国際特許分類[C07F19/00]の内容
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有機発光素子
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発光素子用発光性物質及び発光素子
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金属錯体化合物およびそれを有する有機発光素子
【課題】高効率発光の銅錯体とそれを用いた有機発光素子を提供する。
【解決手段】下記一般式(1)で示される銅錯体。
(式(1)中、R1は、ハロゲン原子等を、R2は、アセトニトリル基等を、R3およびR4は、アルキル基、フェニル基等を、Cuは一価の銅イオンを表す。)
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有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
【課題】有機エレクトロルミネッセンス素子用の材料を提供。
【解決手段】式(1)の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
〔Xは酸素原子、硫黄原子、PR、PR(=Y)又はSiRRを表す。R1〜R8の少なくとも1つは式(2)で表される。〕
〔Lはアリーレン基等が結合した基を表す。Yは酸素原子、硫黄原子等を表す。〕
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金属錯体及びそれを有する有機発光素子
【課題】 高効率発光の銅錯体とそれを用いた有機発光素子を提供する。
【解決手段】 下記一般式(1)で示される銅錯体を提供する。
【化1】
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非架橋型層状ホスホン酸金属化合物及びその製造方法
【課題】結晶性が高く、多成分のホスホン酸が均一に導入され、かつフッ素原子を含まない新規な非架橋型層状ホスホン酸金属化合物及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】所定の条件を備えた2種以上のモノホスホン酸又はその誘導体と、反応時に金属酸化物八面体の中心原子(M)となる6配位金属原子のイオンを生成可能な金属源とを硫酸触媒下で反応させる反応工程を備えた非架橋型層状ホスホン酸金属化合物の製造方法、このような方法により得られる非架橋型層状ホスホン酸金属化合物。
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三座配位子ロジウム錯体、その製造方法、置換アセチレン重合開始剤及びそれを用いた置換ポリアセチレン誘導体の製造方法
【課題】らせん状構造の置換ポリアセチレン誘導体も得ることができ、特に置換アセチレンの重合開始剤として有用な新規な三座配位子ロジウム錯体を提供する
【解決手段】下記一般式(1)で表わされることを特徴とする三座配位子ロジウム錯体。
(式中、R1は炭素数1〜5の直鎖状又は分岐状のアルキル基、及びアリール基を示す。R2及びR3は炭素数1〜5の直鎖状又は分岐状のアルキル基、及びアリール基を示し、但し、R2とR3で同一の基となることはない。Zは炭素数3〜6のアルキレン基を示す。XはNH又はOを示す。*は不斉炭素原子を示す。)
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トリアルコキシシリルアルキル基を有するオニウム塩
【課題】特にアクリル樹脂用帯電防止剤として有用なトリアルコキシシリルアルキル基を有する新規なオニウム塩を提供。
【解決手段】式(1)
(式中、Q+は窒素カチオン又はリンカチオンを示す。R1〜R3は炭素数1〜6のアルキル基を示し、R1とR2が末端で互いに結合してピロリジン環、ピペリジン環、ピリジン環、ホスホラン環、ホスホリナン環又はホスホリン環を形成してもよい。但し、ピリジン環又はホスホリン環を形成する場合は、R3は存在しない。R4は炭素数1〜4のアルキル基を示す。DはCH2、CH(CH3)又はCH(CH3)CH2を示す。EはNH又は硫黄原子を示す。mは0〜3の整数、nは1〜4の整数である。)で表される第四級オニウムカチオンを示す。A−はアニオンを示す。)で表わされるオニウム塩。
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1,2−ビス(ジアルキルホスフィノ)−4,5−(メチレンジオキシ)ベンゼン誘導体、その製造方法及び該1,2−ビス(ジアルキルホスフィノ)−4,5−(メチレンジオキシ)ベンゼン誘導体を配位子とする金属錯体並びに不斉水素化方法
【課題】特にβデヒドロアミノ酸に対して高い不斉誘起能と触媒活性を有する金属錯体を形成する新規な1,2−ビス(ジアルキルホスフィノ)−4,5−(メチレンジオキシ)ベンゼン誘導体、その製造方法、該1,2−ビス(ジアルキルホスフィノ)−4,5−(メチレンジオキシ)ベンゼン誘導体を配位子とする金属錯体及び該金属錯体を用いた不斉水素化方法を提供する。
【解決手段】下記一般式(1)で表されることを特徴とする1,2−ビス(ジアルキルホスフィノ)−4,5−(メチレンジオキシ)ベンゼン誘導体。
(式中、R1及びR2は、炭素数1〜10のアルキル基を示し、R1とR2とでは炭素数が異なる。)
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金属錯体及び該金属錯体を用いた素子
【課題】発光効率の高い有機エレクトロルミネセンス素子を提供する。
【解決手段】例えば下記反応で得られるフェニルピリジン・イリジウム誘導体からなる金属錯体が例示される。
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