【課題】 光記録媒体の情報層に含まれた記録膜に記録されたデータを、長期間にわたって、高温保存した場合にも、データを、新たなデータによって、所望のように、ダイレクトオーバーライトすることができる光記録媒体を提供する。
【解決手段】 ＳｂとＧｅとを主成分として含み、周期表の第１６族元素を含まない相変化材料によって形成された記録膜を含む情報層を備えた光記録媒体であって、前記相変化材料が、前記相変化材料を、結晶化させて、生成した結晶に対して、六方晶格子としての指数付けをした場合に、六方晶格子におけるａ軸長に対するｃ軸長の軸比（ｃ／ａ）が、２．６７０以上、２．７１５以下である結晶を、形成することを特徴とする光記録媒体。 （もっと読む）

【課題】従来の各種焼結アルミニウム合金に適用可能で合金の強度をより一層向上させる方策を提供する。
【課題を解決するための手段】Ａｌを主成分とする合金粉末または混合粉末に、(１)Ｂｉからなる焼結助剤粉末、(２)Ｂｉを主成分とし、Ｂｉと他の元素の間、あるいは、ＢｉとＢｉを含む金属間化合物の間で共晶液相を発生する組成の合金粉末、(３)Ｂｉを主成分とする、Ｂｉ−Ｃｒ系合金粉末および／またはＢｉ−Ｆｅ系合金粉末の少なくとも１種からなる焼結助剤粉末、(４)Ｉｎからなる焼結助剤粉末、(５)Ｉｎを主成分とし、Ｉｎと他の元素の間、あるいは、ＩｎとＩｎを含む金属間化合物の間で共晶液相を発生する組成の合金粉末の少なくとも１種からなる焼結助剤粉末、の少なくとも１種を添加する。 （もっと読む）

【課題】 高温・高湿下での保存信頼性が高く、高温動作が安定し、機械特性良好で、生産性の高い、高速・高密度の光記録が可能な光記録媒体の提供。
【解決手段】 基板上に少なくとも下部保護層、光記録層、上部保護層、中間層、Ａｇを９５原子％以上含有する光反射層を有し、該中間層が、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａから選ばれる少なくとも１種の元素の炭化物を含むか、又はＴｉ、Ｎｂ、Ｔａから選ばれる少なくとも１種の元素（Ｍ）と、炭素（Ｃ）と、酸素（Ｏ）を含み、最小記録マークの記録時間が３４ｎｓ以下でも記録可能であるか、チャンネルビット長の記録時間が１１ｎｓ以下でも記録可能であるか、或いは、記録線速度が１１ｍ／ｓ以上でも記録可能である光記録媒体。 （もっと読む）

活性半田合金、電子装置を基板に結合する前記活性半田合金を含有する電子装置パッケージ及び前記半田合金を用いる半田付けによって高強度接合部を形成する方法。前記合金は、約１０重量％までのチタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ及びタンタルから成る群から選択される元素または元素混合物；約０．１‐５重量％のランタノイド元素（希土類元素）の群から選択される元素または元素混合物；約０．０１‐１重量％のガリウム；約１０重量％までの銀；約２重量％までのマグネシウム；及び錫、ビスマス、インジウム、カドミウム、またはこれらの元素の２種以上の混合物から成る残余を含有する。前記合金は、比較的狭い溶融範囲（約１０℃未満）内で低温（約１８０℃未満）半田付けを可能とする。
（もっと読む）

はんだ組成物が、熱力学的に準安定な合金の粒子を有する。前記合金の元素の１つは、金属表面と共に金属間化合物を形成する。前記はんだ組成物は、半導体デバイスのバンピングにおける使用に特に適している。
（もっと読む）

本発明は、立方格子構造上のいくつかのＣｏを、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、およびＰｔよりなる群の１つもしくはそれ以上のメンバと置き換えることができ、平面環上のいくつかのＳｂを、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅ、およびＳｎよりなる群の１つもしくはそれ以上のメンバと置き換えることができ、第２のドーパント原子が、Ｃａ、Ｓｃ、Ｚｎ、Ｓｒ、Ｙ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、およびＬｕよりなる群のメンバから選択されるインジウムドープＣｏ_４Ｓｂ_１２方コバルト鉱組成物を提供する。組成物は、熱電材料として有用である。好ましい実施形態において、組成物は、１．０より大きい性能示数を有する。本発明は、また、組成物の製造のための方法、および組成物を使用する熱電デバイスを提供する。
（もっと読む）

本発明は、１．０を超える性能指数ＺＴの化学式Ｉｎ_ｘＣｏ_４Ｓｂ_１２（０＜ｘ＜１）の熱電組成物の調製方法およびその方法により製造された組成物に関する。本方法は、ａ）インジウムと、コバルトとアンチモンとの粉末を混合して、０．００６〜０．０３０原子パーセントのインジウム、０．２４２〜０．２４８原子パーセントのコバルトおよび０．７２７〜０．７４５原子パーセントのアンチモンの粉末の混合物を形成する工程と、ｂ）前記粉末の混合物を含有する炉を通して１〜１５原子パーセントの水素および８５〜９９原子パーセントのアルゴンを含んでなるガス組成物を流す工程と、ｃ）炉を約１〜５Ｃ／分で、室温から５９０℃〜６２０℃まで加熱し、炉を５９０℃〜６２０℃で１０〜１４時間保持する工程と、ｄ）炉を約１〜５Ｃ／分で、６６５℃〜６８５℃に更に加熱し、炉を６６５℃〜６８５℃で３０〜４０時間保持して第１の固体を形成する工程と、ｅ）第１の固体を粉砕して第２の粉末を形成する工程と、ｆ）第２の粉末を第２の固体へプレスする工程と、ｇ）第２の固体を含有する炉を通して１〜１５原子パーセントの水素および８５〜９９原子パーセントのアルゴンを含んでなるガス組成物を流す工程と、ｈ）炉を約１〜５Ｃ／分で、室温から６６５℃〜６８５℃まで加熱し、炉を６６５℃〜６８５℃で１〜８時間保持する工程とを含んでなる。
（もっと読む）

プリフォームはんだの金属表面と反応し、これを保護する組成物及び保護されたプリフォームはんだを開示する。表面保護剤組成物は、プリフォームはんだの物理的な取り扱い及びはんだ付工程の要求に適合する。組成物は、担体、表面反応剤、帯電防止剤及び溶媒を含む。 （もっと読む）