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国際特許分類[C22F1/00]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理 (53,456) | 非鉄金属または非鉄合金の物理的構造の変化 (7,192) | 非鉄金属または合金の熱処理によるか熱間または冷間加工による物理的構造の変化 (7,180)

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【課題】低ヤング率、高耐力、高導電性、優れた耐応力緩和特性、優れた曲げ加工性を有し、端子、コネクタやリレー等の電子機器用部品に適した電子機器用銅合金、電子機器用銅合金の製造方法、電子機器用銅合金塑性加工材および電子機器用部品を提供する。
【解決手段】Mgを、3.3原子%以上6.9原子%以下の範囲で含み、さらに少なくともCrおよびZrの1種以上を、それぞれ0.001原子%以上0.15原子%以下の範囲で含み、残部が実質的にCuおよび不可避不純物とされ、導電率σ(%IACS)が、Mgの濃度をX原子%としたときに、
σ≦1.7241/(−0.0347×X+0.6569×X+1.7)×100
の範囲内とされ、応力緩和率が150℃、1000時間で50%以下である。
また、走査型電子顕微鏡観察において、粒径0.1μm以上のCuとMgを主成分とする金属間化合物の平均個数が、1個/μm以下とされている。 (もっと読む)


【課題】高強度及び高ノッチ曲げ性を兼備したコルソン合金及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ni及びCoのうち一種以上を0.8〜5.0質量%、Siを0.2〜1.5質量%含有し、残部が銅及び不可避的不純物からなる圧延材であり、板厚に対し45〜55%の断面位置である板厚方向の中央部において、板厚方向と平行にEBSD測定を行い、結晶方位を解析したときに、Cube方位{0 0 1}<1 0 0>に配向する結晶の面積率が5%以上であり、さらに<1 1 1>方向が圧延材の幅方向(TD)に配向する結晶の面積率が50%以下であるコルソン合金。 (もっと読む)


【課題】熱間押出加工に起因した横切れの発生を抑制するNi基合金管を提供する。
【解決手段】本発明によるNi基合金管は、質量%で、C:0.040%以下、Cr:14〜17%、Fe:6〜10%、Nb:1〜3%、Al:0.50%以下、Si:0.5%以下、Mn:1.0%以下及びTi:0.30%以下を含有し、残部はNi及び不純物からなり、不純物としてのP、S、O及びNの含有量はそれぞれ、P:0.030%以下、S:0.015%以下、O:0.010%以下、N:0.0040%以下に制限される。 (もっと読む)


【課題】高耐力、高導電性、優れた耐応力緩和特性、優れた曲げ加工性を有し、端子、コネクタやリレー等の電子機器用部品に適した電子機器用銅合金、電子機器用銅合金の製造方法、電子機器用銅合金塑性加工材および電子機器用部品を提供する。
【解決手段】Mgを、3.3原子%以上6.9原子%以下の範囲で含み、さらに少なくともNi,Si,Mn,Li,Ti,Fe,Coの1種又は2種以上を合計で0.01原子%以上3.0原子%以下の範囲で含み、残部が実質的にCu及び不可避不純物とされ、走査型電子顕微鏡観察において、粒径0.1μm以上のCuとMgを主成分とする金属間化合物の平均個数が、1個/μm以下とされていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】低ヤング率、高耐力、高導電性、優れた曲げ加工性を有し、端子、コネクタ、リレー、リードフレーム等の電子機器用部品に適した電子機器用銅合金、電子機器用銅合金の製造方法、電子機器用銅合金塑性加工材及び電子機器用部品を提供する。
【解決手段】Mgを、3.3原子%以上6.9原子%以下の範囲で含み、残部が実質的にCu及び不可避不純物とされ、導電率σ(%IACS)が、Mgの濃度をX原子%としたときに、
σ≦1.7241/(−0.0347×X+0.6569×X+1.7)×100
の範囲内とされ、平均結晶粒径が1μm以上100μm以下の範囲内とされている。
また、中間熱処理後であって仕上加工前の銅素材における平均結晶粒径が1μm以上100μm以下の範囲内とされている。 (もっと読む)


【課題】空冷によるダイクエンチで高強度が得られ、耐SCC性に優れた、バンパーリインフォース用Al−Zn−Mg系アルミニウム合金押出材を提供する。
【解決手段】Mgの質量%を[Mg]、Znの質量%を[Zn]としたとき、5.43≦[Zn]≦6.3、[Zn]/5.38+0.15≦[Mg]≦[Zn]/5.38+0.34、11.68≦[Zn]+4.7[Mg]≦14の3式を満たし、さらに、Cu:0.1〜0.6質量%,Ag:0.01〜0.15質量%の1種又は2種と、Ti:0.005〜0.05質量%と、Mn:0.1〜0.3質量%,Cr:0.05〜0.2質量%,Zr:0.05〜0.2質量%の1種又は2種以上を含み、残部Al及び不可避不純物からなるアルミニウム合金押出材。 (もっと読む)


【課題】 高強度及び高ノッチ曲げ性を兼備したチタン銅及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 1.5〜5.0質量%のTiを含有し、残部が銅及び不可避的不純物からなり、引張強さが800MPa以上であり、板厚に対し45〜55%の断面位置である板厚方向の中央部において、板厚方向と平行にEBSD測定を行い、結晶方位を解析したときに、Cube方位{0 0 1}<1 0 0>の面積率が5%以上、Brass方位{1 1 0}<1 1 2>の面積率が40%以下、Copper方位{1 1 2}<1 1 1>の面積率が20%以下であるチタン銅。 (もっと読む)


【課題】粉体ベースのアディティブ・マニュファクチュアリング方法によって、NiもしくはCoもしくはFe又はそれらの組み合わせをベースとする耐熱超合金から構成される部品又はクーポン、すなわち部品の一部を製造する方法であって、テーラーメードの機械的特性の獲得に関して最適化された方法を提供する。
【解決手段】NiもしくはCoもしくはFe又はそれらの組み合わせをベースとする耐熱超合金から構成される部品又はクーポンの製造方法であって、a)前記の部品もしくはクーポンを、粉体ベースのアディティブ・マニュファクチュアリングプロセス(そのプロセスの間には、粉体は完全に溶融され、その後に固化される)によって形成する工程と、b)前記の形成された部品もしくはクーポンを、特定の材料特性の最適化のために熱処理に供する工程とを含む方法において、c)前記熱処理を、鋳造された部品もしくはクーポンと比較してより高い温度で行う。 (もっと読む)


【課題】 コネクタ、端子、リレー、スイッチ等の導電性ばね材として好適な、優れた強度、曲げ加工性を備えたCu−Co−Si系合金及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 0.5〜3.0質量%のCo及び0.1〜1.0質量%のSiを含有し、残部が銅及び不可避的不純物からなり、EBSD(Electron Back−Scatter Diffraction:電子後方散乱回折)測定を行い、結晶方位を解析したときに、Cube方位{0 0 1}<1 0 0>の面積率が5%以上、Brass方位{1 1 0}<1 1 2>の面積率が20%以下、Copper方位{1 1 2}<1 1 1>の面積率が20%以下であり、加工硬化指数が0.2以下であるCu−Co−Si系合金。 (もっと読む)


【課題】再結晶前後の寸法変化が小さく、かつ寸法変化の異方性が小さい圧延銅箔を提供する。
【解決手段】圧延平行断面から見て、好ましくは、350℃で30分焼鈍前の圧延平行断面から見て、或いは最終冷間圧延後において、圧延平行断面から見て、銅箔表面から厚み方向に1μmの深さの線Cを横切って該表面に到達するせん断帯の本数が、表裏面の合計値で0.1本/μm以下である圧延銅箔である。350℃で30分間焼鈍前、或いは焼鈍後において、再結晶組織の面積率が50%未満(0%を含む)である。最終冷間圧延において、最終5パスの中で前のパスより加工度が高いパスが存在し、当該5パス中のいずれかのパスの最大加工度が40%を超え、かつ最終パスでの加工度が前記5パス中で最小となり、鋳塊を熱間圧延後、冷間圧延と焼鈍とを繰り返し、最後に最終冷間圧延を行って製造され、当該最終冷間圧延の総加工度が98.5%以下である圧延銅箔である。 (もっと読む)


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