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国際特許分類[C22C12/00]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理 (53,456) | 合金 (38,126) | アンチモンまたはビスマスを基とする合金 (248)

国際特許分類[C22C12/00]に分類される特許

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【課題】 光記録媒体の情報層に含まれた記録膜に記録されたデータを、長期間にわたって、高温保存した場合にも、データを、新たなデータによって、所望のように、ダイレクトオーバーライトすることができる光記録媒体を提供する。
【解決手段】 記録膜を含む情報層を備えた光記録媒体であって、前記記録膜が、79原子%ないし95原子%のSbと、5原子%ないし21原子%のGeとを主成分として含み、周期表の第16族元素を含まない相変化材料によって、形成されていることを特徴とする光記録媒体。 (もっと読む)


【課題】従来の各種焼結アルミニウム合金に適用可能で合金の強度をより一層向上させる方策を提供する。
【課題を解決するための手段】Alを主成分とする合金粉末または混合粉末に、(1)Biからなる焼結助剤粉末、(2)Biを主成分とし、Biと他の元素の間、あるいは、BiとBiを含む金属間化合物の間で共晶液相を発生する組成の合金粉末、(3)Biを主成分とする、Bi−Cr系合金粉末および/またはBi−Fe系合金粉末の少なくとも1種からなる焼結助剤粉末、(4)Inからなる焼結助剤粉末、(5)Inを主成分とし、Inと他の元素の間、あるいは、InとInを含む金属間化合物の間で共晶液相を発生する組成の合金粉末の少なくとも1種からなる焼結助剤粉末、の少なくとも1種を添加する。 (もっと読む)


【課題】 高温・高湿下での保存信頼性が高く、高温動作が安定し、機械特性良好で、生産性の高い、高速・高密度の光記録が可能な光記録媒体の提供。
【解決手段】 基板上に少なくとも下部保護層、光記録層、上部保護層、中間層、Agを95原子%以上含有する光反射層を有し、該中間層が、Ti、Nb、Taから選ばれる少なくとも1種の元素の炭化物を含むか、又はTi、Nb、Taから選ばれる少なくとも1種の元素(M)と、炭素(C)と、酸素(O)を含み、最小記録マークの記録時間が34ns以下でも記録可能であるか、チャンネルビット長の記録時間が11ns以下でも記録可能であるか、或いは、記録線速度が11m/s以上でも記録可能である光記録媒体。 (もっと読む)


活性半田合金、電子装置を基板に結合する前記活性半田合金を含有する電子装置パッケージ及び前記半田合金を用いる半田付けによって高強度接合部を形成する方法。前記合金は、約10重量%までのチタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ及びタンタルから成る群から選択される元素または元素混合物;約0.1‐5重量%のランタノイド元素(希土類元素)の群から選択される元素または元素混合物;約0.01‐1重量%のガリウム;約10重量%までの銀;約2重量%までのマグネシウム;及び錫、ビスマス、インジウム、カドミウム、またはこれらの元素の2種以上の混合物から成る残余を含有する。前記合金は、比較的狭い溶融範囲(約10℃未満)内で低温(約180℃未満)半田付けを可能とする。
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はんだ組成物が、熱力学的に準安定な合金の粒子を有する。前記合金の元素の1つは、金属表面と共に金属間化合物を形成する。前記はんだ組成物は、半導体デバイスのバンピングにおける使用に特に適している。
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本発明は、立方格子構造上のいくつかのCoを、Fe、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir、およびPtよりなる群の1つもしくはそれ以上のメンバと置き換えることができ、平面環上のいくつかのSbを、Si、Ga、Ge、およびSnよりなる群の1つもしくはそれ以上のメンバと置き換えることができ、第2のドーパント原子が、Ca、Sc、Zn、Sr、Y、Pd、Ag、Cd、Ba、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、およびLuよりなる群のメンバから選択されるインジウムドープCoSb12方コバルト鉱組成物を提供する。組成物は、熱電材料として有用である。好ましい実施形態において、組成物は、1.0より大きい性能示数を有する。本発明は、また、組成物の製造のための方法、および組成物を使用する熱電デバイスを提供する。
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本発明は、1.0を超える性能指数ZTの化学式InCoSb12(0<x<1)の熱電組成物の調製方法およびその方法により製造された組成物に関する。本方法は、a)インジウムと、コバルトとアンチモンとの粉末を混合して、0.006〜0.030原子パーセントのインジウム、0.242〜0.248原子パーセントのコバルトおよび0.727〜0.745原子パーセントのアンチモンの粉末の混合物を形成する工程と、b)前記粉末の混合物を含有する炉を通して1〜15原子パーセントの水素および85〜99原子パーセントのアルゴンを含んでなるガス組成物を流す工程と、c)炉を約1〜5C/分で、室温から590℃〜620℃まで加熱し、炉を590℃〜620℃で10〜14時間保持する工程と、d)炉を約1〜5C/分で、665℃〜685℃に更に加熱し、炉を665℃〜685℃で30〜40時間保持して第1の固体を形成する工程と、e)第1の固体を粉砕して第2の粉末を形成する工程と、f)第2の粉末を第2の固体へプレスする工程と、g)第2の固体を含有する炉を通して1〜15原子パーセントの水素および85〜99原子パーセントのアルゴンを含んでなるガス組成物を流す工程と、h)炉を約1〜5C/分で、室温から665℃〜685℃まで加熱し、炉を665℃〜685℃で1〜8時間保持する工程とを含んでなる。
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プリフォームはんだの金属表面と反応し、これを保護する組成物及び保護されたプリフォームはんだを開示する。表面保護剤組成物は、プリフォームはんだの物理的な取り扱い及びはんだ付工程の要求に適合する。組成物は、担体、表面反応剤、帯電防止剤及び溶媒を含む。 (もっと読む)


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