【課題】 黄銅組織中に晶出する針状Ｍｎ−Ｓｉ系化合物の分散状態を制御することにより、優れた耐焼付性を有する銅系摺動材料を提供する。
【解決手段】 黄銅組織２中に針状Ｍｎ−Ｓｉ系化合物３を分散させた銅系摺動材料１において、長軸方向の長さが５０μｍ以上である針状Ｍｎ−Ｓｉ系化合物３の総数の５０％以上が複数の小粒子４から構成されることで、摺動中に針状Ｍｎ−Ｓｉ系化合物３が脱落するとしても、針状Ｍｎ−Ｓｉ系化合物３を構成する小粒子４が脱落するようになり、軸および軸受を傷つけるような粗大な針状Ｍｎ−Ｓｉ系化合物３が脱落する頻度が減るため、焼付き難くなる。 （もっと読む）

【課題】強度が高く、導電率が高いことから、小径化、軽量化が可能で極細電線に応用可能な電線用導体を提供する。
【解決手段】銅からなる母相中に金属結晶からなる第二相が多数分散されている合金から構成された電線用導体であって、前記金属結晶が針状形状であり、かつ、前記電線用導体の長手方向に配向している電線用導体。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブ（以下ＣＮＴ）の複合材料の製造の改良に関する方法および新規の材料の開発手法に関する方法を提供する。ＣＮＴは、微小な材料ゆえその扱いが困難で均一に配合するができず、品質の安定に難があったり不純物の排除が困難であった。またＣＮＴを用いた新たな材料を少ないリスクで開発したい要求がある。
【解決手段】薄膜２４にフェムト秒レーザーを照射して、ＣＮＴ２２のサイズより大きな穴２３を形成し、穴中にＣＮＴを落とし込み再加工し複合材料２５内のＣＮＴの分布の均一化をはかる。 （もっと読む）

複合材料の巻線を含むことによって軸対称の環状金属部品を補強すること。本発明によれば、部品のための金属ブランク（１１）が調製され、それの同軸の内面の中に広がり、かつ内側から外側に向かって減少する軸方向広がりから成る垂直断面を有するキャビティ（１４）が、中に形成され、補強糸（２１）が、キャビティ内に巻き付けられ、前記キャビティは、閉鎖され、組立体が、熱間等静圧圧縮プロセスにかけられ、ブランクは、最終部品を得るように機械加工される。
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【課題】実質的に均一な高い熱伝導率及び望ましい界面特性を有するインジウムＴＩＭの提供。
【解決手段】電気化学的に堆積されたインジウム複合体が開示されている。このインジウム複合体は、１種以上のセラミック材料と共に、インジウム金属又はインジウムの合金を含有する。このインジウム複合体は、高いバルク熱伝導率を有する。このインジウム複合体を含有する物品も開示されている。 （もっと読む）

【課題】純銅と略同等の導電率を有し、純銅よりも優れた耐屈曲性を有する複合導体の製造方法及び撚り線導体並びにこれを用いたケーブルを提供する。
【解決手段】純銅または銅合金からなる心材２の外周に、ＡｇまたはＡｇ合金からなる被覆層を形成して被覆心材２を形成し、その被覆心材２に所定の条件でバッチ式熱処理を施して上記被覆層をＣｕ相からなる連続相とＡｇ相からなる分散相から構成される分散組織とした後、その熱処理が施された被覆心材２に伸線加工を施して上記被覆心材２の外層部に母相中に金属繊維が分散した繊維分散層３を形成するものである。 （もっと読む）

【課題】熱処理法や加熱法を用いないで、めっき膜を強化することのできる複合めっき技術を提供することを課題とする。
【解決手段】めっき液を（水＋硫酸ニッケル＋塩化ニッケル＋ほう酸＋光沢剤＋界面活性剤＋カーボンナノファイバ＋ＳｉＣ微粒子）とした。
【効果】硬質微粒子を添加したことにより、所望の機械的性質を得ることができる。硬質微粒子を添加することでカーボンナノファイバの添加量を大幅に減少させることができる。カーボンナノファイバの添加量が少なければ、めっき膜の平滑性を維持することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、カーボンナノファイバーが均一に分散されたケイ素系複合材料およびその製造方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明にかかるケイ素系複合材料の製造方法は、エラストマー３０と、カーボンナノファイバー４０と、を混合し、かつ剪断力によって分散させて複合エラストマーを得る工程（ａ）と、複合エラストマー中に含まれるエラストマー３０を、ケイ素を主成分とするマトリクス材料と置換してケイ素系複合材料を得る工程（ｂ）と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

ホウ化されたチタンの物品は、一ホウ化チタンウィスカーを有するチタン塊を含み得、この一ホウ化チタンウィスカーがそのチタン塊の表面から内部に溶浸して、一体化した表面硬化領域を形成する。このチタン塊は、高純度チタン、商業グレードチタン、α−チタン合金、α＋β チタン合金、β−チタン合金、チタン複合材およびこれらの組み合わせなどの、ほとんど任意のチタンベースの金属または合金であり得る。ホウ化されたチタンの物品は、チタン塊を提供する工程、このチタン塊の表面をホウ素源媒体と接触させる工程、およびこのチタン塊およびこのホウ素源媒体を約７００℃〜約１６００℃の温度に加熱する工程を包含する方法により、生成され得る。このホウ素源媒体は、ホウ素源、および一ホウ化チタンウィスカーの促進された成長を提供するために選択される活性化剤を含み得る。
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