【課題】リソグラフィー特性に優れたレジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物及び酸発生剤の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物であって、酸発生剤成分（Ｂ）は、式（ｂ１−１）で表される化合物からなる酸発生剤（Ｂ１）を含有する［Ｚ^＋は有機カチオン；Ｑ^１及びＱ^２は、フッ素原子又は直鎖状若しくは分枝鎖状の炭素数１〜６のフッ素化アルキル基；Ｘは−（ＣＨ_２）_ｍ１−；Ｙは単結合、−Ｏ−（ＣＨ_２）_Ｌ１−又は−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ_２）_Ｌ１−；Ｌ１、ｍ１は１〜６の整数；ＲｘはＣ＝Ｃ不飽和結合を有し、置換基を有していてもよい炭素数２〜３６の２価の脂肪族炭化水素基；Ｒｙは酸解離性基である。］。
［化１］
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【課題】レジスト組成物用の酸発生剤として有用な新規な化合物およびその製造方法、該化合物の前駆体として有用な化合物、酸発生剤、レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（ｂ１−１）で表される化合物。Ａは、当該Ａが結合した硫黄原子とともに３〜７員環構造の環を形成する２価の基であり、前記環は置換基を有していてもよい。Ｒ^２はＲ^５３−Ｒ^５４−（式中、Ｒ^５３は炭素数２〜１０のアルケニル基またはアリール基であり、Ｒ^５４は炭素数１〜５の直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基である。）で表される基であり、ｎは０であり、Ｙ^１はフッ素置換されていてもよい炭素数１〜４のアルキレン基である。
［化１］
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【課題】レジストパターン製造時のフォーカスマージン（ＤＯＦ）が良好なレジスト組成物に好適な塩及びレジスト組成物を提供すること。
【解決手段】 式（Ｉ）で表される塩。


［式（Ｉ）中、
Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子等を表す。
Ｌ^１は、単結合又は炭素数１〜１７の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｘ^１は、酸素原子又は硫黄原子を表す。
Ｒ^１は、ヒドロキシ基又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
ｌは、０〜３の整数を表す。ｍは、０〜３の整数を表す。ｎは、１〜３の整数を表す。
Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］、及び、当該塩と、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂とを含むレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】優れたＣＤ均一性（ＣＤＵ）でレジストパターンを製造することができる新規な塩、および当該塩と樹脂とを含有するレジスト組成物の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩、および当該塩と、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂とを含有するレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子等を表す。Ｌ^１は、単結合又は炭素数１〜１７の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置き換わっていてもよく、該２価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Ｒ^１は、ヒドロキシ基又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。ｌは、０〜３の整数を表す。Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を有するレジストパターンを得ることができるレジスト組成物等を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物に由来する構造単位を有する樹脂及び式（Ｂ１）で表される塩を含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は水素原子又はメチル基；Ｒ^２は、ヒドロキシ基又はアルキル基；Ａ¹は、単結合等；ｌは０〜３の整数；Ｑ¹及びＱ²は、それぞれフッ素原子又はペルフルオロアルキル基；Ｌ^b1は２価の飽和炭化水素基；Ｙは、置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基；Ｚ⁺は有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたフォーカスマージン（ＤＯＦ）でレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。


［式中、Ｒ^１−５、Ｌ^１−ＣＨ_２−、Ｙは特定の基。］ （もっと読む）

【課題】従来から知られる酸発生剤を含有するレジスト組成物では、得られるレジストパターンのＣＤ均一性（ＣＤＵ）が必ずしも満足できない場合があった。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩及びそれを含むレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ｒ^１及びＲ^２はフッ素原子等を表す。Ｌ^１は単結合等を表す。Ｙは置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の一価の脂環式炭化水素基等を表す。Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６及びＲ^７は水素原子等を表す。カチオンのＳを含む脂環に含まれるメチレン基は酸素原子等で置き換わっていてもよい。ｎは、１〜３の整数を表す。ｓは、０〜３の整数を表す。Ｒ^８は炭素数１〜６のアルキル基を表す。］ （もっと読む）

【課題】パターン形成性、ＭＥＥＦ性能及びエッチング耐性に優れる感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法、重合体及び化合物を提供すること。
【解決手段】式（１）を有する重合体及び酸発生体を含有する感放射線性樹脂組成物。
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【課題】レジスト組成物用クエンチャーとして好適な化合物、該クエンチャーを含有するレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、下記一般式（ｃ１）で表される化合物（Ｃ１）を含む含窒素有機化合物成分（Ｃ）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）（ただし、前記化合物（Ｃ１）を除く）を含有することを特徴とするレジスト組成物［式中、Ｒ^Ｎは置換基を有していてもよい含窒素複素環式基であり；Ｘ^０は炭素数１〜１０の直鎖状若しくは分岐鎖状の２価の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜２０の環状若しくは環状の部分構造を有する２価の脂肪族炭化水素基、又はこれらの水素原子の一部若しくは全てがフッ素原子で置換された基であり；Ｍ^＋は有機カチオンである。］。
［化１］
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【課題】得られるパターンのフォーカスマージン（ＤＯＦ）及びマスクエラーファクター（ＭＥＦ）が良好な塩及び該塩を含有するレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩及びこの塩を含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ、ヒドロキシ基又はアルキル基、該アルキル基中のメチレン基はオキシ基等で置き換わっていてもよい；Ｒ^３はアルキル基；ｌ、ｍ及びｎは、それぞれ０〜３の整数；ｐは１〜３の整数；スルホニウムカチオンを含む複素環のメチレン基はオキシ基、カルボニル基で置き換わっていてもよい；Ｒ^４及びＲ^５はそれぞれフッ素原子又はペルフルオロアルキル基；Ｌ^１は２価の飽和炭化水素基、該基中のメチレン基はオキシ基、カルボニル基で置き換わっていてもよい；Ｙは脂肪族炭化水素基又は飽和環状炭化水素基等、これらの基中のメチレン基はオキシ基等で置き換わっていてもよい。］ （もっと読む）