【課題】スクラップを使用した、電子ビーム溶解炉の溶解原料として効率よく溶解することができる溶解原料を提供する。また、スクラップを使用して効率よく溶解することができる金属の溶解方法を提供する。
【解決手段】表層部に、溶解原料を構成する主成分金属の酸化物または窒化物のうち少なくとも一方を含む化合物層が形成され、化合物層の厚みが１０００μｍ以下であることを特徴とする金属製造用溶解原料。また、この金属製造用溶解原料を、少なくとも１以上のハースを具備した電子ビーム溶解炉で溶解することを特徴する金属の溶解方法。 （もっと読む）

【課題】高密度化及び高容量化が必要な半導体装置で使用されるはんだ材料に対し、α線の少ない高純度錫または錫合金若しくは高純度錫の製造方法の提供。
【解決手段】U、Thのそれぞれの含有量が5ppb以下、Pb、Biのそれぞれの含有量が1ppm以下であり、純度が5N以上（但し、O、C、N、H、S、Pのガス成分を除く）であり、鋳造組織を持つ高純度錫のα線カウント数が0.001cph/cm²以下に低減させた高純度錫又は錫合金である。原料となる錫を酸で浸出させた後、この浸出液を電解液とし、該電解液に不純物の吸着材を懸濁させ、原料Snアノードを用いて電解精製を行う、錫合金及び高純度錫の製造方法。 （もっと読む）

【課題】鉛の除去効果が高く、小型の設備でも実施可能であり、設備投資費用を抑制できるような、産業的に優れた鉛の除去方法を提供することである。
【解決手段】純金属および合金からなる群より選ばれた被処理物を加熱して溶融させ、この溶融物に対して、金属ハロゲン化物とオキシ金属ハロゲン化物との少なくとも一方を接触させることによって、被処理物中の鉛を除去する。 （もっと読む）

【課題】溶融ハンダの酸化を防止しハンダドロスの発生を防止するとともに、発生したハンダドロスを取り除くことができる有機系ハンダ酸化物除去剤を提供し、また、この有機系ハンダ酸化物除去剤を用いた電子基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ハンダ槽１内の溶融ハンダに、結晶カーボン剤を０．０００１〜５．０重量％、カーボンナノチューブを０．０００１〜２．０重量％、リン（Ｐ）を０〜１．０重量％、ニッケル（Ｎｉ）を０〜１．０重量％、インジウム（Ｉｎ）を０〜１．０重量％のうちの少なくとも一の添加物を含有し残部がロジン及び不可避不純物である有機系ハンダ酸化物除去剤、または、ロジンを混入させる。 （もっと読む）

【課題】部分結晶化（fractional crystallization）又は再結晶化の原理により、不純物を含有する純粋物（混合物）から不純物のみを除去して純粋物のみを得ることができるスクリューコンベア型精製装置及びそれを使用した精製方法を提供する。
【解決手段】スクリューコンベア型精製装置は、中空状の断面を有して長手方向に延びるように形成され、内部の混合物を移動させるスクリューコンベア２００と、混合物の溶解及び凝固作業が繰り返されるようにスクリューコンベアの内部温度を制御して、混合物を純粋物と不純物とに分離して移動させる反応調節部とを含む。 （もっと読む）

酸素含有化合物、又は溶解した酸素を含有する金属を含むカソードを、アルカリ金属の水酸化物を含む溶融物と接触させて配置する。ニッケルを有利に含む不活性アノードも、溶融物と接触させて配置し、アノードとカソードとの間に、化合物又は金属から酸素が除去される電位を印加する。 （もっと読む）