説明

国際特許分類[C08F220/10]の内容

国際特許分類[C08F220/10]の下位に属する分類

国際特許分類[C08F220/10]に分類される特許

1 - 10 / 579


【課題】光学等方性、機械的強度及び高温下における寸法安定性に優れる光学フィルム、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】メタクリル酸単量体及びメタクリル酸エステル類から選ばれる第一の単量体から形成される第一の構造単位50〜95質量%、特定のN−置換マレイミド化合物から選ばれる第二の単量体から形成される第二の構造単位0.1〜20質量%及び第二の単量体とは異なる、特定のN−置換マレイミド化合物から選ばれる第三の単量体から形成される第三の構造単位0.1〜49.9質量%を有するアクリル系熱可塑性樹脂を主成分として含み、120℃で30分間加熱した時の熱収縮率の絶対値が、MD方向及びTD方向のいずれも1.5%以下であり、耐折回数が、MD方向及びTD方向のいずれも5回以上であり、面内方向の位相差の絶対値が20nm以下であり、厚さ方向の位相差の絶対値が20nm以下である光学フィルム。 (もっと読む)


【課題】貯蔵安定性、塗工性、作業性に優れ、作成される塗膜の耐水性、透明性、密着性に優れる、エマルジョンまたは重合体粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】オレフィン性不飽和結合を有する化合物を乳化剤の存在下に水溶媒中に分散させ、かつ3−メトキシ−3−メチル−1−ブタノールの存在下で乳化重合を行ってエマルジョンを製造する方法、またはオレフィン性不飽和結合を有する化合物を分散剤の存在下に水溶媒中に分散させ、かつ3−メトキシ−3−メチル−1−ブタノールの存在下で懸濁重合を行い、オレフィン性不飽和結合を有する化合物の重合体の粒子状生成物を製造する方法。 (もっと読む)


【解決手段】酸不安定基によりカルボキシル基が保護された構造を有する繰り返し単位(a1)とアミノ基、アミド結合、カルバメート結合、含窒素複素環から選ばれる構造を1つ以上含む繰り返し単位(a2)とを含有する高分子化合物[A]と、光酸発生剤[B]と、有機溶剤[C]とを共に含むレジスト組成物を基板に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させるネガ型パターン形成方法。
【効果】本発明の特定の構造の高分子化合物と光酸発生剤と有機溶剤を含むレジスト組成物を有機溶剤ネガ現像と組み合わせることで表面難溶層の形成を防ぎ、微細トレンチパターンやホールパターンの広い焦点深度を得ることが可能となる。 (もっと読む)


【課題】露光余裕度が大きく、かつラフネスが低減されたレジストパターンを形成できるレジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む下記構成単位(a10)と、−SO−含有環式基を含む構成単位と、アクリル酸エステルから誘導され極性基含有脂肪族炭化水素基を含む構成単位と、を有する樹脂成分(A1)、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するレジスト組成物。(式中、Rは一般式(a10−1)又は下記一般式(a10−2)で表される基であり、Xは酸素原子又はCHである)
(もっと読む)


【課題】高解像のパターンを良好な形状で形成でき、PEB温度のパターン寸法への影響も少ないレジスト組成物、該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)を含有するレジスト組成物であって、前記基材成分(A)が、下記一般式(a0−1)又は(a0−2)で表される基を含む構成単位(a0)と、酸の作用により極性が増大し且つ多環式基を含む酸分解性基を含む構成単位(a11)と、酸の作用により極性が増大し且つ単環式基を含む酸分解性基を含む構成単位(a12)と、を有する共重合体(A1)を含有するレジスト組成物。式中の基−R−S(R)(R)、Mm+はそれぞれ、全体で芳香環を1個のみ有するか又は芳香環を有さない。
[化1]
(もっと読む)


【課題】
感度、解像度及び密着性の全てを従来よりも十分に満足するレジストパターンを形成する感光性樹脂組成物及び感光性エレメント、並びにそれらを用いたレジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法を提供すること。
【解決手段】
上記目的を達成する本発明は、(A)特定のスチレン及びその誘導体から得られる2価の基10〜65質量部と、特定の(メタ)アクリル酸エステル及びその誘導体から得られる2価の基5〜55質量部と、(メタ)アクリル酸から得られる2価の基15〜50質量部とを有する100質量部のバインダーポリマー、(B)光重合性化合物、及び(C)光重合開始剤を含有する感光性樹脂組成物を提供する。 (もっと読む)


【課題】電子線あるいは極紫外線(EUV光)を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、かつパターン倒れ性能に優れ、更には、パターン下部に食い込みの生じない形状に優れたパターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】(A)酸分解性繰り返し単位を含有し、酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、(B)電子線又は極紫外線の照射により酸を発生し、かつ酸の作用により分解し有機溶剤に対する溶解度が減少する低分子化合物とを含有する感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程(1)、該膜を電子線又は極紫外線を用いて露光する工程(2)、及び、露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像して、ネガ型のパターンを形成する工程(4)をこの順番で有する、パターン形成方法、これに供される感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、これを用いて形成されたレジスト膜。また、上記パターン形成方法を用いた、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。 (もっと読む)


【課題】優れた耐熱性、摩擦摺動特性および吸収振動性を有する硬化物が得られるフェノール樹脂組成物を提供する。
【解決手段】アクリル酸エステル類モノマーとアルケニルフェノール類モノマーとの共重合体(I)およびフェノール樹脂(II)を含むフェノール樹脂組成物であって、共重合体(I)は下記要件(A)、(B)及び(C)を満たす、フェノール樹脂組成物。(A)前記アクリル酸エステル類モノマー/前記アルケニルフェノール類モノマーの重量比が95/5〜65/35である。(B)重量平均分子量が40000以上90000以下である。(C)ガラス転移温度が−10℃以下である。 (もっと読む)


【課題】電子線あるいは極紫外線(EUV光)を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、優れたパターン形状、高解像性(高い限界解像性など)、高ラインウィズスラフネス(LWR)性能を極めて高次元で同時に満足するパターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】(A)酸分解性繰り返し単位を含有し、酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、(B)電子線又は極紫外線の照射により酸を発生する化合物と、(C)フッ素原子、フッ素原子を有する基、珪素原子を有する基、炭素数が6以上のアルキル基、炭素数が6以上のシクロアルキル基、炭素数が9以上のアリール基、炭素数が10以上のアラルキル基、少なくとも1個の炭素数3以上のアルキル基で置換された芳香環基、及び、少なくとも1個の炭素数5以上のシクロアルキル基で置換された芳香環基からなる群より選択される1つ以上の基を有する樹脂と、(D)溶剤とを含有する感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程(1)、該膜を電子線又は極紫外線を用いて露光する工程(2)、及び、露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像して、ネガ型のパターンを形成する工程(4)をこの順番で有するパターン形成方法、これに供される感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、これを用いて形成されたレジスト膜。また、上記パターン形成方法を用いた、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。 (もっと読む)


【課題】水と接触した場合であっても基材から離脱しがたく、優れた防曇性を有する被膜を基材表面上で形成しうる二液型防曇剤、および水と接触した場合であっても基材から離脱しがたく、優れた防曇性を有する被膜を有する防曇性基材を提供すること。
【解決手段】ケイ素原子含有モノマーと窒素原子含有モノマーを含有するモノマー成分を重合させてなる(メタ)アクリル系ポリマーを含有するI液と、アルコキシシリル基を有する(メタ)アクリル系ポリマーを含有してなるII液とを含むことを特徴とする二液型防曇剤、および前記二液型防曇剤からなる被膜が基材表面上に形成されてなる防曇性基材であって、基材上にI液からなる被膜が形成され、当該I液からなる被膜上にII液からなる被膜が形成されていることを特徴とする防曇性基材。 (もっと読む)


1 - 10 / 579