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国際特許分類[C08F20/26]の内容

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【課題】ディフェクトの発生を低減することができ、且つ保存安定性に優れたレジスト組成物、及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)と、末端にフッ素化アルキルエステル基を有するフッ素含有有機基を側鎖に有する化合物成分(F)とを含有することを特徴とするレジスト組成物。 (もっと読む)


【課題】優れたCD均一性で、レジストパターンを製造することができ、得られたレジストパターンの欠陥の発生数も少ないレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式(I)で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂(但し、式(I)で表される構造単位を含まない)、式(II)で表される酸発生剤を含有するレジスト組成物。
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【課題】欠陥の発生数が少なく、優れたラインエッジラフネス(LER)を有するレジストパターンを得ることができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式(aa)で表される構造単位を有する樹脂、酸発生剤及び環状ケトン溶剤を含有するレジスト組成物。


[式中、Raa1は、水素原子又はメチル基;Raa2は、置換基を有していてもよい炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基;Aaa1は、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルカンジイル基又は式(a−1)で表される基を表す。] (もっと読む)


【課題】レジストパターン形成時の露光マージン(EL)に優れ、欠陥の発生数が少ないレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式(I)で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂(但し、式(I)で表される構造単位を含まない)及び式(II)で表される酸発生剤を含有するレジスト組成物。


[式中、A14は、脂肪族炭化水素基を表す。] (もっと読む)


【課題】有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高いパターン形成方法を提供する。
【解決手段】単糖類のヒドロキシ基の1つがメタクリルエステルとして結合し、残りのヒドロキシ基が酸不安定基で置換された(メタ)アクリレートの繰り返し単位を含む高分子化合物と酸発生剤を含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。 (もっと読む)


【課題】レジスト膜の面方向における断面形状に関して整形性が良好な(変形度が低い)コンタクトホールを形成できるパターン形成方法、並びに、これを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】(1)基板上に、(A)化学増幅型レジスト組成物によって、レジスト膜を形成する工程、(2)露光して、ラインアンドスペースの潜像を形成する工程、(3)第1の加熱処理を行う工程、(4)第2のラインアンドスペースの潜像を、前記第1のラインアンドスペースの潜像におけるライン方向と交差するように形成する工程、(5)第2の加熱処理を行う工程、及び、(6)前記第2の加熱処理が行われたレジスト膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像を行う工程を、この順で有するパターン形成方法、並びに、このパターン形成方法を用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。 (もっと読む)


【課題】高い耐刷性を有し、且つ耐網絡み性の良好なネガ型感光性平版印刷版を与える。
【解決手段】支持体上に、側鎖に重合性二重結合基を有する繰り返し単位と側鎖にシラノール基を有する繰り返し単位を有する重合体、および光重合開始剤を含有する感光層を有するネガ型感光性平版印刷版。 (もっと読む)


【課題】レジストパターンの製造時のフォーカスマージン(DOF)が良好であり、あるいはマスクエラーファクター(MEF)に優れ、欠陥の発生数が少ないレジストパターンを製造できるレジスト組成物などを提供する。
【解決手段】式(a)で表される化合物に由来する構造単位を有する樹脂、酸発生剤及び溶剤を含有するレジスト組成物。


[式(a)中、Rは、水素原子又はメチル基;Aは、置換基を有していてもよいアルカンジイル基又は式(a−g1);sは0又は1;A10及びA12は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基;A11は、置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基又は単結合;X10及びX11は、それぞれ独立に、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基;ただし、A10、A11、A12、X10及びX11の合計炭素数は6以下;Rは置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基を表す。] (もっと読む)


【課題】ポジ型レジスト組成物の基材成分として利用できる新規な高分子化合物、該高分子化合物用のモノマーとして有用な化合物、前記高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物、ならびに該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】下記一般式(I)で表される化合物。下記一般式(a0−1)で表される構成単位(a0)を有する高分子化合物。
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【課題】良好なラインエッジラフネスを有するレジストパターンを得ることができるポジ型レジスト組成物等を提供することを目的とする。
【解決手段】酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂と、酸発生剤と、式(I)で表される化合物とを含むポジ型レジスト組成物。


[式中、Rは、ヒドロキシ基、アルキル基、脂環式炭化水素基又は芳香族炭化水素基、脂環式及び芳香族炭化水素基はヒドロキシ基又はアルキル基で置換されていてもよい;Xは、2価の飽和炭化水素基を表し、2価の飽和炭化水素基に含まれる−CH−は、−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい;Rは飽和炭化水素基;u1は0〜2の整数、s1は1又は2、t1は0又は1、但し、s1+t1は1又は2である。] (もっと読む)


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