【課題】均一で連続的なＮｂ_３Ｓｎ層を備えたＮｂ_３Ｓｎ超電導線材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】棒状の金属からなる巻芯１の外周に、Ｓｎ又はＳｎ合金シート２ａとＣｕ又はＣｕ合金シート２ｂとの積層物を巻き付けてジェリーロール積層体１５を形成する工程と、１本又は複数本のジェリーロール積層体１５の外周にＮｂ又はＮｂ合金層３を設けて前躯体２０を形成する工程と、前駆体２０を伸線加工する工程と、伸線する工程で伸線加工された前駆体２０に熱処理を施して、１本又は複数本のジェリーロール積層体１５からＮｂ又はＮｂ合金層３にＳｎを拡散させてＮｂ_３Ｓｎ層を生成する工程と、を含むＮｂ_３Ｓｎ超電導線材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】良好な加工性を有し、Ｎｂ₃Ｓｎ相の生成を促進し、超伝導特性に優れたＮｂ₃Ｓｎ超伝導線材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｎとＢとＣｕを含む第１の基材と、前記第１の基材に隣接して配置されたＮｂを含む第２の基材と、ＮｂとＳｎとの拡散反応により前記第１の基材と前記第２の基材との間に生成されたＮｂ₃Ｓｎ化合物層とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶ値の低下の無いコンデンサ用のニオブ焼結体を提供する。
【解決手段】タンタル含有量が７００質量ｐｐｍ以下のニオブ粉を５００℃〜２０００℃（ただし、１１００℃、１１５０℃、１２５０℃、１３００℃、１３５０℃を除く）で加熱して焼結体とする。
ニオブ粉は、その一部が窒化されたニオブ粉でもよい。また、一次粒子の平均粒径が１μｍ以下であるニオブ粉を造粒したニオブ粉でもよい。 （もっと読む）

【課題】長尺化できるＮｂ_３Ａｌ超電導線材、及びＮｂ_３Ａｌ超電導線材の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎｂ_３Ａｌ超電導線材は、Ｎｂ及びＡｌを含む線材と、線材を覆うＮｂ層又はＴａ層と、Ｎｂ層又は前記Ｔａ層上に設けられる金属層とを備える。Ｎｂ及びＡｌを含んで形成される線材をＮｂ層又はＴａ層で覆った前駆体線材を形成する前駆体線材形成工程と、前駆体線材を加熱して冷却することにより、過飽和固溶体線材を形成する熱処理工程と、過飽和固溶体線材の表面に金属層を形成する金属層形成工程とを備えるＮｂ３Ａｌ超電導線材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】初期有効水素量が高く、かつ、サイクル耐性に優れた水素吸蔵合金及びその製造方法、並びに、このような水素吸蔵合金を用いた水素貯蔵装置を提供すること。
【解決手段】Ｔｉ_xＣｒ_yＶ_zＸ_wで表される組成を有するｂｃｃ構造相を主相とすることを要旨とする水素吸蔵合金及びこれを用いた水素発生装置。Ｔｉ_xＣｒ_yＶ_zＸ_wで表される組成となるように配合された原料を溶解・鋳造する溶解・鋳造工程と、前記溶解・鋳造工程で得られた鋳塊を熱処理する熱処理工程と、熱処理された前記鋳塊に水素を吸蔵・放出させる処理を少なくとも１回行う活性化工程とを備えた水素吸蔵合金の製造方法。但し、３／２≦ｙ／ｘ≦３／１、５０≦ｚ≦７５ｍｏｌ％、０≦ｗ≦５ｍｏｌ％、ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ＝１００ｍｏｌ％。Ｘ＝Ａｌ、Ｓｉ及びＦｅから選ばれるいずれか１種以上。 （もっと読む）

キャパシタの製作に使用される金属性粉末の製造方法は、非金属化合物を、溶融塩と接触させて金属に還元するステップを含む。塩は、工程の少なくとも一部において、金属中で焼結遅延剤として作用するドーパント元素を含有する。好ましい実施例において、金属性粉末は、Ｔａ又はＮｂ酸化物を還元することにより製造されるＴａ又はＮｂ粉末であり、ドーパントはホウ素、窒素又はリンである。 （もっと読む）

【課題】燃料電池のセパレータの表面を被覆して、低い接触抵抗を長期間維持する効果を付与し、かつ低コストで生産性に優れた耐食皮膜、およびこれを用いたセパレータを提供する。
【解決手段】本発明に係るセパレータ１０は、Ｔｉ，Ａｌ，ＳＵＳ等の金属材料からなる基材１の表面に、耐食層２１とＡｕ，Ｐｔから選択される１種以上の貴金属元素からなる導電層２２とを積層した耐食皮膜２を備える。耐食層２１は、Ａｕ，Ｐｔから選択される１種以上の貴金属元素と、Ｎｂ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｈｆから選択される１種以上の非貴金属元素との合金からなり、前記非貴金属元素の含有量を５０〜９０原子％とすることにより非晶質合金となって、通常のスパッタリング法等で薄膜に成膜してもピンホールを形成し難く、基材１が露出しない。このような耐食層２１を下地に備えることにより、セパレータ１０は、表面の導電層２２を薄膜としてコストを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】窒素含有ニオブ粉末、このニオブ粉末から製造したキャパシター、及びニオブアノードのＤＣ漏れを減少させる方法を提供する。
【解決手段】窒素含有ニオブ粉末、このニオブ粉末から製造したキャパシター、及びニオブアノードのＤＣ漏れを減少させる方法とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、素子を構成する材料の高純度化と均質性によって回路の微小化を可能とするための、高純度バナジウム、高純度バナジウムからなるターゲット、高純度バナジウム薄膜、及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】α放射を生ずるＵの同位体元素とＴｈの同位体元素の不純物含有量が、それぞれ１ｗｔｐｐｂ未満であり、さらにＰｂ及びＢｉの同位体元素の不純物含有量を、それぞれ１ｐｐｍ未満、０．１ｐｐｍ未満とし、バナジウムの純度が９９．９９ｗｔ％以上とする。粗バナジウム原料を、溶融塩電解してカソード側に電析バナジウムを得、次にこれを電子ビーム溶解し、得られたインゴットを鍛造・圧延してスパッタリング用ターゲットとする。 （もっと読む）

【課題】 高い水素透過係数を維持したまま飛躍的に耐水素脆化性を高めることができる水素分離合金、圧延を適用する水素分離合金圧延形成用素材、水素分離合金の製造方法、および水素分離装置を提供する。
【解決手段】 原子％で、Ｔ_{１００−（α＋β＋γ）}Ｍ_αＸ_βＺ_γ（ただし式中、Ｔ元素はＶ、Ｎｂ、Ｔａからなる群の１種以上、Ｍ元素はＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆからなる群の１種以上、Ｘ元素はＣｏ、Ｎｉからなる群の１種以上、Ｚ元素はＢ、Ｃ、Ｐからなる群の１種以上であり、式中α、β、γは５≦α≦４５、１５≦β≦５５、０．１≦γ≦５であり且つ、α＋β＋γの和が２０〜８０）と不可避不純物からなる組成を有する合金で構成した水素分離合金。 （もっと読む）