説明

国際特許分類[C08F16/14]の内容

国際特許分類[C08F16/14]の下位に属する分類

国際特許分類[C08F16/14]に分類される特許

1 - 10 / 16


【課題】ネガ型パターンを形成できるレジストパターン形成方法、及びこれに用いることができ、保存安定性に優れたレジスト組成物の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と、露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分と、酸供給成分と、フッ素原子及びケイ素原子から選ばれる少なくとも1種を含み、かつ、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含まない化合物(F)とを含有するレジスト組成物を、支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程(1)と、前記レジスト膜を露光する工程(2)と、前記工程(2)の後にベークを行う工程(3)と、前記レジスト膜をアルカリ現像し、前記レジスト膜の未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程(4)とを含むレジストパターン形成方法、及び前記工程(1)で用いる前記レジスト組成物。 (もっと読む)


【課題】酸不安定性基を有しポジ型レジストとして機能する樹脂、酸発生剤および溶剤などからなるレジスト組成物において、解像度に優れ、焦点深度余裕(DOF)が広く、ラインエッジラフネス(LER)が小さく、さらには感度が高いことから優れたパターン形状を形成できるたレジスト組成物を調製するための光酸発生剤およびそれを調製するための重合性単量体を提供する。
【解決手段】下記一般式(1)で表わされる含フッ素不飽和カルボン酸オニウム塩。
【化】


(式中、Rは、重合性二重結合含有基、Rは、フッ素原子または含フッ素アルキル基、Wは、二価の有機基、Qは、スルホニウムカチオン、またはヨードニウムカチオンを示す。) (もっと読む)


【課題】変形率が高く、かつ、方向性のある変形が可能な刺激応答性化合物、刺激応答性化合物重合体およびそれを用いたアクチュエータを提供すること、また、刺激応答性化合物の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の刺激応答性化合物は、ビチオフェンと、前記ビチオフェンのα位に結合した2つの1,3−ベンゾジチオーリル基と、前記ビチオフェンのβ位に結合した2つの液晶性を有する液晶性官能基とを有し、液晶性官能基は、重合性官能基を有していることを特徴とする。重合性官能基は、ビニル基またはアクリル基であるのが好ましい。液晶性官能基は、複数の環構造を有しているのが好ましい。 (もっと読む)


【課題】接着力、凝集力に優れるビニルエーテル共重合体およびこれを用いた粘着剤組成物を提供することであり、特に、皮膚刺激性が低く安全性の高いビニルエーテル共重合体およびこれを用いた医療用粘着剤組成物を提供する。
【解決手段】特定の構造を有するビニルエーテル共重合体は、接着力、凝集力に優れており、かつ皮膚刺激性が低いため粘着剤用途に好適である。 (もっと読む)


【課題】酸塩型基を有する含フッ素ポリマーに水系の分散体中で限外濾過処理及びイオン交換処理を行うことにより、効率良く高純度の含フッ素ポリマー分散体を製造する技術を提供する。
【解決手段】
含フッ素ポリマー分散体の製造方法であって、含フッ素ポリマーを含む未精製水系分散体に限外濾過を行う工程(A)と、上記工程(A)の後にカチオン交換処理を行う工程(B)を含み、上記含フッ素ポリマーは、−SO3X、−SONR及び/又は−COOX(Xは、M1/L又はNRを表す。Mは、水素原子又はL価の金属を表し、前記L価の金属は、周期表の1族、2族、4族、8族、11族、12族、13族に属する金属である。Rはそれぞれ独立に、水素原子若しくは炭素数1〜4のアルキル基を表す。)を有する含フッ素ポリマー分散体製造方法。 (もっと読む)


【課題】潤滑油成分として好適に用いられる重合体を提供すること。
【解決手段】重合体が、ビニルエ−テル化合物の重合体又は共重合体であって、重合体の重量平均分子量が300〜50000であり、かつ、分子量分布のピ−ク強度の最大値に該当する分子量の3倍以上の分子量を有する重合体の含有量が全重合体の1重量%以下である重合体。 (もっと読む)


【解決手段】(A)ベース樹脂、(B)酸発生剤、(C)塩基性化合物を含有するレジスト膜が成膜されたフォトマスクブランクであって、レジスト膜が、更に、(D)水酸基を有するフッ素置換炭化水素基であって、水酸基が結合する炭素原子に結合する隣接炭素原子に、該隣接炭素原子全体で2以上のフッ素原子が結合した第1のフッ素置換炭化水素基を有する側鎖を備える第1の繰り返し単位を含む高分子化合物を含有するフォトマスクブランク。
【効果】(D)成分の高分子化合物が添加されたレジスト膜により、レジストパターン形成時、現像プロセスにおいてレジスト膜全体に均一な現像が行なわれることで、現像後、線幅の面内均一性の高いレジストパターンを形成することができ、特に(D)成分の高分子化合物が添加されたレジスト膜を設けたフォトマスクブランクから、このレジスト膜のレジストパターンを用いて、面内精度の高いフォトマスクを得ることができる。 (もっと読む)


【課題】分散剤、セメント混和剤、および、セメント組成物に好適に使用できる分子量分布が制御された重合体の製造方法、ならびに、該製造方法により得られた重合体を使用する分散剤、セメント混和剤、および、セメント組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、ルテニウムを中心金属に有する金属錯体(A)と、α−ハロゲノカルボニル化合物および/またはα−ハロゲノカルボン酸エステル(B)とを含有する重合開始剤系の存在下に、ポリオキシアルキレン鎖を有する不飽和単量体(I−M)を含む不飽和単量体(M)を重合させることを特徴とする。得られる重合体は、分子量分布が狭く、セメントを凝集させる高分子量部分およびセメント分散性能に寄与しない低分子量部分が少なくなっており、セメント分散性能に寄与する分子量部分が多くなっていることからセメント分散性能が向上する。 (もっと読む)


【課題】リビングカチオン重合及びリビングラジカル重合がそれぞれ可能である新規な重合開始剤、前記重合開始剤を用いた新規な重合体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】式(1)で表される化合物であることを特徴とする重合開始剤、前記重合開始剤を用いた新規な重合体及びその製造方法。なお、式(1)において、X1は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、トリフルオロアセトキシ基又はアセトキシ基を表し、X2は塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表し、R2は炭素数1〜4のアルキル基又はフェニル基を表し、mは1〜5の整数であり、nは1〜5の整数であり、(m+n)は2〜6の整数を表す。
(もっと読む)


以下の構造式(1)、(2)、(3)、および(4)[式中、nは0または1であり、mは1、2、3、4、5、または6であり;oは1から200の自然数であり;かつAは−(H2C−CHR1−O)−、または(R1HC−CH2−O)−(式中、R1は相互に独立して水素、または1の有機基である)の基である]を有するポリエーテルオールから構成される群から選択されている少なくとも1の不飽和ポリエーテルオールの存在下で行う重合により、超吸収体を製造する。
(もっと読む)


1 - 10 / 16