【課題】本発明は、難溶性の素材、特にＳｎを主成分とするめっき鋼板を使用した場合の連続打点性により一層優れたスポット用電極を更に安価に提供することを目的とする。
【解決手段】Ｓｎ系めっき鋼板のスポット溶接用電極であって、厚さ１μｍ以上１０００μｍ以下のＮｉ又はＮｉ合金からなる金属層を電極チップ先端に有しており、前記金属層の表面の面粗度Ｒａが８００ｎｍ以下であることを特徴とする、スポット溶接用電極である。 （もっと読む）

【課題】 熱応力緩和性に優れ、Ｎｉを含む電子部品や基板を接合する際にＮｉ−Ｂｉの反応やＮｉ拡散を抑制できるＰｂフリーはんだ合金を提供する。
【解決手段】 Ｂｉを主成分とするＰｂフリーはんだ合金であって、Ｓｎを１.６質量％以上１０質量％以下含有し、Ｚｎは１３.５質量％を超えて含有しておらず、Ｐは０.５質量％を超えて含有しておらず、１５０℃以上で液相が存在する。このＰｂフリーはんだ合金は、ＺｎおよびＰのうちの少なくとも一方が、Ｚｎの場合は０.４質量％以上、Ｐの場合は０.００１質量％以上含まれていてもよい。 （もっと読む）

【課題】 ビスマス（Ｂｉ）を含有するはんだ材料において、耐衝撃性を改善し接合信頼性を高める。
【解決手段】 はんだ材料は、スズ-ビスマス（Ｓｎ-Ｂｉ）合金と、銅（Ｃｕ）と、Ｘ−Ｙで表記される合金、を含み、前記Ｘは、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎからなる金属元素グループから選択される少なくとも１つの金属元素であり、前記Ｙは、Ａｇ、Ａｕ、Ｍｇ、Ｒｈ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｃｏ、Ｌｉ、Ａｌからなる金属元素グループから選択される少なくとも１つの金属元素である。 （もっと読む）

【課題】メモリー点と非メモリー部との界面付近に偏析濃縮し、書き換え回数及び消去率の低下の原因となる不純物、特に結晶化速度に影響を与える不純物元素を極力減少させると共に、目標組成に対するターゲットの組成のずれ及び成分偏析を減少させて、相変化型メモリーの書き換え特性、結晶化速度を向上させることができる相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及び相変化メモリー用膜を提供する。
【解決手段】３元系以上の元素からなり、アンチモン、テルル又はセレンから選んだ１成分以上を主成分とし、目標組成に対する組成のずれが±１．０ａｔ％以下であって、ガス成分を除く純度が９９．９９５ｗｔ％以上であり、ガス成分である炭素、窒素、酸素、硫黄の総量が７００ｐｐｍ以下である相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いて形成された相変化メモリー用膜。 （もっと読む）

【課題】 電子部品と基板との接合に必要な強度を有し、かつ濡れ性および加工性に優れた高温用のＰｂフリーはんだ合金を提供する。
【解決手段】 高温用のＰｂフリーはんだ合金であって、Ｚｎを０.４質量％以上１３.５質量％以下含有し、Ｃｕを０.０５質量％以上２.０質量％以下含有し、Ｐは０.５００質量％を超えて含有しておらず、残部が不可避不純物を除いてＢｉからなる。このＰｂフリーはんだ合金は、さらにＡｌを０.０３質量％以上０.７質量％以下含有してもよい。 （もっと読む）

【課題】 凝固時の残留応力が小さく、高い接合強度と高い信頼性とを有し、Ｎｉを含む電子部品や基板を接合する際にＮｉ−Ｂｉの反応やＮｉ拡散を抑制できる高温用Ｐｂフリーはんだ合金を提供する。
【解決手段】 Ｂｉを主成分とするＰｂフリーはんだ合金であって、Ｚｎを２１.０質量％以上３０.０質量％以下含有し、Ａｌは３.０質量％を超えて含有しておらず、Ｓｎは１０.０質量％を超えて含有しておらず、Ｐは０.５質量％を超えて含有していない。このＰｂフリーはんだ合金は、Ａｌ、ＳｎおよびＰのうちの１種以上が、Ａｌの場合は０.０２質量％以上、Ｓｎの場合は０.３質量％以上、Ｐの場合は０.００１質量％以上含まれていてもよい。 （もっと読む）

【課題】金属とポリマとからなり、Sn−Pb系の共晶はんだに比べて融点が低い鉛フリー型コンポジット組成物を提供する。
【解決手段】本発明の鉛フリー型コンポジット組成物１は、ポリノルマルブチルアクリレート２中にSn-In-Bi合金の微粒子３を均一に分散させたもので、Sn-In-Bi合金は57.50重量％のBi、25.20重量％のIn及び17.30重量％のSnを含む。 （もっと読む）

【課題】はんだ付けの際に太陽電池用半導体基板にクラックが生じ難く、しかも導電性に優れた太陽電池用電極線材を提供する。
【解決手段】本発明の太陽電池用電極線材は、体積抵抗率が２．３μΩ・ｃｍ以下で、かつ耐力が１９．６ＭＰａ以上、８５ＭＰａ以下 である芯材（２）と、前記芯材（２）の表面に積層形成された溶融はんだめっき層（３Ａ），（３Ｂ）を備える。前記芯材（２）は、酸素が２０ppm 以下の純銅の焼鈍材で形成することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 高い熱伝導性を有すると同時に高い接合信頼性を確保でき、パワー半導体素子のダイボンディング等に好適な、Ｂｉ系の高温鉛フリーはんだペーストを提供する。
【解決手段】 Ｂｉ粉及びＢｉ合金粉から選ばれた少なくとも１種のＢｉはんだ粉と、Ｃｕ金属粉と、残部のフラックスとからなるＢｉ系の高温鉛フリーはんだペーストであり、該Ｃｕ金属粉は純度９７.５質量％以上、平均粒径１〜８０μｍのＣｕ粉及びＣｕ粉表面にＡｇ、Ａｕ、Ｎｉの少なくとも1元素からなる膜厚１μｍ以下の皮膜を設けた被覆Ｃｕ粉の少なくとも１種からなり、Ｃｕ金属粉とＢｉはんだ粉の合計を１００質量％としたとき、Ｃｕ金属粉の合計が８〜６０質量％である。 （もっと読む）

【課題】フラックスに起因した溶融はんだ液滴の滑りを防止して、溶融はんだ液滴を所望の位置に供給する。
【解決手段】粉末はんだ及びフラックスを含むソルダペーストが塗布された接合対象物を加熱する工程と、溶融はんだ吐出装置から溶融はんだ液滴を吐出して、前記接合対象物を介して加熱された前記ソルダペーストに前記溶融はんだ液滴を衝突させる第２工程とを含む、はんだ接合方法が提供される。 （もっと読む）