【課題】大面積のグラフェンを低コストで生産可能なグラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】１０００℃で１時間加熱前の走査電子顕微鏡による表面の元素分析を行って測定される直径が０．５μｍ以上の酸化物及び硫化物の合計個数が１５個/ｍｍ^２以下であるグラフェン製造用銅箔である。所定の室内１００に、加熱したグラフェン製造用銅箔１０を配置すると共に炭素含有ガスＧを供給し、グラフェン製造用銅箔の表面にグラフェン２０を形成するグラフェン形成工程と、グラフェンの表面に転写シート３０を積層し、グラフェンを転写シート上に転写しながら、グラフェン製造用銅箔をエッチング除去するグラフェン転写工程と、を有するグラフェンの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】この発明の真空バルブ用接点の製造方法は、内部のポアが少なく密度の高い真空バルブ用接点を得る。
【解決手段】この発明に係る真空バルブ用接点の製造方法は、圧粉体を成形する圧粉体成形工程と、この圧粉体を焼結して板状のＣｒスケルトン１を形成するスケルトン形成工程と、このＣｒスケルトン１を板厚中央部で二分割に切断して切断面を形成する分割切断工程と、前記切断面の中央部にＣｕ板２を載置する載置工程と、Ｃｕ板２を加熱して溶融したＣｕをＣｒスケルトン１の内部に浸透させる溶浸工程とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】大面積のグラフェンを低コストで生産可能なグラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】銅箔基材の表面に、厚み５μｍ未満の銅めっき層を設けてなり、水素を２０体積％以上含有し残部アルゴンの雰囲気中で、１０００℃で１時間加熱後の前記銅めっき層表面の圧延平行方向及び圧延直角方向の６０度光沢度が共に３００％以上である。 （もっと読む）

【課題】高強度、高導電性を有し、曲げ加工性に対する異方性が改善され、かつ、曲げ加工性に優れた、端子、コネクタやリレー等の電子電気部品に適した電気・電子機器用銅合金及び電気・電子機器用銅合金の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｚｒを０．００５質量％以上０．５質量％以下の範囲で含み、かつ、Ｃｒを０．０７質量％以上０．４質量％以下の範囲で含み、残部が実質的にＣｕ及び不可避不純物とされており、板表面における｛２００｝面からのＸ線回折強度をＩ｛２００｝、｛２２０｝面からのＸ線回折強度をＩ｛２２０｝、｛３３１｝面からのＸ線回折強度をＩ｛３３１｝としたとき、｛２００｝面からのＸ線回折強度の割合をＲ｛２００｝＝I｛２００｝/（I｛２２０｝＋I｛３３１｝）とした場合に、Ｒ｛２００｝が２以上である。 （もっと読む）

【課題】熱処理後の強度と破断伸びがいずれも優れた圧延銅箔を提供する。
【解決手段】Ni:0.05-0.20wt%、P:0.01-0.20wt%を含み、残部が不可避的不純物及び銅からなり、350℃で30分間熱処理後の引張強さTSAが400MPa以上で、かつ350℃で30分間熱処理後の導電率が65%IACS以上である圧延銅箔である。 （もっと読む）

【課題】より一層優れた導電性を発揮し得る銀被覆銅粉を提供する。
【解決手段】銅粉粒子表面が銀で被覆されてなる銀被覆銅粉粒子からなる銀被覆銅粉であって、銀被覆銅粉粒子の表面に存在する銀の量に対する、銀被覆銅粉粒子の表面に存在する銅の量の比率（Ｘ線電子分光の強度比から測定）０．０５未満であることを特徴とする銀被覆銅粉を提案する。 （もっと読む）

【課題】耐疲労性と非焼付性に一層優れた摺動部材を提供する。
【解決手段】摺動部材は、室温から４５０Ｋにおいて熱伝導率が２００〜４５０Ｗ／（ｍＫ）である第１金属を主成分とする第１層２と、第１金属よりも硬度が低い第２金属を主成分とする第２層３との間に、第３層４を有する。第３層４は、第１金属を母相、第２金属を二次相として有し、第３層中での二次相の面積率が１０〜３０％であり、第３層の厚さは、当該第３層と第１層を合わせた合計厚さの３％以上である。 （もっと読む）

【課題】熱処理後の強度と破断伸びがいずれも優れた圧延銅箔を提供する。
【解決手段】Mg：0.10-0.30wt%を含み、残部が不可避的不純物及び銅からなり、350℃で30分間熱処理後の引張強さTSAが400MPa以上で、かつ350℃で30分間熱処理後の導電率が65%IACS以上である圧延銅箔である。 （もっと読む）

【課題】低ヤング率、高耐力、高導電性、優れた曲げ加工性を有し、端子、コネクタやリレー等の電子電気部品に適した電子機器用銅合金、電子機器用銅合金の製造方法及び電子機器用銅合金圧延材を提供する。
【解決手段】Ｍｇを３．３原子％以上６．９原子％未満の範囲で含み、かつ、少なくともＣｒおよびＺｒの１種以上を、それぞれ０．００１原子％以上０．１５原子％以下の範囲で含み、残部がＣｕ及び不可避不純物とされ、導電率σ（％ＩＡＣＳ）が、Ｍｇの濃度をＡ原子％としたときに、
σ≦１．７２４１／（−０．０３４７×Ａ^２＋０．６５６９×Ａ＋１．７）×１００
の範囲内とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板のＣｕ表面に有機皮膜処理がなされている場合であっても、通常の鉛フリーはんだのリフロー熱処理条件で溶融接合でき、接合後は耐熱性に優れ、かつ室温で良好な接合強度を与える金属フィラーを提供する。
【解決手段】第１の金属粒子と第２の金属粒子との混合体を主成分として含む金属フィラーであって、該混合体が第１の金属粒子１００質量部に対し第２の金属粒子が５５〜４００質量部であり、該第１の金属粒子はＣｕ粒子もしくはＣｕ合金粒子であり、該第２の金属粒子は、ＡｇとＳｎとを含み、かつ当該Ａｇの含有量が０．３〜４質量％のＳｎ合金粒子である金属フィラー。 （もっと読む）