国際特許分類[C07D335/02]の内容
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国際特許分類[C07D335/02]に分類される特許
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レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物、酸発生剤
【課題】リソグラフィー特性に優れたレジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物及び酸発生剤の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するレジスト組成物であって、酸発生剤成分(B)は、式(b1−1)で表される化合物からなる酸発生剤(B1)を含有する[Z+は有機カチオン;Q1及びQ2は、フッ素原子又は直鎖状若しくは分枝鎖状の炭素数1〜6のフッ素化アルキル基;Xは−(CH2)m1−;Yは単結合、−O−(CH2)L1−又は−C(=O)−O−(CH2)L1−;L1、m1は1〜6の整数;RxはC=C不飽和結合を有し、置換基を有していてもよい炭素数2〜36の2価の脂肪族炭化水素基;Ryは酸解離性基である。]。
[化1]
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新規な化合物およびその製造方法、酸発生剤、レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
【課題】レジスト組成物用の酸発生剤として有用な新規な化合物およびその製造方法、該化合物の前駆体として有用な化合物、酸発生剤、レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】下記一般式(b1−1)で表される化合物。Aは、当該Aが結合した硫黄原子とともに3〜7員環構造の環を形成する2価の基であり、前記環は置換基を有していてもよい。R2はR53−R54−(式中、R53は炭素数2〜10のアルケニル基またはアリール基であり、R54は炭素数1〜5の直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基である。)で表される基であり、nは0であり、Y1はフッ素置換されていてもよい炭素数1〜4のアルキレン基である。
[化1]
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塩及びレジスト組成物
【課題】レジストパターン製造時のフォーカスマージン(DOF)が良好なレジスト組成物に好適な塩及びレジスト組成物を提供すること。
【解決手段】 式(I)で表される塩。
[式(I)中、
Q1及びQ2は、互いに独立に、フッ素原子等を表す。
L1は、単結合又は炭素数1〜17の2価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
X1は、酸素原子又は硫黄原子を表す。
R1は、ヒドロキシ基又は炭素数1〜6のアルキル基を表す。
lは、0〜3の整数を表す。mは、0〜3の整数を表す。nは、1〜3の整数を表す。
Z+は、有機カチオンを表す。]、及び、当該塩と、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂とを含むレジスト組成物。
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塩及びレジスト組成物
【課題】優れたCD均一性(CDU)でレジストパターンを製造することができる新規な塩、および当該塩と樹脂とを含有するレジスト組成物の提供。
【解決手段】式(I)で表される塩、および当該塩と、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂とを含有するレジスト組成物。
[式(I)中、Q1及びQ2は、互いに独立に、フッ素原子等を表す。L1は、単結合又は炭素数1〜17の2価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、該2価の飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置き換わっていてもよく、該2価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。R1は、ヒドロキシ基又は炭素数1〜6のアルキル基を表す。lは、0〜3の整数を表す。Z+は、有機カチオンを表す。]
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レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
【課題】優れたラインエッジラフネス(LER)を有するレジストパターンを得ることができるレジスト組成物等を提供することを目的とする。
【解決手段】式(I)で表される化合物に由来する構造単位を有する樹脂及び式(B1)で表される塩を含有するレジスト組成物。
[式中、R1は水素原子又はメチル基;R2は、ヒドロキシ基又はアルキル基;A1は、単結合等;lは0〜3の整数;Q1及びQ2は、それぞれフッ素原子又はペルフルオロアルキル基;Lb1は2価の飽和炭化水素基;Yは、置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基;Z+は有機カチオンを表す。]
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塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
【課題】優れたフォーカスマージン(DOF)でレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式(I)で表される塩。
[式中、R1−5、L1−CH2−、Yは特定の基。]
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塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
【課題】従来から知られる酸発生剤を含有するレジスト組成物では、得られるレジストパターンのCD均一性(CDU)が必ずしも満足できない場合があった。
【解決手段】式(I)で表される塩及びそれを含むレジスト組成物。
[式(I)中、R1及びR2はフッ素原子等を表す。L1は単結合等を表す。Yは置換基を有していてもよい炭素数3〜18の一価の脂環式炭化水素基等を表す。R3、R4、R5、R6及びR7は水素原子等を表す。カチオンのSを含む脂環に含まれるメチレン基は酸素原子等で置き換わっていてもよい。nは、1〜3の整数を表す。sは、0〜3の整数を表す。R8は炭素数1〜6のアルキル基を表す。]
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感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法、重合体及び化合物
【課題】パターン形成性、MEEF性能及びエッチング耐性に優れる感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法、重合体及び化合物を提供すること。
【解決手段】式(1)を有する重合体及び酸発生体を含有する感放射線性樹脂組成物。
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レジスト組成物、レジストパターン形成方法、および新規な化合物
【課題】レジスト組成物用クエンチャーとして好適な化合物、該クエンチャーを含有するレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)、下記一般式(c1)で表される化合物(C1)を含む含窒素有機化合物成分(C)、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)(ただし、前記化合物(C1)を除く)を含有することを特徴とするレジスト組成物[式中、RNは置換基を有していてもよい含窒素複素環式基であり;X0は炭素数1〜10の直鎖状若しくは分岐鎖状の2価の脂肪族炭化水素基、炭素数3〜20の環状若しくは環状の部分構造を有する2価の脂肪族炭化水素基、又はこれらの水素原子の一部若しくは全てがフッ素原子で置換された基であり;M+は有機カチオンである。]。
[化1]
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塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
【課題】得られるパターンのフォーカスマージン(DOF)及びマスクエラーファクター(MEF)が良好な塩及び該塩を含有するレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式(I)で表される塩及びこの塩を含有するレジスト組成物。
[式中、R1及びR2は、それぞれ、ヒドロキシ基又はアルキル基、該アルキル基中のメチレン基はオキシ基等で置き換わっていてもよい;R3はアルキル基;l、m及びnは、それぞれ0〜3の整数;pは1〜3の整数;スルホニウムカチオンを含む複素環のメチレン基はオキシ基、カルボニル基で置き換わっていてもよい;R4及びR5はそれぞれフッ素原子又はペルフルオロアルキル基;L1は2価の飽和炭化水素基、該基中のメチレン基はオキシ基、カルボニル基で置き換わっていてもよい;Yは脂肪族炭化水素基又は飽和環状炭化水素基等、これらの基中のメチレン基はオキシ基等で置き換わっていてもよい。]
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