説明

国際特許分類[C22C20/00]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理 (53,456) | 合金 (38,126) | カドミウムを基とする合金 (5)

国際特許分類[C22C20/00]に分類される特許

1 - 5 / 5


【課題】金属二次電池に使用された際に、従来の負極活物質よりサイクル特性を向上させることができる電極活物質、及び当該電極活物質を負極に含有する金属二次電池を提供する。
【解決手段】下記一般式(1)で表される組成を有するハーフホイスラー化合物を含有することを特徴とする、電極活物質。
αβγ 一般式(1)
(ただし、上記一般式(1)中、αはFe、Co、Ni、Cu、Zn、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、Ir、Pt及びAuからなる群から選ばれる元素であり、βはTi、V、Cr、Mn、Y、Zr、Nb、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Hf及びTaからなる群から選ばれる元素であり、γはAl、Si、Ga、Ge、As、In、Sn、Sb、Tl、Pd及びBiからなる群から選ばれる元素である。) (もっと読む)


【課題】導体素線間及び導体と端子間の接続抵抗が低減でき、低コストで、接続強度が高い端子及び端子と電線の接続方法を提供する。
【解決手段】電線2の導体3に接合させて電気的に接続するための接合子部4と、接合子部4と一体的に形成され相手端子に接触させて電気的に接続するための接触子部5とを備えた端子1であって、接合子部4は、電線2の導体3と接合される面に所定の温度で溶融する溶融性接合層6を有し、溶融性接合層6の反対面に上記温度で溶融しない母材層7を有し、母材層7に溶融性接合層6があらかじめ複合一体化されている。 (もっと読む)


【課題】無機半導体‐ナノ結晶を高配合量で半導体ポリマーに分散させた薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】この製造方法は、界面活性剤被覆半導体‐ナノ結晶を溶媒で少くとも1回洗浄し、洗浄された半導体‐ナノ結晶および半導体ポリマーを二元溶媒混合物に共溶解させ、該混合物を沈着させることを含んでなる。別な態様では、2以上のアスペクト比を有する半導体‐ナノ結晶を半導体複合ポリマーに分散させてポリマー・ナノ結晶が5wt%以上でポリマーに埋め込まれるようにその複合材の薄膜を沈着させることからなる。 (もっと読む)


【課題】摺動層の金属基盤への接着力に優れた摺動材料を提供する。
【解決手段】金属基盤10上に金属粉末を固相状態で、超音速で衝突させて摺動層11を設けた摺動材料において、摺動層11を融点400℃以下の低融点金属とすることにより、低融点金属は一般的に軟質のため、コールドスプレー法による皮膜の形成時、衝突による変形を起こし易く、変形量が大きいものとなるため、緻密で接着力が強い摺動層となる。 (もっと読む)


活性半田合金、電子装置を基板に結合する前記活性半田合金を含有する電子装置パッケージ及び前記半田合金を用いる半田付けによって高強度接合部を形成する方法。前記合金は、約10重量%までのチタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ及びタンタルから成る群から選択される元素または元素混合物;約0.1‐5重量%のランタノイド元素(希土類元素)の群から選択される元素または元素混合物;約0.01‐1重量%のガリウム;約10重量%までの銀;約2重量%までのマグネシウム;及び錫、ビスマス、インジウム、カドミウム、またはこれらの元素の2種以上の混合物から成る残余を含有する。前記合金は、比較的狭い溶融範囲(約10℃未満)内で低温(約180℃未満)半田付けを可能とする。
(もっと読む)


1 - 5 / 5