８パーセントを有する脂環式ジエポキシドを含み、基本的に異性体の脂環式ジエポキシド残基が全くない。
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【課題】
本発明の課題は、二置換ケギン型構造を有するヘテロポリオキソメタレート化合物の新規な製造方法を提供することを目的とし、また該化合物を用いた触媒反応を提供することも目的としている。
【解決手段】
二置換ケギン型構造を有するヘテロポリオキソメタレート化合物の製造方法であって、
ＳｉもしくはＧｅから選ばれる一種の元素を含む化合物とＷを含む化合物とを、ｐＨ６〜７の条件下で反応させることにより得られる式（１）［β_２−ＸＷ_１１Ｏ_３９］^８−であらわされる一欠損ケギン型構造を有するヘテロポリオキソメタレート化合物を前駆体として用いて得られた、式（２）［ＸＷ_１０Ｏ_３６］^８−であらわされる二欠損ケギン型構造を有するヘテロポリオキソメタレート化合物に、３族〜１３族より選ばれる少なくとも一種の元素を導入することを特徴とする二置換ケギン型構造を有するヘテロポリオキソメタレート化合物の製造方法。 （もっと読む）