説明

国際特許分類[C08F138/00]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物 (224,083) | 炭素−炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物 (38,630) | 1個以上の炭素―炭素三重結合を含有する化合物の単独重合体 (11)

国際特許分類[C08F138/00]の下位に属する分類

アセチレン (3)
ビニルアセチレン

国際特許分類[C08F138/00]に分類される特許

1 - 8 / 8



Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_ipc_list.php on line 285

【課題】エッチング工程によってもダメージを受けにくく、膜特性が維持された絶縁膜を形成することができる膜形成用組成物、かかる膜形成用組成物により形成された絶縁膜、および、かかる絶縁膜を備える半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の膜形成用組成物は、重合性の官能基を有する重合性化合物を含む膜形成用組成物であり、前記重合性化合物は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造と、重合反応に寄与する重合性反応基とを有するものである。そして、前記重合性反応基が、芳香環と、当該芳香環に直接結合するエチニル基またはビニル基とを有するものであり、前記重合性化合物において、前記芳香環由来の炭素の数は、当該重合性化合物全体の炭素の数に対して、15%以上、38%以下であるものである。 (もっと読む)


【課題】酸素を選択的に透過する能力及び二酸化炭素の透過を抑制する能力に優れる重合体を提供する。
【解決手段】下記式(1)で表される繰り返し単位を含有する重合体。


[式(1)中、Rは、水素原子、ハロゲン原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよい芳香族炭化水素基、置換されていてもよい芳香族ヘテロ環基、トリアルキルシリル基又はトリアルキルゲルミル基を表し、Rは、下記式(3)で表され、mは0以上5以下の整数であり、Rが複数ある場合、それらは互いに同じでも異なっていてもよい。式(3)中、pは、5以上15以下の整数である。] (もっと読む)


【課題】膜特性が良好な絶縁膜およびそのためのポリ(アセチレン)化合物を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体集積回路の絶縁膜であって、下記式(1)で表される化合物を重合して得られるポリ(アセチレン)化合物を含有する組成物から形成された絶縁膜により解決される。
式(1)


式(1)において、Q1は(n+1)価の芳香族環基を表し、nは1〜5の整数を示し、R1およびR2は、水素原子、アルキル基、アリール基、または一価のヘテロ環基を表す。nが2以上の場合、n個のR2は互いに同じでも異なってよい。 (もっと読む)


【課題】 電子デバイスなどに用いられる誘電率、機械強度、面性(面状)等の膜特性が良好な絶縁膜を形成できる膜形成用組成物(塗布液)およびそれに用いる重合体に関し、さらには該塗布液を用いて得られる絶縁膜およびそれを有する電子デバイスに提供する。
【解決手段】 カゴ型構造を有し、GPCによるポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)が1000〜500000であり、多分散度(Mw/Mn)(Mw:重量平均分子量、Mn:数平均分子量)が30以下であることを特徴とする重合体、該膜形成用組成物を用いて形成した絶縁膜、該絶縁膜を有する電子デバイス。 (もっと読む)


【課題】電子デバイスなどに用いられる誘電率、機械強度等の膜特性が良好な絶縁膜を形成できる絶縁膜形成用組成物、さらには該組成物を用いて得られる絶縁膜および該絶縁膜を有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】カゴ型シルセスキオキサンをコア部にもち、重合性基を分岐末端にもつデンドリマー及び/またはその重合体と塗布溶剤を含む絶縁膜形成用組成物、および該膜形成組成物を用いて得られる絶縁膜、および該絶縁膜を有する電子デバイス。 (もっと読む)


【課題】不揮発性であって、かつ情報の書き換えが可能であり、また、作製が簡単であり、スイッチング特性に優れ、動作電圧の低い記憶素子、記憶装置および半導体装置を安価で提供することを課題とする。
【解決手段】第1の導電層と、前記第1の導電層に対向する第2の導電層と、第1の導電層と第2の導電層間に設置された有機化合物層を有し、前記有機化合物層は、少なくとも一種の側鎖にアミド基を有する高分子材料を用いた記憶素子を提供する。 (もっと読む)


【課題】煩雑な操作を要することなく製造できる有機溶剤のゲル化剤及びその製造方法並びに前記ゲル化剤を用いた光重合性有機ゲルを提供することである。
【解決手段】下記一般式1で表されることを特徴とするジアセチレンジアミド化合物、その製造方法及びそれと有機溶剤から形成されるゲル。式中、nは1〜18、*印の付いた炭素は不整炭素原子であり、一般式1で表される化合物は光学活性体である。
一般式1
【化1】
(もっと読む)


1 - 8 / 8