【課題】高分子量α−オレフィン共重合体を生成する新規なメタロセン系触媒の提供。
【解決手段】下記の式で代表される遷移金属化合物。
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本発明は、とりわけ光学発光ダイオード(OLED)における電子輸送材料としての有用性を有する式(I)、(II)または(III)の化合物を提供する。この化合物の態様は、OLEDにおける電子輸送層として組み込まれたとき、電子輸送材料がアルミニウムキノレートである対応のデバイスよりも、所定の電圧に対して高い電流密度を示す。
【化１】

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ピリジルジアミド遷移金属錯体がアルケンの重合反応での使用について開示されている。この配位子は、ＮＮＮの配置による３座配位子である。一般式は式(I)であり、
Mは第３，４，５，６，７，８，９，１０，１１又は１２族の金属であり、他の可変部は請求項で規定されているとおりである。 （もっと読む）

【課題】炭素数８〜１２の直鎖状α−オレフィンオリゴマーを効率的に製造する触媒を提供すること。
【解決手段】一般式（１ｃ）（Mはジルコニウム又はハフニウム、Ｘはハロゲン原子を示す。）と有機アルミニウム化合物を含有する触媒。
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【課題】半導体製造における成膜原料であるテトラ−ｔ−ブトキシハフニウム、テトラキス（アセチルアセトナト）ハフニウム、テトラキス（１−メトキシ−２−メチル−２−プロパノラト）ハフニウム、等の製造方法の提供。
【解決手段】テトラ−ｔ−ブトキシハフニウム、テトラキス（アセチルアセトナト）ハフニウム、テトラキス（１−メトキシ−２−メチル−２−プロパノラト）ハフニウム、等の製造方法において、一般式：Ｈｆ［Ｎ（Ｒ₁）（Ｒ₂）］₄で示されるハフニウムアミド錯体に一般式：Ａ（Ｏ_yＸＯ_nＲ_f）_mで示される化合物を添加した後、減圧蒸留を行う工程、得られる留分に一般式：Ｌｉ（ＮＲ₃Ｒ₄）で示されるリチウムアルキルアミドを添加した後、減圧蒸留を行う工程、得られる留分にｔ−ブタノール、アセチルアセトン、１−メトキシ−２−メチル−２−プロパノール、等を添加した後、減圧蒸留を行う工程を順次実施する。 （もっと読む）

【課題】遷移金属化合物、これを含むエチレン単独重合体またはエチレンとα−オレフィンとの共重合体製造用として高い触媒活性を有する遷移金属触媒組成物を提供する。
【解決手段】４族遷移金属の周囲にシクロペンタジエン誘導体及びオルト(ortho−)位置に酸素を含むヘテロ環が融合されたアリールオキシドリガンドを少なくとも一つ以上含み、リガンド間相互架橋されなかったことを特徴とする４族遷移金属化合物、前記遷移金属化合物とアルミノキサン助触媒またはホウ素化合物助触媒を含む触媒組成物。これを用いたエチレン単独重合体またはエチレンとα−オレフィンの共重合体を効率よく製造できる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明は、ジルコニウム化合物を含むエステル化触媒組成物およびこれを用いてアルコールおよびカルボン酸化合物をエステル化反応させてエステル化合物を製造するエステル化合物の製造方法に関するものであり、大量合成工程に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】 あらゆる構造のオレフィン重合体に末端ビニル構造を効率的に導入するためのオレフィン重合用触媒、およびその触媒の合成に用いる遷移金属化合物、ならびに該オレフィン重合用触媒を用いて末端ビニル構造を持つオレフィン（共）重合体の製造。
【解決手段】 一般式：Ｍ^１Ｌ^１ｍＬ^２ｘ−ｍ−1Ｈ を有する新規な遷移金属化合物。
［式中、Ｍ^１は周期表４族の遷移金属、Ｌ^１は電子吸引性基を持つインデニル基、Ｌ^２は非置換インデニル基を表し、ｘは遷移金属Ｍ^１の原子価であり、ｍは１≦ｍ≦３であり、Ｌ^１が複数個の場合、それぞれ同一でも異なってもよい。］
該遷移金属化合物と、有機アルミニウムオキシ化合物および／または該遷移金属化合物と反応してイオン対を形成する化合物とからなるオレフィン重合用触媒。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、有機合成時の試薬として利用され、反応性に優れる水素化塩化ジルコノセン化合物の製造方法を提供することにある。
【解決手段】 水素化塩化ジルコノセン化合物を製造する方法であって、二塩化ジルコノセン化合物と水素化剤とを０℃以下で反応させる方法。 （もっと読む）

インデニル部分の４位および７位が大型芳香族置換基を有するメタロセン化合物が、実質的に１００パーセントのラセミ異性体を製造する方法に従って調製される。好都合なことに、本発明のメタロセンを含む重合触媒は、優れたオレフィン重合結果を提供する。
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