【課題】鉛を含有しない滑り層を有する滑り部材を提供する。
【解決手段】本発明は支持要素及び滑り層、これら両者の間に介在する軸受メタル層を有し、滑り層がビスマスまたはビスマス合金から形成され、滑り層のビスマスまたはビスマス合金の結晶子の配向が、格子面(012)のミラー指数で表される好ましい方向をなし、格子面(012)のX線回折強度が他の格子面のX線回折強度と比較して最大である滑り部材において、2番目に大きいX線回折強度を有する格子面のX線回折強度が格子面(012)のX線回折強度の10%を最大限とする。 （もっと読む）

【課題】低いジッター値など良好な記録特性を有する高密度記録が可能な追記型光記録媒体の実現に適したスパッタリングターゲットとその製造方法の提供、そのスパッタリングターゲットを用いた高密度光記録媒体の提供、及び、生産性の向上のため製膜速度の向上が可能で、製膜時の強度の高い、充填密度を高めたスパッタリングターゲットの提供。
【解決手段】（１）ＢｉとＢ、又は、ＢｉとＢと酸素を主成分として含む追記型光記録媒体作成用スパッタリングターゲット。
（２）ＢｉとＢの原子比が、０．６≦Ｂｉ／Ｂ≦７．０である（１）記載の追記型光記録媒体作成用スパッタリングターゲット。
（３）ＢｉとＢの複合酸化物（Ｂｉ_４Ｂ_２Ｏ_９など）を含む（１）又は（２）記載の追記型光記録媒体作成用スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】設定動作温度を超えることなくその近傍にまで達する発熱が発生するような準異常状態となって温度ヒューズのフラックスが劣化しフラックス作用を奏させ得なくなっても、温度ヒューズの設定動作温度での通電遮断を保証する合金型温度ヒューズの使用方法を提供する。
【解決手段】常温よりも高く温度ヒューズ動作温度Ｔｓよりも低い温度での所定の累積時間のもとでの加熱によりリード導体１に隣接するヒューズエレメント部分２をリード導体の銅との金属間化合反応により変質させてヒューズエレメントの未反応部分よりも高融点化させると共に脆弱化させ、前記累積時間の経過後は、前記変質ヒューズエレメント部分の熱応力破断で通電を遮断する。 （もっと読む）

【課題】耐酸化性に優れた無鉛金属材料であって、無鉛はんだならびに無鉛めっき材料として好適な電子部品用無鉛金属材料を提供する。
【解決手段】Ｔａを０．００５〜２．０重量％含有するＳｎ基合金からなることを特徴とする電子部品用無鉛金属材料、Ｔａを０．００５〜２．０重量％含有するＳｎ基合金からなる無鉛はんだ、およびＴａを０．００５〜２．０重量％含有するＳｎ基合金からなる無鉛めっき材料。無鉛はんだについてはさらにＺｎ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ａｇから選ばれる添加元素、またさらにＣｏ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｐｄ，Ｓｂ、Ｇｅから選ばれる少なくとも１種の添加元素を含有する。また無鉛めっき材料は、Ｉｎの含有、さらにＡｇ、Ｃｕ、Ｚｎから選ばれる少なくとも１種の添加元素を含有する。 （もっと読む）

【課題】
クリープ変形に対する抵抗力の大きいはんだ接合層を開発する。
【解決手段】
Ｓｎを含有するはんだ用いて部材を接合する際に形成される接合層であって、前記接合層はＳｎおよびＡｕの他に、Ｐｂ，Ｃｕ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｚｎから選択されるいずれか１種又は２種以上を含有し、さらに、前記接合層にはＳｎとＡｕを主成分として構成される金属間化合物が接合断面の面積分率として５〜５０％の割合で分散しているはんだ接合層である。また、二個以上の部材を接合する際に、少なくとも一個以上の部材の表面をＡｕからなる層とし、一個以上の前記部材にはんだを載置し、前記はんだを加熱して前記Ａｕをはんだ中に溶解させて得た，前記はんだ接合層を備えた接合部材である。 （もっと読む）

【課題】構造体の孔内壁に内面電極を有する半田付け構造において、内面電極と構造体の孔内壁との界面や構造体の内部にクラックが生ぜず、十分な内面電極強度を備え、なおかつ鉛を含まないため環境に優しい半田、半田付け構造、ならびにこのような半田付け構造を備える貫通型セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】半田付け構造１は、孔２ａを備える構造体２と、孔の内壁に形成された内面電極３と、孔に挿入されたリード線４と、孔に含浸されて内面電極とリード線とを固着させた鉛を含有しない半田５とからなり、半田は、凝固時において体積収縮しない合金からなる。 （もっと読む）

ダイヤフラムを有する、殊に多孔質の複数の管より成る管束の端面側を固定し、かつ気密に閉鎖するトッププレートにおいて、前記トッププレート（４）が、管材料及び／又はダイヤフラムの最も低い破壊温度よりも低い溶融温度の金属の合金より成っているか又は金属より成っている。
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【課題】良好な特性を示す記録層を直流スパッタリングで形成するのに適したスパッタリ
ングターゲットとその製造方法、並びに、該スパッタリングターゲットを用いた高密度光
記録媒体とその製造方法の提供。
【解決手段】（１）Ｂｉ、Ｆｅを含み、比抵抗が１０Ωｃｍ以下であることを特徴とする
スパッタリングターゲット。
（２）Ｂｉ、Ｆｅ、及びＯを含み、更に導電性を付与する物質を含むことを特徴とするスパッタリングターゲット。
（３）Ｂｉ、Ｆｅ、及びＯを含み、化学量論組成よりも酸素が少ない化合物を含む（１）から（２）のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 ハーフホイスラー化合物を主相とする材料において、高いゼーベック係数と低い抵抗率とを維持しつつ熱伝導率を十分に低減して、無次元性能指数ＺＴの大きな熱電変換材料を提供する。
【解決手段】 下記組成式（２）で表わされ、ＭｇＡｇＡｓ型結晶構造を有することを特徴とする。 （Ｌｎ_d（Ｔｉ_a2Ｚｒ_b2Ｈｆ_c2）_1-d）_xＮｉ_yＳｎ_100-x-y 組成式（２）（ここで、３０≦ｘ≦３５、３０≦ｙ≦３５、ＬｎはＹおよび希土類元素からなる群から選択される少なくとも一種であり、０≦a2≦１、０≦b2≦１、０≦c2≦１、a2＋b2＋c2＝１、０＜ｄ≦０．３である。） （もっと読む）

【課題】 可溶体を形成する際に製造コスト上昇の要因となる細線加工を行う必要がなく、可溶体を簡単に形成可能とする。
【解決手段】 基板上に焼成温度で溶融する金属粉と焼成温度で溶融しない金属粉とを含む可溶体ペーストを印刷し、焼成することによりこれら金属粉を合金化し、当該合金を含む可溶体を形成する。焼成温度で溶融する金属粉としてＳｎ粉を用い、焼成温度で溶融しない金属粉として、Ａｇ粉、Ｎｉ粉、Ｃｕ粉、Ａｕ粉、Ｓｂ粉から選ばれる少なくとも１種を用いることが好ましい。外形形状は例えばチップ型とされる。 （もっと読む）