【課題】 鉛を実質的に含有しない接合材を用い、高温条件においても良好な機械的強度を保持可能な接合体及び半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、金属材料の溶融温度が２６０℃以上であり、鉛及び金を主成分とした金属合金を代替する接合材料として、被接合部に物理蒸着法により形成されるＳｎと、前記Ｓｎより高融点を有する金属材料とからなる接合層を、他方の被接合部に接合することにより、３００℃以上４５０℃以下の温度範囲において、良好な接合状態が確保でき、かつ高い高温強度を維持することを可能とした。 （もっと読む）

【課題】所望の引張強さ、耐熱性および高導電性を兼ね備えつつ、連続鋳造圧延法を用いた量産機にも十分に対応可能であるアルミニウム合金線及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｚｒを０．２〜０．４０重量％、Ｓｃを０．０５〜０．３０重量％、Ｓｉを０．０１〜０．０５重量％、Ｆｅを０．０５〜０．２０重量％、Ｔｉを０．００１〜０．０１０重量％、Ｖを０．００１〜０．０１０重量％含有し、残部がＡｌおよび不可避的不純物からなるアルミニウム合金線。 （もっと読む）

【課題】高温のアルカリ環境下において、ステンレス鋼との接合部で腐食せず、十分な防食効果が得られるアルミニウム合金を提供し、該アルミニウム合金性熱交換器本体とステンレス鋼配管とからなる熱交換器を提供する。
【解決手段】ｐＨ９〜１１、温度８０〜１００℃の腐食雰囲気中でアルミニウム合金とステンレス鋼との接合部を構成するアルミニウム合金であって、前記アルミニウム合金が必須元素として、Ｆｅ：０．８５〜１．５ｍａｓｓ％、或いはＮｉ：０．８５〜１．５ｍａｓｓ％、或いはＳｉ：０．８５〜２．０ｍａｓｓ％のうち１種又は２種以上を含み、残部がＡｌ及び不可避的不純物からなるアルミニウム合金である。また熱交換器は、前記アルミニウム合金製熱交換器本体と、該熱交換器本体に設けられたステンレス鋼製配管とからなり、前記熱交換器本体と配管の接合部がｐＨ９〜１１、温度８０〜１００℃の腐食性雰囲気に曝されている熱交換器である。 （もっと読む）

【課題】 健全な溶融接合部を安定的に与え得る二次電池用アルミニウム缶体及びその製造方法の提供。
【解決手段】アルミニウム合金板体からなる蓋体及び外装体をレーザ溶接して組み立てた二次電池用アルミニウム缶体及びその製造方法である。少なくとも、質量比で、Ｓｉを０．３０％以下とした上でＢを２〜３０ｐｐｍの範囲内で含むアルミニウム合金からなる合金板体を用意し、第１の合金板体の側縁端部に沿って第２の合金板体の端面を突き合わせる。第１の合金板体の端面にできる突き合わせ線に沿って連続レーザ溶接する。ここで突き合わせ線を挟んで与えられる溶融接合部の深さＤに対する幅Ｗの比を１．５以上とするようにレーザ溶接条件が制御される。缶体には、０．３５ｍｍ以上の深さＤが与えられる。 （もっと読む）

【課題】積層材の端部の層界面で発生する腐食を防止することが可能なアルミニウム合金多層材を提供する。
【解決手段】アルミニウム合金層である第１層１と第２層２とが間に防食層３を介して積層されている。防食層３の厚さは全板厚の２％以内である。防食層３のＣｕ濃度は第１層１及び第２層２の層中央でのＣｕ濃度より高く、防食層３の最大Ｃｕ濃度Ｘと第１層１及び第２層２の層中央でのＣｕ濃度とが所定の関係を満たすようになっている。また、防食層３内での板厚方向のＣｕ濃度分布の傾きが鋭角状、すなわち前記Ｘとなる位置で不連続となる。 （もっと読む）

【課題】ろう付の際にフラックスの塗布が不要となるアルミニウム合金ブレージングシートを提供する。
【解決手段】心材１１にろう材１２がクラッドされてブレージングシート１０を構成している。心材１１とろう材１２との界面には、フッ化物系のフラックス１３が分布している。点在しているフラックス１３の長さＬ１〜Ｌ４の合計、及び断面積ａ１〜ａ４の合計は、それぞれブレージングシート１０の長さＬに対して所定の範囲内にあることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】冷熱サイクルにおいてアルミニウム回路層の電子素子搭載面に発生するしわが抑制される電子素子搭載用基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板（11）の少なくとも一方の面に電子素子（18）を搭載するアルミニウム回路層（12）がろう付された電子素子搭載用基板（1）であって、前記アルミニウム回路層（12）は、母材（20）の電子素子搭載面側に高強度層（21）が一体に積層された積層材で構成され、前記高強度層（21）の引張強さＸ（Ｎ／ｍｍ^２）と母材（20）の引張強さＹ（Ｎ／ｍｍ^２）とがＸ／Ｙ≧１．１の関係を満足する。 （もっと読む）

【課題】フィンにろう付された場合に、フィンへのろう侵食が少なく、耐エロージョン性に優れたサイドサポート材およびその製造方法の提供。
【解決手段】本発明のサイドサポート材５は、Ｍｎ：１．０〜２．０質量％、Ｓｉ：０．５〜１．５質量％、Ｃｕ：０．３〜１．２質量％、Ｍｇ：０．０３〜０．３質量％、残部Ａｌと不可避不純物からなる芯材の一方の面に、Ｓｉ：３．０〜９．０質量％、残部Ａｌと不可避不純物からなるろう材がクラッドされ、前記芯材の他方の面にＭｎ：１．０〜２．０質量％、Ｓｉ：０．３〜１．７質量％、Ｃｕ：０．０３〜０．２５質量％、残部Ａｌと不可避不純物からなる拡散防止層がクラッドされてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板とアルミニウムからなる回路層および緩衝層との接合界面に余剰ろう材が残存しない電子素子搭載用基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板（11）の一方の面に電子素子を搭載するアルミニウム回路層（12）がろう付され、他方の面にアルミニウム層（13）がろう付された電子素子搭載用基板（1）であって、前記アルミニウム回路層（12）およびアルミニウム層（13）の少なくとも一方は、母材（20）（22）の絶縁基板側にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる微細結晶層（21）（23）がクラッドされたクラッド材で構成され、ろう付後の前記微細結晶層（21）（23）の結晶粒の平均粒径が１０〜５００μｍとなされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フラックスを使用せず、高価な真空炉も必要とせずに、効率よく確実にアルミニウムのろう付けを行うことができるアルミニウムのろう付け方法を提供する。
【解決手段】０．０５〜５．０重量％、好ましくは１．０〜５．０重量％のマグネシウムを含有したろう材を用いて、窒素濃度が１％以下のアルゴン雰囲気又はヘリウム雰囲気中で加熱する。加熱する際の昇温速度は、毎分３０〜２００℃の範囲、好ましくは毎分４０〜１８０℃の範囲に設定する。加熱時の圧力を大気圧付近に設定することにより、真空炉が不要となる。 （もっと読む）