国際特許分類[C07D327/06]の内容
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塩及びレジスト組成物
【課題】優れた解像度でレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供すること。
【解決手段】アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂と、式(I)で表される塩とを含有するレジスト組成物。
[式(I)中、Q1及びQ2は、同一又は相異なり、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基を表す。L1は、単結合又は2価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、該2価の脂肪族飽和炭化水素基に含まれる水素原子はフッ素原子又はヒドロキシ基に置き換わっていてもよく、該2価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子等に置き換わっていてもよい。R1は、炭化水素基等を表す。R2は、水素原子又はアルキル基を表す。mは、0〜4の整数を表す。Z+は、有機カチオンを表す。]
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レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
【課題】優れたフォーカスマージンでレジストパターンを製造することができ、得られたレジストパターンの欠陥の発生数も少ないレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式(I)で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂(但し、式(I)で表される構造単位を含まない)及び式(II)で表される酸発生剤を含有するレジスト組成物。
[式中、A14は、脂肪族炭化水素基を表す。]
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レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
【課題】優れたCD均一性でレジストパターンを製造することができ、得られたレジストパターンの欠陥発生数が少ないレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式(I)で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂(但し、式(I)で表される構造単位を含まない)、式(II)で表される酸発生剤を含有するレジスト組成物。
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レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
【課題】レジストパターン形成時の露光マージン(EL)に優れ、欠陥の発生数が少ないレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式(I)で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂(但し、式(I)で表される構造単位を含まない)及び式(II)で表される酸発生剤を含有するレジスト組成物。
[式中、R2は、フッ素原子を有する炭化水素基;Q1及びQ2は、互いに独立に、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基;L1は、2価の飽和炭化水素基;Rf1及びRf2は、互いに独立に、フッ素原子又はフッ化アルキル基を表す。]
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塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
【課題】従来から知られている塩を酸発生剤として含有するレジスト組成物では、得られるレジストパターンのマスクエラーファクターが必ずしも十分に満足できない場合があった。
【解決手段】式(I)で表される塩。
[式(I)中、Q1及びQ2は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。nは、0又は1を表す。L1は、単結合又は炭素数1〜10のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。但し、nが0である場合、L1は単結合ではない。Z+は、有機カチオンを表す。]
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レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
【課題】レジストパターンの製造時において優れたフォーカスマージン(DOF)でレジストパターンを得ることができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】(A)アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂、(B)式(II)で表される酸発生剤及び(D)式(I)で表される化合物を含有するレジスト組成物。
[式中、R1及びR2はそれぞれ炭化水素基、アルコキシ基、アシル基、アシルオキシ基等;m及びnはそれぞれ0〜4の整数;Q1及びQ2は、互いに独立に、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基;L1は、*−CO−O−La−又は*−CH2−O−Lb−、*は−C(Q1)(Q2)−との結合手、La及びLbは互いに2価の飽和炭化水素基;環W1は複素環;Z+は有機カチオンを表す。]
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塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
【課題】従来から知られる酸発生剤を含有するレジスト組成物では、得られるレジストパターンのCD均一性(CDU)が必ずしも満足できない場合があった。
【解決手段】式(I)で表される塩及びそれを含むレジスト組成物。
[式(I)中、R1及びR2はフッ素原子等を表す。L1は単結合等を表す。Yは置換基を有していてもよい炭素数3〜18の一価の脂環式炭化水素基等を表す。R3、R4、R5、R6及びR7は水素原子等を表す。カチオンのSを含む脂環に含まれるメチレン基は酸素原子等で置き換わっていてもよい。nは、1〜3の整数を表す。sは、0〜3の整数を表す。R8は炭素数1〜6のアルキル基を表す。]
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レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
【課題】優れた解像度及びラインエッジラフネス(LER)を有し、且つ欠陥が少ないレジストパターンを得ることができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】(A1)式(I)で表される構造単位を有する樹脂、(A2)アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂及び(B)酸に不安定な基を有する酸発生剤を含有するレジスト組成物。
[式(I)中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。A1は、炭素数1〜6のアルカンジイル基を表す。R2は、フッ素原子を有する炭素数1〜10の炭化水素基を表す。]
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2−アルキルシクロアルキル(又はアルケニル)カルボキサミド
【課題】望ましくない微生物を防除するために使用できる新規化合物及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下記式で示される新規2−アルキルシクロアルキル(又はアルケニル)カルボキサミド。
(式中、Aは置換されたフェニル基、チアゾリル基、ピリダジル基、ピラゾリル基等を表し、Aに結合する部分は、例えば2−(2,4−ジメチル−1−ブチル)シクロヘキシルカルバモイル基の様な基である。)
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2−アルコキシ置換ベンゾオキサチイン化合物の製造方法
【課題】安全で簡便な2−アルコキシ置換ベンゾオキサチイン化合物の製造方法の提供。
【解決手段】酸の存在下に一般式(B)で表されるチオサリチル酸化合物とオルトギ酸エステル化合物を反応させて一般式(A)で表される2−アルコキシ置換ベンゾオキサチイン化合物を製造する。
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