【課題】樹脂成形体の難燃性を効果的に高めることができ、樹脂成形体の電気特性、特に、誘電率（ε）および誘電正接（ｔａｎδ）が低く、しかも耐熱性が高いホスファゼン化合物を実現する。
【解決手段】ホルミルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物に、カルボニルオレフィン化反応を行う工程を含む、式（１）で表されるエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の製造方法。


式（１）中、ｎは１〜６の整数を示し、Ａは少なくとも一つが式（２）で示されるエテニルフェノキシ基で、その他のＡがアリールオキシ基である。
（もっと読む）

本発明は、式（Ｉ）または（ＩＩ）


（式中：
−Ｒ_ｆおよびＲ’_ｆは、相互に同じかまたは異なっており、出現毎に、独立して、繰返し単位Ｒ^Ｏ（好ましくは本質的にこれからなる）を含む（パー）フルオロポリオキシアルキレン鎖［鎖（ＯＦ）］を表し、（パー）フルオロポリオキシアルキレン鎖の全体に無作為に分布された前記繰返し単位は、
（ｉ）−ＣＦＸＯ−（式中、ＸはＦまたはＣＦ_３である）、
（ｉｉ）−ＣＦ_２ＣＦＸＯ−（式中、ＸはＦまたはＣＦ_３である）、
（ｉｉｉ）−ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ−、
（ｉｖ）−ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ−
のうちから選択され、
−ＺおよびＺ’は、相互に同じかまたは異なっており、出現毎に、式−Ｏ⁻Ｍ^＋の極性基（式中、Ｍは、水素；一価の金属、好ましくはＬｉ、Ｎａ、Ｋから選択されるアルカリ金属；式ＮＲ_１Ｒ_２Ｒ_３Ｒ_４のアンモニウムラジカル（式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４の各々は、独立して、水素原子あるいは任意によりフッ素化されているＣ_１〜Ｃ_１２炭化水素基である）のうちから選択される）、または式−Ｏ⁻）_２Ｍ’^２＋の極性基（式中、Ｍ’は、二価の金属、好ましくはＣａ、およびＭｇから選択されるアルカリ土類金属である）［基（Ｐ）］を表し、
−ｎ_Ｚは、１〜３、好ましくは１に等しい整数であり、
−ｎ_Ｚ’は、１〜４、好ましくは１に等しい整数であり、
−ｎ_ｆ’は、ｎ_Ｚ’＋ｎ_ｆ’が８と等しくなるような整数であり、
−ｎ_ｆは、ｎ_Ｚ＋ｎ_ｆが６と等しくなるような整数である）に従う環式ホスファゼン化合物に関する。
（もっと読む）

【課題】 残留ハロゲン量が５０ｐｐｍ未満のシクロトリホスファゼン誘導体を容易に製造する。
【解決手段】 シクロトリホスファゼン誘導体の製造方法は、ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンとフェノール塩とをシクロペンチルメチルエーテル中において−３０〜８０℃の温度範囲で反応させ、部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンを得る第一反応工程と、第一反応工程により得られた部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンと４−シアノフェノール塩とをシクロペンチルメチルエーテル中において２０℃からシクロペンチルメチルエーテルの沸点の温度範囲で反応させる第二反応工程とを含んでいる。 （もっと読む）