【課題】スタッキング間隔の極めて狭いカラムナー相を示すディスコティック液晶材料を提供する。
【解決手段】液晶相としてディスコティックカラムナー相を示し、カラムナー相中における分子のスタッキング間隔がグラファイト層間距離である３．３４５オングストロームより狭いことを特徴とするディスコティック液晶性化合物。 （もっと読む）

【課題】本発明は、直鎖アルキル鎖を有する化合物またはこれを含む組成物の物性を改変するための化学物質改質剤、当該化学物質改質剤を用いた改質化合物及び改質組成物の製造方法、並びに当該改質組成物の製造方法によって得られた改質化合物及び改質組成物を提供する。本発明は新規ジカルボン酸ジエステル化合物を提供する。
【解決手段】以下の一般式（１）
Ｒ^１−(ＣＨ_２)_ｉ−Ｏ−[(ＣＨ_２)_ｊ−Ｏ]_ｋ−(ＣＨ_２)_ｌ−Ｒ^２ （１）
（一般式（１）中、Ｒ^１およびＲ^２はそれぞれ独立して水素原子、ヒドロキシル基、メルカプト基、ハロゲン原子、アクリロイルオキシ基、カルボキシル基、アミノ基、シアノ基、又は、ビニル基を示し、ｉ及びｌはそれぞれ独立して２以上２０以下の整数であり、ｊは２以上１２以下の整数であり、ｋは０以上７以下の整数であって、ｉ、ｊ、ｋ及びｌが一定の関係を満たす。）で表される構造を有する化学物質改質剤を用いる。 （もっと読む）

【課題】液晶性組成物からなる液晶フィルムの粘・接着剤に対する接着力を向上させる。
【解決手段】下記オキセタン基を有する特定の（メタ）アクリル化合物のいずれかと、オキセタン基を有する液晶性化合物とからなる液晶性組成物。
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【課題】光学異方性（Δｎ）やＮＩ点を低下させること無く、静電気の発生が防止された液晶組成物を提供すること。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表される環状カルボン酸化合物の少なくとも一種を含有してなることを特徴とするネマチック液晶組成物。
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【課題】ティルトスメクティックメソフェーズにおける層間隔を制御すること。
【解決手段】少なくとも１つのティルト（又は潜在的ティルト）スメクティックメソフェーズにおいて正味で負の層熱膨張率を有する液晶組成物と少なくとも１つのティルト（又は潜在的ティルト）スメクティックメソフェーズにおいて正味で正の層熱膨張率を有する液晶組成物とを組み合わせる工程を含んでなるスメクティック液晶化合物の混合物における層間隔を制御する方法であって、前記組成物の各々が少なくとも１種のスメクティック又は潜在的スメクティック液晶化合物を含んでなる方法。この方法はティルトスメクティックメソフェーズにおける層間隔を制御することを可能にし、それによってシェブロン層のジオメトリーを制御又は抑制する。 （もっと読む）