【課題】均一微細な組織を備え、プラズマが安定であり、膜の均一性（ユニフォーミティ）に優れた高純度タンタルスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】１ｍａｓｓｐｐｍ以上、１００ｍａｓｓｐｐｍ以下のモリブデンを必須成分として含有し、モリブデン及びガス成分を除く純度が９９．９９８％以上であることを特徴とするタンタルスパッタリングターゲット。上記に、０〜１００ｍａｓｓｐｐｍ（但し０ｍａｓｓｐｐｍを除く）のニオブをさらに含有し、モリブデン、ニオブ及びガス成分を除く純度が９９．９９８％以上であることを特徴とする記載のタンタルスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】均一微細な組織を備え、プラズマが安定であり、膜の均一性（ユニフォーミティ）に優れた高純度タンタルスパッタリングターゲットを得る。
【解決手段】１ｍａｓｓｐｐｍ以上、１００ｍａｓｓｐｐｍ以下のタングステンを必須成分として含有し、タングステン及びガス成分を除く純度が９９．９９８％以上であることを特徴とするタンタルスパッタリングターゲット。０〜１００ｍａｓｓｐｐｍ（但し０ｍａｓｓｐｐｍを除く）のモリブデン及び／又はニオブをさらに含有し、タングステン、モリブデン、ニオブの合計含有量が１ｍａｓｓｐｐｍ以上、１５０ｍａｓｓｐｐｍ以下であり、タングステン、モリブデン、ニオブ及びガス成分を除く純度が９９．９９８％以上であることを特徴とする上記のタンタルスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】高価な後処理工程を必要とすることなく、所望の形態を維持することが可能である、相応する酸化物を還元することにより特別に調整された形態を有するバルブ金属粉末の製造法を提供する。
【解決手段】ａ）所望の形態の前駆物質の製造、ｂ）バルブ金属の酸化物への前駆物質の変換、ｃ）熱処理による酸化物の構造の安定化およびｄ）形態を維持しながら行う、安定化された酸化物の還元の工程を含む、バルブ金属粉末の製造法。 （もっと読む）

【課題】均一微細な組織を備え、プラズマが安定であり、膜の均一性（ユニフォーミティ）に優れた高純度タンタルスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】１ｍａｓｓｐｐｍ以上、１００ｍａｓｓｐｐｍ以下のタングステンを必須成分として含有し、タングステン及びガス成分を除く純度が９９．９９８％以上であることを特徴とするタンタルスパッタリングターゲット。０〜１００ｍａｓｓｐｐｍ（但し０ｍａｓｓｐｐｍを除く）のモリブデン及び／又はニオブをさらに含有し、タングステン、モリブデン、ニオブの合計含有量が１ｍａｓｓｐｐｍ以上、１５０ｍａｓｓｐｐｍ以下であり、タングステン、モリブデン、ニオブ及びガス成分を除く純度が９９．９９８％以上であることを特徴とする上記のタンタルスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】
本発明は多成分単一体のスパッタリングターゲット及びその製造方法、これを利用した多成分合金系ナノ構造薄膜製造方法に関するものである。
【解決手段】
本発明による多成分単一体のスパッタリングターゲットは、窒素と反応して窒化物形成が可能な窒化物形成金元素及び前記窒化物形成金元素に対する高溶度がないか低く、窒素と反応しないか反応性が低い非窒化物形成金元素の非晶質または部分結晶化された非晶質形成合金系を含むもので、前記窒化物形成金元素はTi、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Al、Siから選択された少なくとも一つの元素を含み、前記非窒化物形成金元素はMg、Ca、Sc、Ni、Cu、Y、Ag、In、Sn、La、Au、Pbから選択された少なくとも一つの元素を含んで構成してもよい。 （もっと読む）

【課題】種々の金属材料などからなるスパッタリングターゲットにおいて、各種デバイスの高性能化などに伴って益々厳しくなってきているスパッタ膜への要求特性を満足させる。具体的には、スパッタ膜の膜厚分布や膜組成の均一化、各種機能材料として用いられる膜の諸特性の向上および均一化、ダスト発生数の低減などを図る。
【解決手段】Ｍｎを主成分とし、各部位の酸素量を全体の酸素量の平均値に対して±２７％以内の範囲にあるスパッタリングターゲット、またはＭｎを主成分とし、各部位の窒素量を全体の酸素量の平均値に対して±７５％以内の範囲にあるスパッタリングターゲットを製造する方法において、Ｍｎを主成分とする粗金属材を真空溶解して溶解材を得る工程と、前記溶解材に所定の処理および加工を施して所定の形状に成形する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】Ｖ−Ｗ系合金からなる新規水素分離膜、同水素分離膜による水素分離法及び水素分離条件を特定の手法により設定する方法を得る。
【解決手段】Ｖ−Ｗ系合金膜、同Ｖ−Ｗ系合金膜による水素分離法、及び、Ｖ−Ｗ系合金膜による水素の分離のための条件を、（ａ）温度Ｔにおける、（ｂ）Ｖ−Ｗ系合金膜に対する水素雰囲気の水素圧力Ｐ、（ｃ）Ｖ−Ｗ系合金膜に対する固溶水素量Ｃを測定し、（ｄ）温度Ｔ、水素圧力Ｐ、固溶水素量Ｃの実測データを基にこれら３要件を関連付けたＰＣＴ曲線を作成し、当該ＰＣＴ曲線を基に固溶水素量ＣとＶ−Ｗ系合金膜の脆性破壊との関係を求めて耐水素脆性に係る限界固溶水素量を評価することにより、使用温度、一次側、二次側の水素圧力条件を設定する。 （もっと読む）

【課題】Ｔａ−Ｗ系スパッタリングターゲットにおいて、面内の抵抗ばらつきが小さいと共に、下地膜との密着力に優れたＴａ−Ｗ合金膜を再現性よく得ることを可能にする。
【解決手段】Ｔａ−Ｗ系スパッタリングターゲットは、０．０５〜２質量％の範囲のＷを含有し、残部が実質的にＴａからなると共に、ターゲット全体としてのＷ含有量のばらつきが±２０％以内とされている。このようなＴａ−Ｗ系スパッタリングターゲットを用いて成膜したＴａ−Ｗ合金膜は、例えばＴＦＤ素子１の第１の電極３に適用される。ＴＦＤ素子１は第１の電極３／陽極酸化膜４／第２の電極５によるＭＩＭ構造を有し、液晶表示装置のスイッチング素子等に適用される。 （もっと読む）

【課題】半導体素子などに用いられるＣｕ配線のバリア層の形成に好適なスパッタリングターゲットの製造方法及びスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】粗金属Ｔａをエレクトロンビーム溶解して高純度Ｔａインゴットを精製する工程と、得られた高純度Ｔａインゴットに対して鍛造、圧延による塑性加工を施す工程と、塑性加工を施した前記高純度Ｔａインゴットに熱処理を施す工程と、を有することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法、及びパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】ＣＶ値の低下の無いコンデンサ用のニオブ粉を提供する。
【解決手段】タンタル含有量が７００質量ｐｐｍ以下（ ただし、２００ｐｐｍ未満を除く）のニオブ粉であって、該ニオブ粉はその一部が窒化されたニオブ粉であり、その窒化量は数１０質量ｐｐｍ〜数万質量ｐｐｍである。
ニオブ粉には、一次粒子の平均粒径が１μｍ以下であるニオブ粉を造粒したものも含まれる。
本発明のニオブ粉はフッ化ニオブ酸カリウムのナトリウム還元物を粉砕して得る方法、あるいはニオブインゴットの水素化物を粉砕し、脱水素して得る方法などにより得られる。 （もっと読む）