【課題】本発明は、アルカリ不溶性又は難溶性の高分子化合物及び熱架橋剤を含有する高感度、高解像度な厚膜用の化学増幅ポジ型レジスト材料に関する。
【解決手段】（Ａ）ベース樹脂、（Ｂ）光酸発生剤、（Ｃ）熱架橋剤、（Ｄ）有機溶剤を含有し、（Ａ）成分が１００質量部、（Ｂ）成分が０．０５〜２０質量部、（Ｃ）成分が０．１〜５０質量部、（Ｄ）成分が５０〜５，０００質量部からなり、（Ａ）ベース樹脂が、重量平均分子量１，０００〜５００，０００である高分子化合物を含有することを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。 （もっと読む）

【課題】良好な形状を有するレジストパターンレジストパターンを得ることができる化合物、樹脂、レジスト組成物等を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこれを含むレジスト組成物。


［式中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ、脂肪族炭化水素基を表すか、Ｒ^１及びＲ^２が互いに結合し環を形成する；Ｒ^３は、ハロゲン原子を有してもよいアルキル基等；ｍ及びｎは、それぞれ０又は１；Ｘ^１は、単結合、−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｌ−＊（ｌは１〜６の整数、＊はＯとの結合手を表す。）等を表す］ （もっと読む）

【課題】閾値電圧の絶対値及びヒステリシスが小さい有機薄膜トランジスタを製造しうる有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を提供すること。
【解決手段】環状エーテル構造を有する繰り返し単位と、酸により脱離しうる有機基を有する繰り返し単位とを含有する高分子化合物（Ａ）を含む有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。 （もっと読む）

【課題】高感度、高解像性、良好なパターン形状、残渣低減、良好なラインエッジラフネスを高次元で同時に満足するとともに、露光時のアウトガス性能が充分に良好な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、また、該組成物を用いたレジスト膜及びパターン形成方法、半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス、並びに、樹脂の製造方法の提供。
【解決手段】活性光線又は放射線の照射により分解して樹脂の側鎖に酸を発生する繰り返し単位（Ａ）と、下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位（Ｃ）とを有する樹脂（Ｐ）を含有し、前記樹脂（Ｐ）の分散度が１．２０以下である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
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【解決手段】カルボキシル基の水素原子が一般式（１）で示される酸不安定基によって置換されている樹脂をベース樹脂にしているポジ型レジスト材料。


（Ｒ¹、Ｒ²は炭素数１〜８の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基、又は炭素数２〜１０のアルケニル基で、酸素原子又は硫黄原子を有していてもよい。Ｒ³はフッ素原子又はトリフルオロメチル基、ｍは１〜５の整数。）
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好で、特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。従って、特に超ＬＳＩ製造用あるいはフォトマスクの微細パターン形成材料、ＥＵＶ露光用のパターン形成材料として好適なポジ型レジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】機械的強度が高く、かつ、電気特性に優れた硬化膜が得られる新規な化合物を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で示される化合物。一般式（Ｉ）中、Ｆは電荷輸送性骨格を示し、Ｌは−（ＣＨ_２）_ｎ−Ｏ−基を含む２価の連結基を示し、ｍは１以上８以下の整数を示し、ｎは３以上６以下の整数を示す。


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【課題】高解像性で良好な形状の孤立ラインパターンを形成することができ、且つ、ラフネス特性および露光後加熱温度依存性（ＰＥＢＳ：Post Exposure Bake Sensitivity）を含む他のレジスト性能にも優れる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、これを用いた感活性光線性又は感放射線性膜、及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】少なくとも１つのフェノール性水酸基と、フェノール性水酸基の水素原子が一般式（１）で表される基によって置換されている基を少なくとも１つ含む化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
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【課題】高感度、高解像性（例えば、高い解像力、小さいラインエッジラフネス（ＬＥＲ））、及び、未露光部における残渣の低減を同時に満足したパターンを形成できるレジストパターン形成方法、レジストパターン、現像液、有機溶剤現像用の架橋性ネガ型化学増幅型レジスト組成物、ナノインプリント用モールド、及びフォトマスクを提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物、酸の作用により前記高分子化合物を架橋する、２個以上のベンゼン環と４個以上のアルコキシメチル基とを有するフェノール性化合物、及び、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する、ネガ型化学増幅型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、該膜を露光する工程、及び、露光後に、炭素数７又は８のエステル系溶剤を含む現像液を用いて現像する工程をこの順番で有する、レジストパターン形成方法。
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【課題】ナノエッジラフネスを低減することができ、かつ焦点深度に優れるフォトレジスト組成物の提供。
【解決手段】［Ａ］下記式（１）で表される化合物、及び［Ｂ］下記式（２−１）で表される構造単位（Ｉ）を有する重合体を含有するフォトレジスト組成物である。
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【課題】高感度、高解像性（例えば、高い解像力、優れたパターン形状、小さいラインエッジラフネス（ＬＥＲ））、及び、良好なドライエッチング耐性を同時に満足したパターンを形成できる化学増幅型レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、及び、レジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 フェノール性水酸基と、フェノール性水酸基における水酸基の水素原子が置換基で置換されてなる基とを有し、かつ、下記（ａ）〜（ｃ）を同時に満たす高分子化合物（Ａ）を含有する、化学増幅型レジスト組成物。
（ａ）分散度が１．２以下
（ｂ）重量平均分子量が２０００以上６５００以下
（ｃ）ガラス転移温度（Ｔｇ）が１４０℃以上 （もっと読む）