【課題】薬理効果を発揮する金属サレン錯体の分子構造を明確し、係る分子構造を備えた金属サレン錯体及びその誘導体を提供する。
【解決手段】金属サレン錯体又は当該金属サレン錯体の誘導体の複数分子がそれぞれの金属原子の部分で水を介して多量体化されていることを特徴とする、金属サレン錯体化合物である。 （もっと読む）

【課題】モル吸光係数が高く、分光濃度が高い化合物を提供する。
【解決手段】代表例として、下記式で表される化合物を示す。
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【課題】従来にない新規な物性を発現し得るオクタシアノ金属錯体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のオクタシアノ金属錯体は、Co₃[W(CN)₈]₂(ピリミジン)₂(4-メチルピリジン)₂・6H₂Oからなり、光照射により常磁性状態から強磁性状態に相転移して、強磁性状態のときの保磁力Hcが2.3Tまで達し、従来のCo₃[W(CN)₈]₂(ピリミジン)₄・6H₂Oからなるオクタシアノ金属錯体が有する1.2Tの保磁力Hcよりも一段と大きな高保磁力Hcを発現できる。かくして、本発明では、従来よりも大きな保磁力Hcを発現し得るという新規な物性を有するオクタシアノ金属錯体を提供できる。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスが容易でありながら、長寿命を達成可能なデバイスを提供する。
【解決手段】モリブデン錯体の反応生成物又はタングステン錯体の反応生成物であり、モリブデン錯体又はタングステン錯体が、カルボニル基及び水酸基の少なくとも１つを有する有機溶媒と酸化還元反応して得られたモリブデン又はタングステン含有有機−無機複合酸化物である、正孔注入輸送層形成用材料を用いる。 （もっと読む）

【課題】装置からの発光が速やかになるように対イオンが実質的に移動しない発光装置を提供する。
【解決手段】アノード、カソード、前記アノードとカソードの間に位置する発光層を含む発光装置であって、前記発光層は発光用の帯電金属及び前記帯電金属上の電荷をバランスするに十分な電荷を有する対イオンを含み、一般式Ｉの結合された帯電金属錯体及び対イオンを有せず、対イオンは実質的に移動しない発光装置。
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【課題】本発明では耐熱性に優れた発光素子を作製することができる複合材料を提供する
ことを課題とする。また、本発明では長時間安定に駆動できる耐久性の高い発光素子を作
製することができる複合材料を提供することを課題とする。また、発光素子における電極
間の短絡を防止しやすく、消費電力の低い発光素子を作製することができる複合材料を提
供することを課題とする。
【解決手段】金属原子を有する金属酸化物骨格と、金属原子にキレートを形成することに
より結合した有機化合物とを有する複合材料であり、金属酸化物は有機化合物に対して電
子受容性を示すことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、キラル性リガンドを含むエチレンの選択的オリゴマー製造用クロム錯体化合物、これを用いてエチレンから１‐ヘキセンまたは１‐オクテンを選択的に製造する方法に関する。 （もっと読む）

【課題】酸化触媒として有用な異種金属４核錯体及びこれを用いた酸化反応による酸化物の製造方法を提供する。
【解決手段】下式（１）で表される異種金属４核錯体。


（式中、Ｍ^１及びＭ^２は、同一または異なり、周期律表第６族元素からなる群より選ばれる１種以上の元素を表し、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は、同一または異なり、炭素数１〜２０の置換基を表し、Ｒ^１とＲ^２及びＲ^３とＲ^４の少なくとも１組は縮合環を形成していてもよく、ｋ、ｌ、ｍ及びｎは各々独立に０〜３の整数を表す。） （もっと読む）

【課題】モル吸光係数が高く、分光濃度が高い化合物を提供する。
【解決手段】式（０）で表される化合物。式（０）中、Ｒ¹は、炭素数１〜８の１価の飽和炭化水素基等を表し、Ｒ^２は水素原子、−ＣＮ等を表す。Ｒ^３は炭素数１〜４のアルキル基等を表す。Ｒ^４ａ〜Ｒ^７ａは、−Ｒ^８、−ＣＯＯＲ^８、−ＣＮ等を表す。Ｒ^８は、水素原子、脂肪族炭化水素基等を表す。Ａ^＋は、ナトリウムカチオン等を表す。
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Ｎ^２−ホスフィニルアミジン化合物、Ｎ^２−ホスフィニルアミジナート、Ｎ^２−ホスフィニルアミジン金属塩錯体、Ｎ^２−ホスフィニルアミジナート金属塩錯体が記載される。Ｎ^２−ホスフィニルアミジン化合物、Ｎ^２を−ホスフィニルアミジナート、Ｎ^２−ホスフィニルアミジン金属塩錯体、およびＮ^２−ホスフィニルアミジナート金属塩錯体を製造する方法も開示される。Ｎ^２−ホスフィニルアミジン金属塩錯体およびＮ^２−ホスフィニルアミジナート金属塩錯体を使用する触媒系もまた、オレフィンのオリゴマー化および／または重合のための、Ｎ^２−ホスフィニルアミジン化合物、Ｎ^２−ホスフィニルアミジナート、Ｎ^２−ホスフィニルアミジン金属塩錯体、およびＮ^２−ホスフィニルアミジナート金属塩錯体の使用と共に開示される。
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