国際特許分類[C08F20/26]の内容
化学;冶金 (1,075,549) | 有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物 (224,083) | 炭素−炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物 (38,630) | ただ1つの炭素−炭素二重結合を含有する1個以上の不飽和脂肪族基をもち,そのうちただ1つの脂肪族基がただ1つのカルボキシル基によって停止されている化合物,その塩,無水物,エステル,アミド,イミドまたはそのニトリルの単独重合体または共重合体 (3,487) | 9個以下の炭素原子をもつモノカルボン酸;その誘導体 (3,067) | エステル (2,452) | カルボキシ酸素以外に酸素を含有するエステル (813)
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アルコール残基中に芳香族環を含有しないもの (340)
アルコール残基中に芳香族環を含有するもの (206)
エポキシ基を含有するもの (20)
国際特許分類[C08F20/26]に分類される特許
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レジストパターン形成方法、及びネガ型現像用レジスト組成物
【課題】ネガ型現像プロセスにおいて、エッチング耐性に優れたレジストパターンを形成できるレジストパターン形成方法、及び該レジストパターン形成方法に用いられるネガ型現像用レジスト組成物の提供。
【解決手段】酸の作用により有機溶剤に対する溶解性が減少する基材成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とを含有するレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、レジスト膜を露光する工程、及びレジスト膜を、有機溶剤を含有する現像液を用いたネガ型現像によりパターニングしてレジストパターンを形成する工程、を含むレジストパターン形成方法であって、基材成分(A)として、アクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位(a1)を有する樹脂成分(A1)を用い、酸発生剤成分(B)が、環構造をアニオン部に有する酸発生剤(B1)を含有する。
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レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
【課題】レジストパターン製造時のフォーカスマージンが良好であり、欠陥の発生が少ないレジストパターンを得ることができるレジスト組成物の提供。
【解決手段】式(I)で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂、酸発生剤及び式(IA)で表されるアニオンを有する塩を含有するレジスト組成物。
[式中、R1は水素原子又はメチル基;A1はアルカンジイル基;R2はフッ素原子を有する炭化水素基;R1A及びR2Aは、それぞれ、水素原子、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基又はアラルキル基を表し、これら基は置換基を有していてもよく、あるいはR1A及びR2Aは互いに結合してNとともに環を形成してもよい。]
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レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
【課題】優れた解像度及びラインエッジラフネス(LER)を有し、且つ欠陥が少ないレジストパターンを得ることができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】(A1)式(I)で表される構造単位を有する樹脂、(A2)アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂及び(B)酸に不安定な基を有する酸発生剤を含有するレジスト組成物。
[式(I)中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。A1は、炭素数1〜6のアルカンジイル基を表す。R2は、フッ素原子を有する炭素数1〜10の炭化水素基を表す。]
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レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
【課題】CD均一性が良好で、かつ欠陥が少ないレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】(A1)式(I)で表される構造単位を有する樹脂、(A2)式(II)で表される構造単位を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂、(B)酸発生剤及び(E)溶剤を含有するレジスト組成物。
[式中、R2は、フッ素原子を有する炭化水素基;環T1は、置換基を有していてもよい炭素数3〜34のスルトン環を表す。]
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レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
【課題】優れたフォーカスマージン(DOF)でレジストパターンを製造することができるとともに、得られたレジストパターンの欠陥が少なく、良好な形状が得ることができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】(A1)式(I)で表される構造単位を有する樹脂、(A2)式(II)で表される構造単位を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂、(B)酸発生剤及び(E)溶剤を含有するレジスト組成物。
[式中、R2はフッ素原子を有する炭化水素基;環X1は置換されていてもよい複素環を表す。]
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レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
【課題】優れたラインエッジラフネス(LER)を有するレジストパターンを得ることができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式(aa)で表される構造単位を有する樹脂、酸発生剤及び環状ケトン溶剤を含有するレジスト組成物。
[式中、Raa1は、水素原子又はメチル基;Raa2は、置換基を有していてもよい炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい;Aaa1は、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルカンジイル基又は式(a−1)で表される基を表す。]
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含窒素単量体、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
【課題】高解像性を有し、プロセス適応性に優れ、露光後のパターン形状が良好で、ラインエッジラフネスが小いポジ型レジスト材料を提供する。
【解決手段】一般式(1)で示される単量体。
(R1はH、F、CH3又はCF3、R2はH又は一価又は二価の炭化水素基、R3は特定の酸不安定基、A1は二価の炭化水素基、A2は二価又は三価の炭化水素基、A2とR2は互いに結合して隣接する窒素原子と共に環を形成してもよい。k1は0又は1。)
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レジスト材料及びパターン形成方法
【解決手段】(A)側鎖に、特定の構造のフッ素化部分構造を有する高分子化合物、(B)ベース樹脂として、ラクトン環由来の骨格及び/又は水酸基を有する骨格及び/又は無水マレイン酸由来の骨格を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる高分子化合物、(C)高エネルギー線の露光により酸を発生する化合物、及び(D)有機溶剤を含有するレジスト材料。
【効果】本発明のレジスト材料を用いて形成したフォトレジスト膜は、水に対する良好なバリアー性能を有するため、フォトレジスト材料の水への溶出を抑制することができ、このため、溶出物によるパターン形状変化を低減することができる。
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感光性樹脂組成物、硬化膜の形成方法、硬化膜、有機EL表示装置、及び、液晶表示装置
【課題】電気容量を小さくできる層間絶縁膜を形成可能な感光性樹脂組成物を提供すること。また、前記感光性樹脂組成物を用いた硬化膜の形成方法、前記形成方法により形成された硬化膜、及び、前記硬化膜を含む有機EL表示装置及び液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】(成分A)式(a1)〜式(a4)で表される構成単位を少なくとも有する共重合体、(成分B)式(B)で表されるオキシムスルホネート化合物、(成分C)塩基性含窒素環状化合物、及び、(成分D)溶剤を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物、前記感光性樹脂組成物を用いた硬化膜の形成方法、前記形成方法により形成された硬化膜、並びに、前記硬化膜を含む有機EL表示装置及び液晶表示装置。
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感光性材料、感光性材料前駆体及び感光性材料の製造方法
【課題】材料中に屈折率変調構造を形成させる光学製品として、特にホログラム記録媒体として好適に使用することが可能な、感光時の体積収縮が小さく、透明性に優れた感光性材料を提供する。
【解決手段】環状オリゴ糖誘導体を構成単位として含むポリマーマトリックス、ラジカル重合性モノマー及び光ラジカル重合開始剤を具える感光性材料。
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