【課題】高強度かつ放電容量の大きいリチウムイオン二次電池用負極集電体を提供する。
【解決手段】フェライト系ステンレス鋼からなる鋼シート６を芯材に持ち、その両面に片面当たりの平均膜厚ｔ_Cuが０.０２〜５.０μｍの銅被覆層７を持ち、銅被覆層７を含めた平均厚さｔが３〜１００μｍであり、かつｔ_Cu／ｔが０.３以下であるリチウムイオン二次電池の負極活物質担持用銅被覆鋼箔１０を使用した負極集電体。鋼シート６は例えば普通鋼、オーステナイト系ステンレス鋼、フェライト系ステンレス鋼が適用できる。銅被覆層７は例えば電気銅めっき層（めっき後に圧延されたものを含む）である。銅被覆層７の表面上には例えば強いロールプレスで高密度化した炭素系活物質層が形成され、銅被覆鋼箔１０と前記炭素系活物質層によって負極集電体が構成される。 （もっと読む）

【課題】高強度及び高ノッチ曲げ性を兼備したコルソン合金及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎｉ及びＣｏのうち一種以上を０．８〜５．０質量％、Ｓｉを０．２〜１．５質量％含有し、残部が銅及び不可避的不純物からなる圧延材であり、板厚に対し４５〜５５％の断面位置である板厚方向の中央部において、板厚方向と平行にＥＢＳＤ測定を行い、結晶方位を解析したときに、Ｃｕｂｅ方位｛０ ０ １｝＜１ ０ ０＞に配向する結晶の面積率が５％以上であり、さらに＜１ １ １＞方向が圧延材の幅方向（ＴＤ）に配向する結晶の面積率が５０％以下であるコルソン合金。 （もっと読む）

【課題】高耐力、高導電性、優れた耐応力緩和特性、優れた曲げ加工性を有し、端子、コネクタやリレー等の電子機器用部品に適した電子機器用銅合金、電子機器用銅合金の製造方法、電子機器用銅合金塑性加工材および電子機器用部品を提供する。
【解決手段】Ｍｇを、３．３原子％以上６．９原子％以下の範囲で含み、さらに少なくともＮｉ，Ｓｉ，Ｍｎ，Ｌｉ，Ｔｉ，Ｆｅ，Ｃｏの１種又は２種以上を合計で０．０１原子％以上３．０原子％以下の範囲で含み、残部が実質的にＣｕ及び不可避不純物とされ、走査型電子顕微鏡観察において、粒径０．１μｍ以上のＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物の平均個数が、１個／μｍ^２以下とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低ヤング率、高耐力、高導電性、優れた曲げ加工性を有し、端子、コネクタ、リレー、リードフレーム等の電子機器用部品に適した電子機器用銅合金、電子機器用銅合金の製造方法、電子機器用銅合金塑性加工材及び電子機器用部品を提供する。
【解決手段】Ｍｇを、３．３原子％以上６．９原子％以下の範囲で含み、残部が実質的にＣｕ及び不可避不純物とされ、導電率σ（％ＩＡＣＳ）が、Ｍｇの濃度をＸ原子％としたときに、
σ≦１．７２４１／（−０．０３４７×Ｘ^２＋０．６５６９×Ｘ＋１．７）×１００
の範囲内とされ、平均結晶粒径が１μｍ以上１００μｍ以下の範囲内とされている。
また、中間熱処理後であって仕上加工前の銅素材における平均結晶粒径が１μｍ以上１００μｍ以下の範囲内とされている。 （もっと読む）

【課題】再結晶前後の寸法変化が小さく、かつ寸法変化の異方性が小さい圧延銅箔を提供する。
【解決手段】圧延平行断面から見て、好ましくは、３５０℃で３０分焼鈍前の圧延平行断面から見て、或いは最終冷間圧延後において、圧延平行断面から見て、銅箔表面から厚み方向に1μｍの深さの線Ｃを横切って該表面に到達するせん断帯の本数が、表裏面の合計値で0.1本/μm以下である圧延銅箔である。３５０℃で３０分間焼鈍前、或いは焼鈍後において、再結晶組織の面積率が50%未満（0%を含む）である。最終冷間圧延において、最終5パスの中で前のパスより加工度が高いパスが存在し、当該5パス中のいずれかのパスの最大加工度が40%を超え、かつ最終パスでの加工度が前記5パス中で最小となり、鋳塊を熱間圧延後、冷間圧延と焼鈍とを繰り返し、最後に最終冷間圧延を行って製造され、当該最終冷間圧延の総加工度が98.5%以下である圧延銅箔である。 （もっと読む）

【課題】プリント配線板の配線として用いられたときに、長期の使用によっても配線にクラックが発生しない圧延銅箔、及び、それを用いた銅張積層板、フレキシブルプリント配線板及び電子機器を提供する。
【解決手段】結晶の金属組織の測定点に電子線を照射して得られた結晶方位と、前記測定点の周囲に０．５μｍ離間して位置する複数の隣接測定点に電子線を照射して得られた結晶方位との方位角度差が２°以上の部位を結晶粒界として前記結晶粒界のΣ値を決定したとき、４００℃で１時間の焼鈍後に測定したΣ１９以上の結晶粒界の長さの合計が８ｃｍ／ｍｍ²以下である圧延銅箔。 （もっと読む）

【課題】再結晶前後の寸法変化が小さく、かつ寸法変化の異方性が小さい圧延銅箔を提供する。
【解決手段】 ３５０℃で３０分間焼鈍前後の寸法変化率が、圧延平行方向と圧延直角方向でいずれも0〜0.01%である圧延銅箔である。 （もっと読む）

【課題】 コネクタ、端子、リレー、スイッチ等の導電性ばね材として好適な、優れた強度、曲げ加工性を備えたＣｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系合金及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ０．５〜３．０質量％のＣｏ及び０．１〜１．０質量％のＳｉを含有し、残部が銅及び不可避的不純物からなり、ＥＢＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂａｃｋ−Ｓｃａｔｔｅｒ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ：電子後方散乱回折）測定を行い、結晶方位を解析したときに、Ｃｕｂｅ方位｛０ ０ １｝＜１ ０ ０＞の面積率が５％以上、Ｂｒａｓｓ方位｛１ １ ０｝＜１ １ ２＞の面積率が２０％以下、Ｃｏｐｐｅｒ方位｛１ １ ２｝＜１ １ １＞の面積率が２０％以下であり、加工硬化指数が０．２以下であるＣｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系合金。 （もっと読む）

【課題】銅箔中にＷを銅合金として取り込み、常温での引張強さ６５０MPａ以上、３００℃×１時間熱処理後の引張強さ４５０MPａ以上、導電率が８０%以上の電解銅箔を提供すること。また、膨張、収縮の大きい集電体と集電体（銅箔）との密着性をポリイミドバインダにより保持し、集電体（銅箔）が破断しない銅箔を提供すること。
【解決手段】タングステン（Ｗ）を０．００８〜０．０２０ｗｔ％含み、常温での引張強度が６５０ＭＰａ以上で、３００℃×１時間後の引張強度が４５０ＭＰａ以上で、導電率が８０％以上である銅合金箔。該銅合金箔は常温での伸びが２.５％以上、３００℃×１時間後の伸びが３．５％以上である。 （もっと読む）

【課題】導電率が９０％ＩＡＣＳ以上であり、４００℃にて１時間加熱後のビッカース硬さが１００以上であり、優れたはんだ濡れ性を有する半導体装置用リードフレームの素材として好適なＣｕ−Ｆｅ−Ｐ系銅合金板を得る。
【解決手段】 Ｆｅ；０．０５〜０．１５質量％、Ｐ；０．０１５〜０．０５質量％、Ｚｎ；０．０１〜０．２質量％、Ｐｂ；０．０００５〜０．００３質量％、Ａｇ；０．０００５〜０．００１５質量％を含有し、残部がＣｕおよび不可避的不純物からなる組成を有し、後方散乱電子回折像システム付の走査型電子顕微鏡によるＥＢＳＤ法にて測定した結晶粒内の全ピクセル間の平均方位差の結晶組織内の全結晶粒における平均値が２．５〜５．０°であり、Ｂｒａｓｓ方位密度が８．０〜２０．０％であり、Ｃｏｐｐｅｒ方位密度が１０．０〜２２．０％であり、平均結晶粒径が２．０〜６．０μｍである。 （もっと読む）