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国際特許分類[C08F20/26]の内容

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【課題】ディフェクトの発生が抑制されたポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)と、一般式(c−1)[式中、Rは有機基であって重合性基を含んでいてもよく、Xは酸解離性部位を有する二価の有機基であり、Rはフッ素原子を有する有機基である。]で表される含フッ素化合物成分(C)とを含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
[化1]
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【課題】 六価クロムが含まれる廃液について、薬剤の使用が少なく簡易な廃液処理工程で、かつ、廃棄物が極力排出されないような処理方法を提供する。
【解決手段】 六価クロムを吸着し三価クロムに還元した後に脱着することができる、分子内にポリエーテル鎖を有する吸水ゲルを六価クロム含有水溶液に混合する。これにより六価クロム含有廃液の簡易な廃液処理が可能となった。 (もっと読む)


【課題】高い光学特性と耐熱性を有しながら大きな固有複屈折を有するフィルムおよびそのフィルムを延伸してなる位相差フィルムを提供する。
【解決手段】主鎖に環構造を有するアクリル樹脂からなり、ガラス転移温度が120℃以上であり、応力光学係数が1.0×10−9(1/Pa)以上であるフィルム、および、そのフィルムを延伸してなる位相差フィルムである。 (もっと読む)


【課題】高度なラジカル硬化性と酸素硬化性とを併せ持ち、硬化速度、内部硬化性、表面硬化性、薄膜硬化性に優れた新規な架橋性化合物、及び該架橋性化合物を含んでなる硬化性組成物、その硬化方法を提供する。また、該硬化方法により得られる、密着性、機械物性に優れた硬化物を提供する。
【解決手段】下記式(1)で表される官能基を同一分子内に2個以上有することを特徴とする架橋性化合物。
〔化1〕
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【課題】エポキシ樹脂に混合した際に硬化剤として優れた潜在性を発現するエポキシ樹脂用硬化剤を提供する。
【解決手段】カルボキシル基を有するモノビニル単量体(a1)単位1〜99.9質量%、多官能性単量体(a2)単位0.1〜99質量%及びその他の単量体(a3)単位0〜30質量%(但し、(a1)〜(a3)単位の合計が100質量%)からなる重合体(A)と、イミダゾール化合物(B)との反応生成物であるエポキシ樹脂用硬化剤。 (もっと読む)


【課題】 感度、解像度が優れているだけでなく、焦点深度が広く、高反射率基板上でもパターン剥がれ耐性に優れる感放射線性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】(A)グリセロールモノメタクリレート等の複数のヒドロキシル基を有する化合物由来の繰り返し単位を有する重合体および(D)溶剤を含有することを特徴とする、化学増幅型レジスト用感放射線性樹脂組成物を提供する。 (もっと読む)


【課題】KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー等の(極)遠紫外線等に有効に感応し、ナノエッジラフネス、感度及び解像度に優れ、微細パターンを高精度に且つ安定して形成可能なネガ型レジスト膜を成膜することができる感放射線性樹脂組成物。
【解決手段】(A)オキセタニル基及びエポキシ基のうちの少なくとも一方と、カルボキシル基及びフェノール性水酸基のうちの少なくとも一方と、を側鎖に含む重合体と、(B)下記一般式(b1)又は(b2)で表される化合物と、を含有する。
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【課題】優れた特性のレジストパターンを形成することができるフォトレジスト組成物とともに、このようなフォトレジスト組成物を提供する化合物及び樹脂並びにレジストパターン製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】式(VII)で表される化合物。


[式中、R0はH又はメチル基;X21及びX22は、2価飽和炭化水素基を表し、該基に含まれるメチレン基は、O又は−CO−で置換されていてもよいが、X21及びX22に含まれるメチレン基の少なくとも1つは−CO−で置換されている;R21及びR22は、−C(R1R)(R2R)(R3R)基、置換基を有していてもよい脂環式又は芳香族炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基中のメチレン基は、O、−CO−、S又は−SO−で置換されていてもよい;R1R、R2R及びR3Rは、アルキル基を表す。] (もっと読む)


【課題】アブレーション速度に優れ、薄膜でありかつ容易に剥離できるレジスト被膜を用いたレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板の上にレジスト被膜を形成する工程と、前記レジスト被膜にレーザー光線を照射してレーザーアブレーションにより前記レジスト被膜の所定部分を除去する工程を含むレジストパターン形成方法であって、前記レジスト被膜を、アルカリ可溶性基がアルキルビニルエーテルを用いてブロックされているモノマー単位を有するビニル系重合体(A)、及び、ニグロシン(B)を含有するレジスト組成物から形成することを特徴とするレジストパターン形成方法。 (もっと読む)


【課題】ICなど半導体の製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらには、その他フォトファブリケーションにおけるリソグラフィー工程に使用されるレジスト組成物に有用な、新規な高分子化合物及び該高分子化合物の合成に用いられる新規な重合性化合物を提供すること。
【解決手段】特定の構造式で表されるラクトン構造を有する重合性化合物、及び、該重合性化合物を重合することによって得られる高分子化合物。 (もっと読む)


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