【課題】Ｎｂ₃Ｓｎ超電導線材を製造するときに用いるＮｂまたはＮｂ基合金における加工性（特に、押出し比）を高めることのできるようなＮｂまたはＮｂ基合金棒、およびこのようなＮｂまたはＮｂ基合金棒を用いて良好な超電導特性（特に、臨界電流およびｎ値）を発揮する超電導線材、およびそのための前駆体とその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎｂ₃Ｓｎ超電導線材製造用ＮｂまたはＮｂ基合金棒は、ブロンズ法によってＮｂ₃Ｓｎ超電導線材を製造するために用いられるＮｂまたはＮｂ基合金棒であって、横断面中心点を通り長手方向に平行な縦断面における結晶組織の再結晶率が７８％以上であり、且つ室温における０．２％耐力の値が２２０ＭＰａ以下である。 （もっと読む）

窒素を均一に含有するバルブメタル粒子を作製するための方法であり、バルブメタルの原料粒子を２時間以上２００℃以下の温度の窒素含有ガス中で加熱することを含む。上記方法によって作製されたバルブメタル粒子は窒素を均一に含有し、粒子の窒素含有量の相違比率は２０％以下である。 （もっと読む）

【課題】耐久性を向上させることが可能な水素吸蔵合金、及び、当該水素吸蔵合金の製造方法を提供する。
【解決手段】質量％で、Ｔｉ：５〜１０％、Ｃｒ：５〜１５％、Ｖ：７０〜８９％、及び、Ｍｏ：１〜１０％を含有し、残部が不可避的不純物からなる水素吸蔵合金であって、母相内に、針状又は板状の高Ｔｉ相が析出している、水素吸蔵合金とし、質量％で、Ｔｉ：５〜１０％、Ｃｒ：５〜１５％、Ｖ：７０〜８９％、及び、Ｍｏ：１〜１０％を含有し、残部が不可避的不純物からなる溶融状態の合金を作製する第１工程と、該第１工程後に、５分以上１５分以下の時間で溶湯を流し込まれた鋳型を８６０℃まで冷却する第２工程と、該第２工程後に、５分以上３０分以下の時間で鋳型を６７０℃まで冷却する第３工程と、を有する、水素吸蔵合金の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】突発的な巨大ダストの発生を抑制し、Ｎｂ膜の歩留りを向上させることを可能にしたスパッタターゲットを提供する。
【解決手段】高純度Ｎｂからなるスパッタターゲットであって、Ｎｂの各結晶粒は、平均結晶粒径に対して 0.1〜10倍の範囲の粒径を有すると共に、隣接する結晶粒の粒径サイズの比が 0.1〜10の範囲である。 （もっと読む）

【課題】漏れ電流値の小さいコンデンサを提供し得るニオブ粉、ニオブ焼結体、その化成体、及びそれらを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】ニオブ粉粒子の平均窒素濃度が粒子表面から深さ方向に不均一であり、ニオブ粉粒子表面からの深さ５０〜２００ｎｍまでの平均窒素濃度が0.29〜４質量％であり、かつ、粒子表面からの深さ５０ｎｍまでの平均窒素濃度がニオブ粉粒子表面からの深さ５０〜２００ｎｍまでの平均窒素濃度以下であるニオブ粉を用いる。 （もっと読む）

【課題】ブロンズ法Ｎｂ₃Ｓｎ超電導線材における機械的強度の強化を図ると共に、超電導特性にも優れたブロンズ法Ｎｂ₃Ｓｎ超電導線材、およびこうした超電導線材を実現するための超電導線材製造用前駆体を加工上の問題を生じさせることなく簡便に得るための構成の提供。
【解決手段】本発明のブロンズ法Ｎｂ₃Ｓｎ超電導線材前駆体は、Ｃｕ−Ｓｎ基合金中に（Ａ）ＮｂまたはＮｂ基合金フィラメントが配置された超電導複合エレメント３と、（Ｂ）ＴａまたはＴａ基合金フィラメントが配置された補強用複合エレメント７とを夫々多数本束ねて集合体とすると共に、外周に拡散障壁、安定化銅６が配置された前駆体であって、前記補強用複合エレメント内に配置されるＴａまたはＴａ基合金フィラメントは、前駆体の線材断面内に占める面積割合を２〜１５％とすると共に、線材の外径をＤとしたとき、補強用複合エレメントの存在位置が０．７Ｄ〜０．９Ｄの範囲内である。 （もっと読む）

本発明は、ニオブ亜酸化物又はニオブの粉末を調製するための方法であって、原材料としてのニオブ酸化物を還元剤と混合し、減圧又は不活性ガス又は水素ガスの雰囲気中において６００〜１３００℃の範囲の温度で反応を行い、反応生成物を浸出させて残留した還元剤と還元剤の酸化物と他の不純物を除去し、減圧又は不活性ガスの雰囲気中において１０００〜１６００℃の範囲の温度で熱処理し、そしてふるいにかけてコンデンサグレードのニオブ亜酸化物又はニオブの粉末を得ることを含む前記方法に関する。本発明にしたがえば、ニオブ酸化物は、鉱酸により容易に除去することができる還元剤により、直接、コンデンサグレードのニオブ亜酸化物又はニオブへと還元され、その際、反応の速度を制御することができ、反応により直接ニオブ酸化物をコンデンサグレードのニオブ亜酸化物又はニオブの粉末へと還元することができる。本発明にしたがえば、本方法は簡単であり、収率が高く、生産性が高い。得られる生成物は、流動性がよく、不純物が少なく、酸素の分布が均一であり、電気特性がよい。 （もっと読む）

【課題】溶製ままでＢＣＣ構造を有し、低温域での水素放出特性に優れた高容量水素吸蔵合金を提案する。
【解決手段】一般式Ｔｉ_ａＭｏ_ｂＶ_ｃ（但し、ａ、ｂ、ｃはａｔ％、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００、０＜ｂ＜２５、ｃ≧７０）または一般式Ｔｉ_ａＭｏ_ｂＶ_ｃ（但し、ａ、ｂ、ｃはａｔ％、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００、０＜ｂ＜２５、ｃ＜７０、ａ／ｂ≦２）で表される組成を有し、体心立方構造を有する、常温で有効に水素を吸収、放出でき、更に氷点下のような低温域での放出特性にも優れている。また、全ての組成範囲で溶解ままでもＢＣＣ構造を示すことから、特殊な熱処理などの後処理は不要となり、製造負担が軽減される。 （もっと読む）

【課題】半導体素子への銅拡散バリア性を保持しつつ、銅配線部を無電解めっきすることが可能であるタンタルパラジウムスパッタリングターゲット、及び十分な密度の焼結体とすることができる同スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】タンタルとパラジウムとからなる半導体素子配線部の銅拡散防止バリア膜形成用スパッタリングターゲットであって、パラジウムが15原子％以上、70原子％以下であり、残部がタンタル及び不可避不純物からなるタンタルパラジウムスパッタリングターゲット。タンタルとパラジウムからなる焼結体の製造方法であって、タンタルとパラジウムとの金属間化合物を予め作製し、該金属間化合物を混合して焼結することを特徴とするタンタルパラジウムスパッタリングターゲットの製造方法。 （もっと読む）

【課題】水素吸蔵材を、低温・低圧の条件下であっても短時間で活性化させる。
【解決手段】活性化が施されていない難活性化水素吸蔵材と、活性化済水素吸蔵材とを混合して、水素吸蔵材を調製する。その後、この水素吸蔵材に対して活性化を行えば、前記難活性化水素吸蔵材が極めて短時間で水素を吸蔵することが可能な状態となる。この種の難活性化水素吸蔵材としては、結晶構造が体心立方（ＢＣＣ）型となるＶ−Ｃｒ−Ｔｉ系水素吸蔵合金が例示される。一方の活性化済水素吸蔵材としては、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｖの少なくともいずれか１種のナノ粒子が添加されたＭｇＨｘ（ただし、０．１≦ｘ≦２）が好適である。 （もっと読む）