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国際特許分類[C09D149/00]の内容

国際特許分類[C09D149/00]に分類される特許

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【課題】 環境負荷の高い重金属を使用せずに、これと同等以上の耐食性能をもち、下塗り塗料(プライマー)として要求される性能を満たす樹脂組成物を提供する。
【解決手段】 導電性ポリマーのもつ耐食性能を引き出し、プライマーとして要求される他の性能を極めて高いレベルで成立させた。即ち、ポリエステル樹脂(A)、フェノール樹脂(B)、導電性ポリマー(C)及びドーパント(D)を含有することを特徴とする樹脂組成物である。 (もっと読む)


【課題】非常に低水準のポリマーコーティング添加剤で、より広いプロセシングウィンドと限られたまたは観察出来ないストリエーションを有するスピンオン誘電体処方を提供する。
【解決手段】本発明は、(a)有機溶媒に分散性を有するオリゴマーまたはポリマーで、低誘電率を有するか、硬化性を有し低誘電率を有する材料を形成する、(b)一以上の有機溶媒および(c)全組成物の重量に対して1000ppm未満のポリマーコーティング添加剤を含む組成物に関する。ポリマー添加剤は、成分(a)と溶媒系に相溶性であるが、コーティングプロセスの際に成分(a)および溶媒の混合物に不相溶となる。 (もっと読む)


【課題】低誘電率で、安定した絶縁性を示し、かつ、強度に優れ、膜厚や特性の不本意なばらつきが抑制された膜の形成に好適に用いることができる膜形成用組成物を好適に製造することができる製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の膜形成用組成物の製造方法は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造a1と、炭素原子に結合したハロゲン原子とを有する化合物Aを用意する化合物A用意工程と、前記化合物Aをアセチレン誘導体と反応させ、前記化合物Aに前記アセチレン誘導体を導入するアセチレン誘導体導入工程と、MgまたはLiを作用させ、さらに、水素源を作用させることにより、前記アセチレン誘導体導入工程で未反応であった炭素−ハロゲン結合を炭素−水素結合に置換する水素化工程とを有することを特徴とする。 (もっと読む)


シリルエチニルペンタセン及びシリルエチニルペンタセンを含む組成物を開示する。例示的なペンタセン化合物は、6,13−シリルエチニル置換され、シリルエチニル基の各ケイ素原子に1個以上の基(例えばR、R’及びR”)が共有結合している。シリルエチニルペンタセン及びシリルエチニルペンタセンを含む組成物の製造並びに使用方法についても開示する。シリルエチニルペンタセン及び組成物を含む基板及びデバイスについても開示する。
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【課題】低い誘電率と優れた機械強度を有し、面性(膜面状)及び耐熱性が良好な絶縁膜を形成できる膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】(A)式(1)で表されるモノマー単位を含む重合体を含むことを特徴とする膜形成用組成物。


(式(1)中、R1はアルキル基又はアリール基を表し、Xは−COOR2、−CON(R22又は−CNを表し、R2は水素原子、アルキル基又はアリール基を表し、R2が複数存在する場合は互いに同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環構造を形成してもよい。) (もっと読む)


【課題】高耐熱、高機械強度、及び、低誘電率を有する膜を形成することができる膜形成用組成物、前記膜形成用組成物を用いて形成した絶縁膜、並びに、前記絶縁膜を有する電子デバイスを提供すること。
【解決手段】式(1)又は式(2)で表される構成繰返し単位を有する重合体を含有することを特徴とする膜形成用組成物、前記膜形成用組成物を用いて形成した絶縁膜、並びに、前記絶縁膜を有する電子デバイス。式(1)中、R1及びR2はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Xは置換基を表し、nは0〜2の整数を表し、L1は単結合又は二価の連結基を表す。式(2)中、R3及びR4はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、L2は二価の連結基を表す。ただし、式(2)における2つの炭素−炭素三重結合は、炭素−炭素二重結合に対してシスの位置にある。
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【課題】低い誘電率と優れた機械強度を有し、面性が良好な絶縁膜を形成できる膜形成用組成物(塗布液)を提供すること。さらには該組成物を用いた電子デバイスを提供すること。
【解決手段】下記式(1)で表される置換スチレン誘導体の重合体を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
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【課題】本発明は、優れた耐熱性を有し、高屈折率を示す硬化膜を形成しうる有機系の膜形成用組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】硬化後に400℃以上の熱分解温度を有する有機化合物と、アルミニウム化合物粒子、スズ化合物粒子、チタン化合物粒子およびジルコニウム化合物粒子からなる群より選ばれる少なくとも1種の金属化合物粒子とを含む膜形成用組成物。 (もっと読む)


【課題】電子デバイスなどに用いられる誘電率、機械強度等の膜特性が良好であり、かつ基板との密着性が良好であり、更に塗布液の安定性に優れる層間絶縁膜用組成物を提供することである。
【解決手段】以下の成分を含む層間絶縁膜用組成物により、上記課題が解決される。
(A)一または複数の置換基を任意に有するスチリル基を分子内に少なくとも一つ有するアルコキシシランまたはアシロキシシランを加水分解して得られる加水分解物、
(B)分子内に、炭素−炭素三重結合を少なくとも2つ有する化合物、及び
(C)溶媒。 (もっと読む)


【課題】高耐熱、高機械強度、低誘電率、及び、良好な保存経時安定性を有する膜を形成することができる膜形成用組成物、前記膜形成用組成物を用いて得られる膜、並びに、前記膜を有する電子デバイスを提供すること。
【解決手段】式(1)で示される化合物、及び/又は、式(1)で示される化合物を少なくとも用いて重合した重合体を含むことを特徴とする膜形成用組成物、前記膜形成用組成物を用いて形成された膜、並びに、前記膜を有する電子デバイス。なお、式(1)中、Aは2〜4価の有機基を表し、Aはアルケニル基又はアルキニル基を表し、Arは(2+a1)価のアリール基を表し、Rは水素原子又は炭素数1〜30のアルキル基を表し、a1は1〜4の整数を表し、a2は2〜4の整数を表す。
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