【課題】成膜の品質を向上させるルテニウム合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】ルテニウム粉末とルテニウムよりも酸化力が強い金属粉末との混合粉末を焼結して得られるルテニウム合金焼結体ターゲットであって、ガス成分を除くターゲットの純度が99．95wt％以上であり、ルテニウムよりも酸化物を作りやすい金属を5at%〜60at%含有し、相対密度が99％以上、不純物である酸素含有量が1000ｐｐｍ以下であることを特徴とするルテニウム合金スパッタリングターゲットであり、ターゲット中に存在する酸素を低減させて、スパッタ時のアーキングやパーティクルの発生を少なくし、焼結密度を向上させてターゲットの強度を高め、さらにSi半導体へ微量添加されているB及びPの組成変動を防止するために、ターゲット中のB及びP不純物の量を厳しく制限する。 （もっと読む）

【課題】回転機械の迅速な起動を許容し、かつ、ロータに生じる熱応力を抑制することを課題とする。
【解決手段】軸線Ｐ周りに延びる外周部１０ａの周囲をステータ５０に囲われ、該ステータ５０と外周部１０ａとの間に画定された流路３に作動流体Ｓ１，Ｓ２が導入される回転機械Ｔ１のロータ１０であって、軸線Ｐが延びる軸方向に相互に接合された複数のロータ部材２０，３０，４０を有し、これら複数のロータ部材２０，３０，４０のうち、流路３の作動流体導入部３ａ，３ｂにおける第一ロータ部材３０が、Ｎｉ基合金からなり、軸方向全部に亘って内部が中空であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウエットエッチング性に優れた特性を有する新規な金属配線膜を提供すること。
【解決手段】表示装置またはタッチパネルセンサーの配線用Ｔｉ合金膜に用いられる配線膜であって、合金成分としてＸ群元素（Ｘは、希土類元素、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｆｅ、及びＮｉよりなる群から選択される少なくとも一種の元素）を３〜５０原子％、および／または酸素を０．２〜３．０質量％を含み、残部Ｔｉおよび不可避不純物からなることに要旨を有する表示装置の配線用Ｔｉ合金膜。 （もっと読む）

【課題】金属二次電池に使用された際に、従来の負極活物質よりサイクル特性を向上させることができる電極活物質、及び当該電極活物質を負極に含有する金属二次電池を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される組成を有するハーフホイスラー化合物を含有することを特徴とする、電極活物質。
αβγ 一般式（１）
（ただし、上記一般式（１）中、αはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｒ、Ｐｔ及びＡｕからなる群から選ばれる元素であり、βはＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｈｆ及びＴａからなる群から選ばれる元素であり、γはＡｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｌ、Ｐｄ及びＢｉからなる群から選ばれる元素である。） （もっと読む）

【課題】酸素の遮断性能に優れ、かつ拡散による変質が起りにくい合金皮膜が形成されたニオブ基合金耐熱材料を提供する。
【解決手段】基材表面に、一般式Ｒｅ_1-a-bＭ_aＲ_b（ＭはＣｒ，Ｓｉのうちの１種以上、ＲはＮｂ，Ｍｏ，Ｗ，Ｈｆ，Ｚｒ，Ｃのうちの１種以上の元素で、ａ，ｂはＭ，Ｒの原子比）で表される組成を有する第一層の合金皮膜が形成され、さらにその表面に一般式Ｑ_1-cＳｉ_c（ＱはＭｏ，Ｗ，Ｎｂのうちの１種以上の元素で、ｃはＳｉの原子比）で表される組成を有する第二層の合金皮膜が形成されたニオブ基合金の耐熱材料。 （もっと読む）

【課題】主として金属伝導性且つ電気伝導性であり、並びにナノスケールの且つ一様に定義された構造を有する、熱及び腐食に対して高安定性の電極材料及び回路材料を提供する。
【解決手段】Ａ群から選択された特定の金属又は金属混合物からのコア（１）を包含し、前記コア（１）は、Ｂ群から選択された特定の金属又は金属混合物の酸化物（２ａ、２ｂ、２ｃ）で少なくとも部分的に取り囲まれている導電性材料において、前記コア（１）が、１００ｎｍ以下の平均粒径を有することを特徴とする導電性材料により解決される。 （もっと読む）

【課題】比較的大径の貴金属チップが接地電極に接合されてなるスパークプラグにおいて、貴金属チップの耐剥離性を十分に確保しつつ、コストの増大抑制を図る。
【解決手段】スパークプラグ１は、中心電極５と、接地電極２７と、接地電極２７に接合され、中心電極５との間で火花放電間隙３３を形成する貴金属チップ３２とを備える。貴金属チップ３２は、火花放電間隙３３を形成する面の面積が０．９ｍｍ²以上であり、接地電極２７の先端面２７Ｆ及び側面２７Ｓ１，２７Ｓ２のうちの少なくとも１つの面にレーザービーム等を照射することで形成された溶融部３５を介して接合される。貴金属チップ３２の中心軸ＣＬ２に沿って、中心軸ＣＬ２と直交する投影面に貴金属チップ３２及び溶融部３５を投影した投影面において、貴金属チップ３２が投影されてなる領域に対し、貴金属チップ３２と溶融部３５とが重なる領域の占める割合が７０％以上とされる。 （もっと読む）

スパークプラグおよび、産業用プラグ、航空機用イグナイタ、グロープラグ、またはエンジン内で混合気を点火するのに用いられる任意の他の装置を含む、他の点火装置において用いられ得るスパークプラグ電極材料。例示的な実施形態に従うと、電極材料は、耐熱金属（たとえば、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、レニウム（Ｒｅ）、ルテニウム（Ｒｕ）および／またはクロム（Ｃｒ））と、貴金属（たとえば、ロジウム（Ｒｈ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）および／またはイリジウム（Ｉｒ））とを含む。耐熱金属は、貴金属よりも多い量で存在する。これは、Ｗ−Ｒｈなどのタングステン系合金およびＲｕ−Ｒｈなどのルテニウム系合金を含む電極材料を含むが、当然これらに限定されない。他の組合せおよび実施形態も可能である。
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【課題】品質の優れた合金塊を簡単で、短時間に作製できる合金塊の作製装置とする。
【解決手段】ハウジング２の溶解室３内にハース５を旋回自在に設け、このハース５に溶解用凹部８と成形用凹部９を形成すると共に、溶解用加熱機構３０と反転機構４０と搬送機構５０を設け、前記溶解用凹部８内に投入した合金材料を溶解用加熱機構３０で加熱して溶解、撹拌して粗合金塊とし、この粗合金塊を反転機構４０で自動的に表裏反転し、再び溶解用加熱機構３０で裏面側から加熱して溶解、撹拌して粗合金塊とし、その粗合金塊を搬送機構５０で成形用凹部９にセットした後に成形用加熱機構６０で加熱して成形するようにする。 （もっと読む）

【課題】効率的かつ安定した製造技術及びそれによって得られた高純度ハフニウム材料、同材料からなるターゲット及び薄膜を提供する。
【解決手段】ジルコニウムとガス成分を除き純度４Ｎ以上であって、酸素含有量が４０ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする高純度ハフニウム、同高純度ハフニウムからなるターゲット及び薄膜、ジルコニウムとガス成分を除き純度４Ｎ以上であって、硫黄、リンの含有量がそれぞれ１０ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする高純度ハフニウム、同高純度ハフニウムからなるターゲット及び薄膜。ジルコニウムを低減させたハフニウムスポンジを原料として使用し、さらにハフニウム中に含まれる酸素、硫黄、リンの含有量を低減させた高純度ハフニウム材料、同材料からなるターゲット及び薄膜並びに高純度ハフニウムの製造方法。 （もっと読む）