【課題】セルフアライメント性の低下による半田付け不良を防止することができる半田ペーストおよびこの半田ペーストを用いた半田付け方法を提供することを目的とする。
【解決手段】錫−ビスマス系の半田よりなる半田粒子６と、半田の融点よりも高い温度で硬化する熱硬化性樹脂と、半田付け時の熱で活性化して半田の表面の酸化膜６ａを除去する活性剤８を含む半田ペーストにおいて、活性剤８として半田の融点以上であって熱硬化性樹脂の硬化温度以下の融点を有する物質を選定し、半田粒子６が溶融して溶融半田６＊となった状態で活性剤８を作用させ、酸化膜６ａを除去する。これにより、活性剤８の活性作用によって硬化して既にゲル化した熱硬化性樹脂によって、溶融半田６＊の流動が妨げられることによるセルフアライメント性の低下を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体不揮発メモリーの一種である相変化メモリー（Ｐｈａｓｅ Ｃｈａｎｇｅ ＲＡＭ）に用いられる相変化記録膜を形成するためのプレスパッタ時間の短いターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】原料粉末を加圧焼結することにより相変化記録膜形成用ターゲットを製造する方法において、原料粉末としてガスアトマイズ粉末を使用するプレスパッタ時間の短い相変化記録膜形成用ターゲットの製造方法。 （もっと読む）

【課題】なじみ性に関係する硬さがBiがPbより数倍であるBi系オーバレイを施したすべり軸受のなじみ性を向上させる。
【解決手段】銅系軸受合金からなるライニングの摺動面側にBi系オーバレイを被着したすべり軸受において、少なくとも表面側にAg₂Sが析出しているBi系オーバレイ3はPb系オーバレイよりもすぐれている。前記オーバレイが０．１〜１０質量％のＡｇを含有する。Ａｇ濃度が前記オーバレイ中の厚さ方向で実質的に均一である。Ａｇ濃度が前記オーバレイ中の厚さ方向でライニング近傍側が相対的に低いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】原料の入手が容易で、大量生産も可能であり、熱電変換素子としても十分な性能をもつ希土類合金を提供すること。
【解決手段】希土類合金はＲＥ_ｘ（Ｆｅ_１−ｙＭ_ｙ）_４Ｓｂ_１２（ＲＥはＬａ、Ｃｅのうち少なくとも一種、ＭはＴｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｐｂからなる群から選ばれた少なくとも一種。０＜ｘ≦１、０＜ｙ＜１）で表される希土類合金及びＲＥ_ｘ（Ｃｏ_１−ｙＭ_ｙ）_４Ｓｂ_１２（ＲＥはＬａ、Ｃｅのうち少なくとも一種、ＭはＴｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｐｂからなる群から選ばれた少なくとも一種。０＜ｘ≦１、０＜ｙ＜１）で表される希土類合金である。これらは熱電変換材料として用いられる。そして前者はｐ型の変換材料、後者はｎ型の変換材料となり、これらをｐ−ｎ接合し、熱電変換素子が構成される。 （もっと読む）

【課題】金属の粉砕および焼結の工程を行う必要なしに、そのまま熱電変換素子に使用することができるフィルドスクッテルダイト系合金の製造方法と、その方法で製造された熱電変換素子に好適な合金を提供し、高効率の熱発電システムを提供する。
【解決手段】希土類金属Ｒ（但し、ＲはＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｙｂのうちの少なくとも１種）、遷移金属Ｔ（但し、ＴはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｏｓ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｇのうちの少なくとも１種）、金属アンチモン（Ｓｂ）からなる合金原料を溶解し、その溶湯をストリップキャスト法により急冷凝固してフィルドスクッテルダイト系合金を製造し、熱電変換モジュールを製造する。 （もっと読む）

【課題】 半田粉の製造方法を工夫することで半田の濡れ広がり性を改善する。
【解決手段】 半田合金原料を溶解し、半田合金溶湯の温度を当該半田合金の液相線温度の＋１０〜＋３０℃に調整し、当該温度を保持した後、半田合金溶湯をアトマイズすることを特徴とする半田粉の製造方法を提案する。半田合金溶湯の温度を当該半田合金液相線温度の＋１０〜＋３０℃に保持すると、工業的にも試験的にも半田の濡れ広がり性が改善されることが確認されている。 （もっと読む）

【課題】 高密度化と、記録線速度がＤＶＤ８倍速以上の高線速化に対応でき、繰り返し特性と保存性に優れた光記録媒体等の提供。
【解決手段】 基板上に少なくとも記録層を有してなり、該記録層が、レーザー光走行方向長さが０．４μｍ以下の前記非晶質マークを記録可能であると共に、前記記録層が、次式、Ｉｎ_αＳｂ_β（ただし、α及びβは、それぞれの元素の原子組成比率を表し、０．７３≦β／（α＋β）≦０．９０であり、かつα＋β＝１００である）で表される組成を含有する光記録媒体、又は、前記記録層が、次式、Ｍ_γＩｎ_αＳｂ_β（ただし、Ｍは、Ｉｎ、及びＳｂ以外の元素、並びに該元素の混合物から選択される少なくとも１種の元素を表す。α、β、及びγは、それぞれの元素の原子組成比率を表し、０．７３≦β／（α＋β）≦０．９０、α＞γ＞０であり、かつα＋β＋γ＝１００である）で表される組成を含有する光記録媒体である。 （もっと読む）

【課題】 高い無次元性能指数（ＺＴ）を有する熱電変換材料に用いる原料、高い無次元性能指数（ＺＴ）を有する熱電変換材料の製造方法、および高い無次元性能指数（ＺＴ）を有する熱電変換材料を提供する。
【解決手段】 安価な比較的低純度のＺｎとＳｎを一定比率で配合して加熱溶解した後に急冷凝固して得られる熱電変換材料用の原材料Ｚｎ_３Ｓｂ_２を粉末化し、このＺｎ_３Ｓｂ_２粉末を低温の固相焼結範囲で加熱し、固相反応によりβ−Ｚｎ_４Ｓｂ_３を生成させてＺｎ_３Ｓｂ_２とβ−Ｚｎ_４Ｓｂ_３とからなる仮焼結体とし、この仮焼結体を熱間押出成形して熱電変換材料とする。 （もっと読む）

【課題】反転通電における信頼性でばらつきが大きく、十分ではないという問題がある。
【解決手段】支持基板の表面に設けられた配線導体の上に、メッキ層を有する熱電素子が半田により接合されてなる熱電モジュールであって、上記支持基板対して垂直な断面におけるメッキ層がなす断面曲線の最大高さＲｍａｘが３〜３０μｍである素子が少なくとも一つあることとした。 （もっと読む）

【課題】 光記録媒体の情報層に含まれた記録膜に記録されたデータを、長期間にわたって、高温保存した場合にも、データを、新たなデータによって、所望のように、ダイレクトオーバーライトすることができる光記録媒体を提供する。
【解決手段】 記録膜を含む情報層を備えた光記録媒体であって、前記記録膜が、７９原子％ないし９５原子％のＳｂと、５原子％ないし２１原子％のＧｅとを主成分として含み、周期表の第１６族元素を含まない相変化材料によって、形成されていることを特徴とする光記録媒体。 （もっと読む）