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国際特許分類[C08F20/26]の内容

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【課題】ネガティブトーン現像プロセスによってフォトリソグラフィパターンを形成するのに有用なフォトレジスト組成物、フォトリソグラフィパターンを形成する方法、並びにフォトレジスト組成物でコーティングされた基体を提供する。
【解決手段】フォトレジスト組成物、およびネガティブトーン現像プロセスを用いて微細パターンの形成を可能にするフォトリソグラフィ方法に関し、このフォトレジスト組成物は一部分が特定のアセタール部分を含むモノマーから形成されるコポリマーを含む。本発明の好ましい組成物および方法は、フォトリソグラフィ処理における厚さ損失の低減およびパターン崩壊マージンの向上をもたらす。この組成物、方法およびコーティングされた基体については、半導体デバイスの製造における特別な適用性が見いだされた。 (もっと読む)


【課題】電極間の電気的な接続に用いられた場合に、導通信頼性を高めることができる異方性導電材料及びBステージ状硬化物、並びに該異方性導電材料又はBステージ状硬化物を用いた接続構造体を提供する。
【解決手段】異方性導電材料及びBステージ状硬化物を構成する異方性導電材料はそれぞれ、少なくとも3種の硬化性化合物と、導電性粒子とを含有する。上記硬化性化合物は、エポキシ基又はチイラン基と(メタ)アクリロイル基とを有する光及び熱硬化性化合物と、エポキシ基又はチイラン基を有し、かつ(メタ)アクリロイル基を有さない熱硬化性化合物と、エポキシ基及びチイラン基を有さず、かつ(メタ)アクリロイル基を有する光硬化性化合物とを含む。上記光及び熱硬化性化合物の重量平均分子量は10万未満である。異方性導電材料の硬化を進行させたBステージ状硬化物は、海島構造を有する。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的はラインアンドスペースパターンでのLWRに加え、パターン矩形性を改良し、またコンタクトホールパターンでの円形性や狭ピッチでの真円性保持能力が改良され、線幅45nm以下の液浸プロセスに適合した感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することである。
【解決手段】[A]下記式(1)で表される構造単位(I)を有する重合体、及び[B]下記式(2)で表される化合物を含む酸発生体を含有する感放射線性樹脂組成物。
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【課題】半導体装置製造のリソグラフィープロセスにおいてフォトレジストの下層で使用され、フォトレジストに比べて大きなドライエッチング速度を有し、フォトレジストとのインターミキシングを起こさず、アスペクト比が大きいホールを有する半導体基板の表面を平坦化できる下層膜、及び該下層膜を形成するための下層膜形成組成物を提供すること。
【解決手段】フォトレジストの下層に使用される下層膜を光照射によって形成するための組成物であって、重合性物質及び光重合開始剤を含み、該重合性物質がラジカル重合可能なエチレン性不飽和結合を少なくとも一つ有する重合性化合物であり、そして該光重合開始剤が光ラジカル重合開始剤である、下層膜形成組成物。 (もっと読む)


【課題】一の層で、防汚機能、低屈折率、高屈折率を有する層を備えた積層体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】積層体1は、透明な基材10と;基材10上側に、入射する光を屈折させる屈折層11を備える。屈折層11は、少なくとも、フルオロシルセスキオキサンおよびフルオロシルセスキオキサン重合体からなる群から選ばれる1種以上のフッ素化合物(ss)と、前記フッ素化合物(ss)よりも高い屈折率を有する樹脂(pl)を含む。屈折層11内のフッ素化合物(ss)の濃度は、基材10側(裏面s2側)とその反対側(表面s1側)では反対側(表面s1側)が高く、屈折層11は、層内に低屈折率と高屈折率の傾斜構造層を形成する。 (もっと読む)


【課題】長期間の保存においても、液中パーティクルの発生が抑制され、また、優れた放射線感度、露光時の高い後退接触角等特性の経時変動が小さい、保存安定性に優れる感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】本発明は、[A]塩基解離性基を含む構造単位(f)を有する含フッ素重合体を含有し、分子量1,000以下の[A]含フッ素重合体の含有量が0.02質量%以下である感放射線性樹脂組成物である。上記構造単位(f)の塩基解離性基がフッ素原子を有することが好ましく、上記塩基解離性基がフッ素原子を有する芳香族炭化水素基であることがさらに好ましい。 (もっと読む)


【課題】 洗浄時に優れた再汚染防止能を発揮することができ、界面活性剤との相溶性にも優れたアリルエーテル系重合体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 特定の構造を有する(i)アリルエーテル系単量体(A)に由来する構造単位(a)と、(ii)カルボキシル基含有単量体(B)に由来する構造単位(b)と、(iii)重亜硫酸(塩)(C−1)、過酸化水素(C−2)、次亜リン酸(塩)(C−3)から選ばれる化合物(C)に由来する構造(c)、とを所定の範囲で含む、アリルエーテル系重合体である。 (もっと読む)


【課題】硬化温度が200℃未満である場合においても、耐薬品性に優れた塗膜を形成することができる硬化性樹脂組成物。
【解決手段】下記(A)、(B)、(C)、(D)及び(E)を含み、(B)の含有量が、(A)の含有量100質量部に対して1質量部以上100質量部以下である硬化性樹脂組成物。
(A)不飽和カルボン酸及び不飽和カルボン酸無水物からなる群から選ばれる少なくとも1種に由来する構造単位と、不飽和脂環式炭化水素をエポキシ化した構造及び炭素−炭素不飽和二重結合を有する単量体に由来する構造単位とを含み、酸価が30mg−KOH/g以上180mg−KOH/g以下である共重合体
(B)酸価が30mg−KOH/g未満であるエポキシ樹脂
(C)アクリロイル基及びメタクリロイル基からなる群から選ばれる少なくとも1種の基を2以上有する化合物
(D)熱酸発生剤
(E)溶剤 (もっと読む)


【課題】ドライ露光、液浸露光やダブルパターンニングプロセスで行われる微細加工に適するレジスト用重合性単量体およびそれら重合体の提供それらを使ったレジスト材料およびパターン形成方法を提供する。
【解決手段】一般式(6)、一般式(7)または一般式(8)のいずれかで表される繰り返し単位を含む重合性単量体。


(Rは水素原子、ハロゲン原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を表し、Rはメチル基、エチル基またはイソプロピル基を表し、Aは、それが結合している炭素原子と一緒になってカルボニル基(C=O)または、当該カルボニル基が保護基によって保護されたアセタール構造をとる。) (もっと読む)


【課題】CD均一性(CDU)に優れ、欠陥の発生数が少ないレジストパターンを製造可能なレジスト組成物用の樹脂を提供する。
【解決手段】式(I−1)で表される化合物に由来する構造単位を含む樹脂。[式(I−1)中、Rは、炭素数1〜6のフッ化アルキル基を表す。Rは、水素原子又は炭素数1〜6のフッ化アルキル基を表す。Bは、炭素数4〜18のラクトン環を含み、オキシ基との間の結合〔O−B〕が酸の作用により切断されない基を表す。Rは、水素原子又はメチル基を表す。Aは、炭素数1〜10の2価の炭化水素基を表し、該炭化水素基にメチレン基が含まれる場合、そのメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。]
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