国際特許分類[C08F220/26]の内容
化学;冶金 (1,075,549) | 有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物 (224,083) | 炭素−炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物 (38,630) | ただ1つの炭素―炭素二重結合を含有する1個以上の不飽和脂肪族基をもち,そのうちのただ1つの脂肪族基がただ1つのカルボキシル基によって停止されている化合物.その塩,無水物,エステル,アミド,イミドまたはそのニトリルの共重合体 (4,622) | 9個以下の炭素原子をもつモノカルボン酸;その誘導体 (4,406) | エステル (3,361) | カルボキシ酸素以外の酸素を含有するエステル (1,135)
国際特許分類[C08F220/26]の下位に属する分類
アルコール残基中に芳香族環をもたないもの (550)
アルコール残基中に芳香族環をもつもの (150)
エポキシ基をもつもの (104)
国際特許分類[C08F220/26]に分類される特許
1 - 10 / 331
感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにそれを用いた感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_ipc_list.php on line 285
ポジ型レジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法
Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_ipc_list.php on line 285
半導体リソグラフィー用重合体または重合体溶液の製造方法、及びその方法で得られた重合体または重合体溶液
【課題】金属イオン不純物濃度が低く、半導体リソグラフィーに好適に用いることができる、半導体リソグラフィー用重合体または重合体溶液の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体リソグラフィー用重合体、または該重合体を含む重合体溶液の製造方法において、原料または生成物と接触する容器として、該容器に対して10体積%のメタノールで還流した時に、該還流後のメタノール中の各金属イオン不純物濃度が10ppb以下である容器を用いる工程を有する、半導体リソグラフィー用重合体または該重合体を含む重合体溶液の製造方法。
(もっと読む)
粘着剤組成物及び表面保護フィルム
【課題】低速度剥離領域と高速度剥離領域との粘着力のバランスが優れ、さらに耐久性およびリワーク性にも優れた粘着剤組成物及び表面保護フィルムを提供する。
【解決手段】(A)アルキル基の炭素数がC4〜C10の(メタ)アクリル酸エステルモノマーと、(B)水酸基を含有する共重合可能なモノマーと、(C)カルボキシル基を含有する共重合可能なモノマーと、(D)ポリアルキレングリコールモノ(メタ)アクリル酸エステルモノマーを含む共重合体からなり、さらに、(E)3官能以上のイソシアネート化合物、(F)架橋遅延剤、(G)架橋触媒、(H)ポリエーテル変性シロキサン化合物を含有してなることを特徴とする粘着剤組成物を提供する。
(もっと読む)
ネガ型パターン形成方法及びネガ型レジスト組成物
【解決手段】酸不安定基により水酸基が保護された構造を有する繰り返し単位(a1)とアミノ基、アミド結合、カルバメート結合、含窒素複素環から選ばれる構造を1つ以上含む繰り返し単位(a2)とを含有する高分子化合物[A]と、光酸発生剤[B]と、有機溶剤[C]とを共に含むレジスト組成物を基板に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させるネガ型パターン形成方法。
【効果】本発明の特定の構造の高分子化合物と光酸発生剤と有機溶剤を含むレジスト組成物は、有機溶剤ネガ現像と組み合わせることで高い解像性を示し、例えば微細トレンチパターンやホールパターンの側壁の垂直性を高め、パターン倒れ耐性を向上させることが可能である。
(もっと読む)
含フッ素ランダム共重合体及びその製造方法
【課題】塗膜としたときに低屈折率性、透明性、防汚性、撥水撥油性、表面滑り性及び耐擦傷性等の特性を有し、かつ汎用有機溶剤への可溶性や貯蔵安定性に優れる含フッ素ランダム共重合体あるいは二重結合含有含フッ素ランダム共重合体、あるいはこれらを含む組成物を提供すること。
【解決手段】特定のフルオロオレフィン(A)10〜75モル%、特定のフルオロアルキルパーフルオロビニルエーテル(B)4〜70モル%、特定の水酸基含有不飽和単量体(C)10〜70モル%、特定のポリシロキサン化合物(D)0.001〜10モル%を含んでなり、かつ、ゲルパーミエーションクロマトグラフィで測定したポリスチレン換算の重量平均分子量が5,000〜300,000であり、重量平均分子量/数平均分子量で表される分子量分布が1.0〜5.0の範囲であることを特徴とする含フッ素ランダム共重合体。
(もっと読む)
化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
【課題】優れたラインエッジラフネス(LER)を有するレジストパターンを得ることができる化合物、樹脂、レジスト組成物等を提供することを目的とする。
【解決手段】式(I)で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこれを含むレジスト組成物。
[式中、R2はエチレン性二重結合を含む基;Wは2価の脂環式炭化水素基;T1は、単結合、2価の脂肪族炭化水素基等;T2は2価の脂肪族炭化水素基等]
(もっと読む)
バリア性積層体、ガスバリアフィルムおよびこれらを用いたデバイス
【課題】 バリア性と密着性に優れたバリア性積層体を提供する。
【解決手段】無機層と、該無機層の表面に設けられた有機層を有し、前記無機層は、珪素酸化物、珪素窒化物、珪素炭化物、または、その混合物を主成分とし、前記有機層は、(メタ)アクリレート(1)と、シランカップリング反応を引き起こす基を有するラジカル重合性化合物(2)と、光ラジカル重合開始剤(3)と、光酸発生剤(4)を含む組成物を光照射して硬化させてなる、バリア性積層体。
(もっと読む)
ArF液浸露光用化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
【課題】疎水性が高く液浸水への溶出が低く、酸拡散制御による、高解像性パターンプロファイルの構築。
【解決手段】(A)式(1−1)の化合物(B)式(1−2)で示される酸発生剤、(C)ベース樹脂、(D)有機溶剤を含有するArF液浸露光用化学増幅ポジ型レジスト材料。
(Arはアリール基。)
(R1はアルキル基、アルケニル基又はアラルキル基。R2は水素原子又はトリフルオロメチル基。Arはアリール基。)
(もっと読む)
EUV用又はEB用レジスト組成物、及びレジストパターン形成方法
【課題】EUV用又はEB用として有用なレジスト組成物、及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】一般式(a5−0−1)又は(a5−0−2)で表される基を含む構成単位(a5)を有する重合体(A1)を含有し、該構成単位(a5)を誘導するモノマー量が、該重合体(A1)に対して100ppm以下であるレジスト組成物。式中、Q1及びQ2は単結合又は2価の連結基である。R3、R4及びR5は有機基であり、R4とR5とは相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。ただし、式中の基−R3−S+(R4)(R5)は全体で芳香環を1個のみ有するか又は芳香環を有さない。
(もっと読む)
1 - 10 / 331
[ Back to top ]