【課題】本発明が解決しようとする課題は、例えばポリエステルフィルム等に対する密着性に優れ、かつ、熱や水（湿気）等に晒された場合であっても、前記ポリエステルフィルムの劣化を誘引することのない接着剤層やヒートシール層、塗膜を形成することの可能な樹脂組成物を提供することである。
【解決手段】本発明は、２００〜２０００の重量平均分子量を有するポリカーボネートポリオール（Ａ）が、親水性基及びポリエステル構造を有するウレタン樹脂（Ｂ）によって水性媒体（Ｃ）中に分散したものであることを特徴とする樹脂組成物に関するものである。 （もっと読む）

【課題】支持基材上に基材を仮固定して基材を加工する際に、これら支持基材と基材との間に位置する仮固定剤の膜厚の均一化を図るとともに、仮固定剤にボイドを発生させることなく加工して精度に優れた基材の加工を行い得る仮固定剤、およびかかる仮固定剤を用いた基材の加工方法を提供すること。
【解決手段】本発明の仮固定剤は、半導体ウエハ（基材）３を加工するために、この半導体ウエハ３を支持基材１に仮固定し、半導体ウエハ３の加工後に、加熱することで半導体ウエハ３を支持基材１から脱離させるために用いられ、加熱により熱分解する樹脂成分と、この樹脂成分を溶解または分散し得る溶剤とを含有するものであり、前記溶剤は、第１の溶剤と、該第１の溶剤より沸点（常圧）の高い第２の溶剤とを含む。 （もっと読む）

【課題】支持基材上に基材を仮固定して基材を加工する際に、これら支持基材と基材との間に位置する仮固定剤にボイドを発生させることなく加工して精度に優れた基材の加工を行い得る仮固定剤、およびかかる仮固定剤を用いた基材の加工方法を提供すること。
【解決手段】本発明の仮固定剤は、半導体ウエハ（基材）３を加工するために、この半導体ウエハ３を支持基材１に仮固定し、半導体ウエハ３の加工後に、加熱することで半導体ウエハ３を支持基材１から脱離させるために用いられ、加熱前の仮固定剤において、この仮固定剤に含まれる樹脂成分は、その分子量が５，０００未満のものの含有量が、樹脂成分中で４％以下となっている。 （もっと読む）

【課題】支持基材上に基材を仮固定して基材を加工したのち支持基材から基材を脱離させる際に、基材の支持基材側に形成されている銅を含有する導電部の導電率の低下を抑制し得る基材の加工方法を提供する。
【解決手段】ポリカーボネート系樹脂を主材料とする樹脂成分を含む仮固定剤２を、銅を含有する導電部を有する機能面を備える基材３と、支持基材１とのうちの少なくとも一方に供給したのち乾燥させて薄膜を形成する第１の工程と、薄膜を介して、基材と支持基材とを、機能面を支持基材側にして貼り合わせる第２の工程と、基材の機能面と反対側の面を加工する第３の工程と、薄膜を加熱して樹脂成分を熱分解させることで、基材を支持基材から脱離させる第４の工程とを有し、前記第４の工程において、基材を支持基材から０．１ｐｐｍ以上、３０ｐｐｍ以下の酸素濃度の非酸化性雰囲気下で脱離させた後、基材を冷却する基材の加工方法。 （もっと読む）

【課題】支持基材上に基材を仮固定して基材を加工する際に、支持基材と基材との間に仮固定剤を用いて成膜される薄膜を、これら支持基材および基材に対して優れた密着性で形成して、精度に優れた基材の加工を行い得る基材の加工方法を提供すること。
【解決手段】本発明の基材の加工方法は、加熱により熱分解することで溶融または気化する樹脂成分を含む樹脂組成物で構成される仮固定剤を基材および支持基材のうちの少なくとも一方に供給したのち乾燥させて薄膜を形成する第１の工程と、薄膜を介して、基材と支持基材とを貼り合わせる第２の工程と、基材の支持基材と反対側の面を加工する第３の工程と、薄膜を加熱して樹脂成分を熱分解させることで、基材を支持基材から脱離させる第４の工程とを有し、前記第２の工程において、ＴＭＡ軟化点より５０〜１００℃高い範囲内で前記薄膜を加熱して基材と支持基材とを貼り合わせる。 （もっと読む）

【課題】支持基材上に基材を仮固定して基材を加工する際に、これら支持基材と基材との間に位置する仮固定剤にボイドを発生させることなく加工して精度に優れた基材の加工を行い得る仮固定剤、およびかかる仮固定剤を用いた基材の加工方法を提供すること。
【解決手段】本発明の仮固定剤は、半導体ウエハ（基材）３を加工するために、この半導体ウエハ３を支持基材１に仮固定し、半導体ウエハ３の加工後に、加熱することで半導体ウエハ３を支持基材１から脱離させるために用いられ、加熱により熱分解する樹脂成分と、この樹脂成分を溶解または分散し得る溶剤とを含有するものであり、前記溶剤の沸点をＸ［℃］とし、前記樹脂成分が熱分解する温度をＹ［℃］としたとき、下記式（１）および下記式（２）を満足する。
１００＜Ｘ ・・・ 式（１）
Ｘ＋４０≦Ｙ ・・・ 式（２） （もっと読む）

【課題】基材へのダメージを低減させつつ、精度の高い加工が可能であり、加工後の支持基材からの基材の脱離を適切な加熱温度で行い得る仮固定剤を提供すること。
【解決手段】本発明の仮固定剤は、半導体ウエハ（基材）３を加工するために、この半導体ウエハ３を支持基材１に仮固定し、半導体ウエハ３の加工後に加熱することで半導体ウエハ３を支持基材１から脱離させるために用いられ、少なくとも２つの環状体をカーボネート構成単位に含んでなるポリカーボネートを樹脂成分として含有するものである。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、屋外暴露時における経時的な接着強度の低下を抑制して、長期間にわたって高い接着強度を維持できる接着剤を提供することを課題とする。
【解決手段】 主剤と硬化剤とを用いる積層シート用接着剤組成物であって、前記主剤が数平均分子量７００〜５，０００のジオール（Ａ）と、数平均分子量が７，０００〜５０，０００、ガラス転移温度−２０〜６０℃であり、１分子中に平均して１．５〜３．５個の１級水酸基を有するポリマー（Ｂ）と、数平均分子量２５０〜３，０００のエポキシ樹脂（Ｃ）からなり、前記硬化剤がポリイソシアネート（Ｄ）を含むことを特徴とする積層シート用接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】 種々の金属や各種プラスチックスへの接着性と、優れた耐加水分解性、低吸水性による高度の電気絶縁性、優れた耐熱性を兼備する接着剤を提供する。
【解決手段】 ポリカーボネートジオールと結晶性ポリエステルが鎖延長剤により結合されている樹脂を含有することを特徴とする接着剤。 （もっと読む）

【課題】
有機基板へのダメージを低減させ、容易に脱離可能で、かつ熱分解に要する時間を短縮できる、有機基板の仮固定剤及びそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決の手段】
有機基板を加工するために有機基板を支持基材に仮固定し、加工後に加熱することにより有機基板を支持基材から脱離するために使用される仮固定剤において、９５％重量減少温度と５％重量減少温度との差が、５℃≦（９５％重量減少温度）−（５％重量減少温度）≦１００℃である樹脂成分を含む有機基板の仮固定剤が提供される。 （もっと読む）