【課題】高温強度、室温靭性に優れ、精密鋳造・一方向凝固が適用できる材料や熱間加工が容易な材料を提供する。
【解決手段】Siを９．０〜１７．５原子％、Au,Pd,Re,Os,Ir,及びPtからなる群から選ばれる１又は複数種の元素を１原子％以上固溶限度以下含有し残部が不可避不純物及びニオブからなり、Nb母材相中に球状化したNb₅Si₃粒子を分散したNb/Nb₅Si₃共晶組織を有することを特徴とするニオブ基耐熱合金。１２００℃高温三点曲げ試験による変位量が１５００μｍ以上である。原料金属成分を溶融させる溶融工程と、上記溶融工程によって得られた溶融物を凝固させる凝固工程と、上記凝固工程によって得られたNbとNb₅Si₃からなるラメラ構造をもつ凝固物を固体状態で１１００〜１７００℃で熱処理してNb₅Si₃を球状化する熱処理工程と、を含む方法により製造できる。 （もっと読む）

【課題】酸化等の問題がない、３００〜７００Ｋの温度域の排熱を利用する熱電変換材料を実用化することを目的とし、その温度域でゼーベック係数の大きく、かつ電気抵抗率の小さい熱電変換材料を提供する。
【解決手段】ホイスラー合金型結晶構造を有するＦｅ_２ＶＡｌ系の熱電変換材料において、Ａｌの一部をＴａにて置換したＦｅ_２＋_ｘＶ_１＋_ｙ（Ａｌ_１−_αＴ_ａα）_１＋ｚであって、−１＜ｘ＜１、−１＜ｙ＜１、−１＜ｚ＜１、０＜α＜１なる熱電変換材料。 （もっと読む）

【課題】化合物超電導線内部に残留する歪みを緩和し、かつ、撚線加工の際に超電導特性の性能を低下させない製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】所定の熱処理を施すことによって超電導体になる化合物超電導原料が少なくとも断面内の一部を占める線材を形成する線材形成工程と、複数の前記線材を用いて撚線を形成する撚線加工工程と、前記撚線工程後の撚線に前記熱処理を施して前記化合物超電導原料を超電導体にし、前記撚線を化合物超電導撚線にする熱処理工程と、前記熱処理工程において得られた化合物超電導線材に、曲げ歪みを加える曲げ加工工程とを備えたことを特徴とする化合物超電導撚線の製造方法。 （もっと読む）

【課題】微生物による水素生産効率を向上させる技術の提供。
【解決手段】水素産生能を有する微生物を培養し、得られた培養液を不活性ガス及び水素吸蔵合金の存在下に水素を発生させることを特徴とする水素の製造方法。 （もっと読む）

【課題】水素含有ガスから水素を選択的に透過して分離するための水素分離膜であって、Ｎｂ−Ｗ系合金からなる水素分離膜を提供する。
【解決手段】水素含有ガスから水素を選択的に透過して分離するための水素分離膜であって、ＮｂにＷを添加して合金化したＮｂ−Ｗ合金膜からなることを特徴とする水素分離膜、および、ＮｂにＷとＴａを添加して合金化したＮｂ−Ｗ−Ｔａ合金膜からなることを特徴とする水素分離膜。 （もっと読む）

【課題】 高温短時間熱処理におけるＣｕとＴａの間（又はＡｇとＮｂ，Ｔａの間）の非反応性を活用して、従来と全く逆の発想による革新的断面構造を提案し、（１）低磁界不安定性の抑制、（２）良好な前駆体線の伸線加工性、（３）安定化材の複合にかかる費用の低減を図る。
【解決手段】 ＮｂとＡｌとのモル比が３：１で混合されたＮｂとＡｌの複合体からなるＮｂ／Ａｌ複合体フィラメント領域が、Ｎｂ又はＴａからなる隔壁で被覆され、その外側がＣｕ又はＡｇからなるフィラメント間バリア材で被覆されたシングル線を複数集合させた集合体の周囲を、Ｎｂ又はＴａからなる外皮で被覆して構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】成膜の品質を向上させるルテニウム合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】ルテニウム粉末とルテニウムよりも酸化力が強い金属粉末との混合粉末を焼結して得られるルテニウム合金焼結体ターゲットであって、ガス成分を除くターゲットの純度が99．95wt％以上であり、ルテニウムよりも酸化物を作りやすい金属を5at%〜60at%含有し、相対密度が99％以上、不純物である酸素含有量が1000ｐｐｍ以下であることを特徴とするルテニウム合金スパッタリングターゲットであり、ターゲット中に存在する酸素を低減させて、スパッタ時のアーキングやパーティクルの発生を少なくし、焼結密度を向上させてターゲットの強度を高め、さらにSi半導体へ微量添加されているB及びPの組成変動を防止するために、ターゲット中のB及びP不純物の量を厳しく制限する。 （もっと読む）

【課題】ベース金属層と被覆金属層との間の相互拡散や、ベース金属層の合金成分の酸化を防止するための中間層が低コストにて形成された水素分離膜と、その製造方法と、この水素分離膜を備えた水素製造装置を提供する。
【解決手段】５Ａ族金属又はその合金よりなるベース金属層１２と、該ベース金属層１２の表面に形成された中間層１３と、該中間層１３上に形成された被覆金属層１４とを有する水素分離膜１１において、該中間層１３はベース金属層１２を陽極酸化することにより形成されたものであることを特徴とする水素分離膜１１。ベース金属層１２を陽極酸化して中間層１３を形成する工程と、中間層１３の上に被覆金属層１４を形成する工程とを有することを特徴とする水素分離膜１１の製造方法。この水素分離膜１１を備えた水素製造装置。 （もっと読む）

【課題】酸素等の不純物の量の少ないＰｄ合金系スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｐｄを主要成分として含有するＰｄ合金系スパッタリングターゲットであって、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａのうちの少なくとも１種以上を合計で１〜６０ａｔ％含有し、残部がＰｄおよび不可避的不純物からなり、ターゲット全体に対する酸素含有量を２０００質量ｐｐｍ以下にする。
また、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａのうちの少なくとも１種以上を合計で１〜６０ａｔ％含有し、残部がＰｄおよび不可避的不純物からなるＰｄ合金粉末をアトマイズ法で作製し、作製した該Ｐｄ合金粉末を加圧下で加熱して成形してＰｄ合金系スパッタリングターゲットを製造する。 （もっと読む）

【課題】水素の吸蔵・放出特性を改善した水素吸蔵合金を提供する。
【解決手段】下記一般式（１６）で表され、かつＣｕＫα線を用いたＸ線回折パターンにおける２θ＝８〜１３゜の範囲に現れる最強ピークの強度（Ｉ₁）と、全ピークの最強線ピークの強度（Ｉ₂）との強度比（Ｉ₁／Ｉ₂）が０．１５未満である合金を含む水素吸蔵合金。
Ｒ４_1-a-bＭｇ_aＭ８_b（Ｎｉ_1-xＭ９_x）_z …（１６）
ただし、Ｒ４はイットリウムを含む希土類元素およびＣａから選ばれる少なくとも１つの元素、Ｍ８はＭｇより電気陰性度の大きな元素（ただし、Ｒ４、Ｎｉ、Ｍ９を除く）、Ｍ９はＣｏ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｖ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｃｕ，Ｓｉ，Ｐ，Ｂから選ばれる少なくとも１つの元素であり、ａ、ｂ、ｘ、ｚはそれぞれ０＜ａ≦０．６、０≦ｂ≦０．５，０≦ｘ≦０．９，２．５≦ｚ＜４．５を示す。 （もっと読む）