国際特許分類[C08F20/24]の内容
化学;冶金 (1,075,549) | 有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物 (224,083) | 炭素−炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物 (38,630) | ただ1つの炭素−炭素二重結合を含有する1個以上の不飽和脂肪族基をもち,そのうちただ1つの脂肪族基がただ1つのカルボキシル基によって停止されている化合物,その塩,無水物,エステル,アミド,イミドまたはそのニトリルの単独重合体または共重合体 (3,487) | 9個以下の炭素原子をもつモノカルボン酸;その誘導体 (3,067) | エステル (2,452) | ハロゲンを含有するエステル (152) | パーハロアルキル基を含有するもの (54)
国際特許分類[C08F20/24]に分類される特許
1 - 10 / 54
含フッ素組成物および表面処理剤
【課題】炭素数6以下のパーフルオロアルキル基であっても撥水撥油剤、防汚剤または離型剤として要求される充分な性能を与える、含フッ素単量体として使用される含フッ素化合物を提供する。
【解決手段】(a)式:CH2=C(-X)-C(=O)-Y-Z-W-Rf
[式中、Xは、水素原子、一価の有機基またはハロゲン原子であり、
Y は、-O- または -NH-であり、
Zは、直接結合または二価の有機基であり、
Rfは、炭素数1〜20のフルオロアルキル基であり、
Wは、-(CL1L2-CL3L4)a-、または-(CL5L6-CL7L8)a-である。
(L1〜L4の少なくとも1つは、塩素原子であり、
L1〜L4の残りの少なくとも1つは、水素原子であり、
L5〜L8の少なくとも1つは、炭素数1〜22の炭化水素基であり、
L5〜L8の残りの少なくとも1つは、フッ素原子であり、
aは、1〜50の整数である。)]
で示される含フッ素単量体から誘導された繰り返し単位
を有してなる含フッ素重合体を含んでなる含フッ素組成物。
(もっと読む)
含フッ素組成物および含フッ素重合体
【課題】表面処理剤として要求される性能、例えば、撥水撥油性、防汚性、離型性、基材に対する密着性、防蝕性、風合い、耐水性、耐油性、これら性能の耐久性を有する含フッ素組成物を提供する。
【解決手段】 (a)式:
CH2=C(-X)-C(=O)-Y-Z-A-(CF2-CH2)a-Rf
[式中、Xは、水素原子、一価の有機基またはハロゲン原子であり、
Y は、-O- または -NH-であり、
Zは、直接結合または二価の有機基であり、
Rfは、炭素数1〜20のフルオロアルキル基であり、
Aは、直鎖(炭素数は3以上の奇数である。)または分岐鎖(炭素数は3以上の整数である。)のアルキレン基であり、
aは、1〜50の整数である。]
で示される含フッ素単量体から誘導された繰り返し単位
を有してなる含フッ素重合体を含んでなる含フッ素組成物。
(もっと読む)
レジスト組成物及び塩
【課題】優れた露光マージンでレジストパターンを製造するレジスト組成物、及び当該レジスト組成物に含有される新規な塩を提供する。
【解決手段】式(I)で表される塩、及び当該塩と、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂とを含有するレジスト組成物の提供。
[式(I)中、
Q1及びQ2は、フッ素原子などを表す。
X1及びX2は、単結合又は脂肪族飽和炭化水素基などを表す。A1は、炭素数1〜30の有機基を表す。
Z+は、有機カチオンを表す。]
(もっと読む)
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
【課題】優れたラインエッジラフネス(LER)で、欠陥の発生数も少ないレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式(I)で表される構造単位を有する樹脂、式(II)で表される化合物に由来する構造単位を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂(但し、式(I)で表される構造単位を含まない)及び酸発生剤を含有するレジスト組成物。
[式中、A21は2価の連結基;環X21は複素環;R22は、ハロゲン原子、水酸基、炭化水素基、アルコキシ基等;mは、0〜10の整数を表す。]
(もっと読む)
ArF液浸露光用化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
【解決手段】(A)3,3,3−トリフルオロ−2−ヒドロキシ−2−トリフルオロメチルプロピオン酸スルホニウム塩、(B)式(1−2)で示される酸発生剤、
(式中、R4はヘテロ原子を含んでもよい炭素数1〜30のアルキル基、アルケニル基又はアラルキル基を表す。R5は水素原子又はトリフルオロメチル基を表す。Ar’はヘテロ原子を含んでもよい非置換又は置換の炭素数6〜20のアリール基を示す。)(C)酸不安定基で保護された酸性官能基を有するアルカリ現像液不溶又は難溶の樹脂であって、該酸不安定基が脱保護されたときにアルカリ現像液可溶となるベース樹脂、(D)有機溶剤を必須成分として含有するArF液浸露光用化学増幅ポジ型レジスト材料。
【効果】疎水性が高く、液浸水への溶出が低く、酸拡散を制御できるため、高解像性のパターンプロファイルを構築できる。
(もっと読む)
化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
【課題】優れたマスクエラーファクターを有するレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式(I)で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこの樹脂を含むレジスト組成物。
[式中、R1は、水素原子又はメチル基;rは1又は2;A1は、式(a−g1)で表される基;sは0〜2の整数;A10は脂肪族炭化水素基;A11は、単結合又は脂肪族炭化水素基;X10は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基又はオキシカルボニルオキシ基、但し、A11が単結合の時、s=1かつX10は酸素原子である;R2は、酸に不安定な基を表す。]
(もっと読む)
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
【課題】優れたフォーカスマージンで、欠陥が少ないレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】(A1)式(I)で表される構造単位を有する樹脂、(A2)アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂、(B)酸発生剤及び(D)式(IA)で表されるアニオンを有する塩を含有するレジスト組成物。
[式中、R1は、水素原子又はメチル基;A1は、−(CH2)m1−、−(CH2)m2−O−(CH2)m3−又は−(CH2)m4−CO−O−(CH2)m5−、m1〜m5はそれぞれ1〜6の整数;R2は、フッ素原子を有する炭化水素基。]
(もっと読む)
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
【課題】レジストパターン製造時のフォーカスマージン(DOF)が良好であり、レジストパターンを形成した場合に欠陥の発生数を低減することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式(I)で表される構造単位を有する樹脂、式(II)で表される構造単位を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂及び酸発生剤を含有するレジスト組成物。
[式中、R2はフッ素原子を有する炭化水素基を表す。]
(もっと読む)
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
【課題】優れたマスクエラーファクターを有し、かつ欠陥の発生が少ないレジストパターンを得ることができるレジスト組成物の提供。
【解決手段】式(I)で表される構造単位を有する樹脂、(A2)アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂、酸発生剤、式(II)で表される化合物及び溶剤を含有するレジスト組成物。
[式中、R1は水素原子又はメチル基;A1は、−(CH2)m1−、−(CH2)m2−O−(CH2)m3−又は−(CH2)m4−CO−O−(CH2)m5−;m1〜m5は、それぞれ独立に、1〜6の整数;R2はフッ素原子を有する炭化水素基;環W1は飽和複素環を表す。]
(もっと読む)
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
【課題】優れた解像度及びラインエッジラフネス(LER)を有し、且つ欠陥が少ないレジストパターンを得ることができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】(A1)式(I)で表される構造単位を有する樹脂、(A2)アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂及び(B)酸に不安定な基を有する酸発生剤を含有するレジスト組成物。
[式(I)中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。A1は、炭素数1〜6のアルカンジイル基を表す。R2は、フッ素原子を有する炭素数1〜10の炭化水素基を表す。]
(もっと読む)
1 - 10 / 54
[ Back to top ]