【課題】比較的優れた品質の有機ＥＬ素子を製造し得る有機ＥＬ素子の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】帯状の基材を搬送部に供給し、該搬送部表面に前記基材の一面側を当接させて前記基材を搬送しつつ、前記搬送部と対向し且つ前記基材に対して近接する位置に配された蒸着源のノズルから、気化された有機ＥＬ膜の構成層形成材料を吐出させて、前記基材における前記搬送部と反対の面側に有機ＥＬ膜の構成層を形成する蒸着工程を含んでなる有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記蒸着工程では、更に、回転軸を中心として回転駆動する板状の回転体を有し且つ該回転体に開口部が形成されたシャドーマスクを、前記搬送部に当接した前記基材と前記ノズルとの間にて基材の近傍に介入させ、前記基材の移動に追従するように前記シャドーマスクを回転させつつ、前記開口部を通して気化された前記構成材料を基材側に供給し、前記基材に前記開口部に応じた有機ＥＬ膜の構成層を形成することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】製造過程での薄膜特性の劣化を抑制することができる真空成膜装置用ケース付きリール、真空成膜装置及び薄膜積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】長尺状の基材１４が巻回されるリール本体１８と、リール本体１８を収納するケース３２と、ケース３２に設けられ、ケース３２内に基材１４との非反応性ガスを導入可能なガス導入口３６と、ケース３２に設けられ、基材１４がケース３２の内部と外部との間で出し入れされる基材出入口３８と、リール本体１８に一体回転可能に設けられ、基材１４上に薄膜を成膜する真空成膜装置に取り付け可能な被取付回転機構６０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】真空計への成膜材料の付着を抑制し、真空計の機能の低下を回避することが可能な成膜装置を提供すること。
【解決手段】基板に成膜材料を成膜する成膜装置において、基板が通過する真空環境を形成する真空容器１２３と、真空容器１２３内の真空度を測定する真空計１と、真空計１への付着を抑制する付着抑制手段１０とを備える構成とする。このように、真空計１への成膜材料の付着を抑制する付着抑制手段１０を備える構成とすることで、真空計１への成膜材料の付着を抑制し、真空計１の機能の低下を緩和することができる。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングによるターゲットの消耗を抑えつつ、ターゲット表面に付着する付着物の除去を行うことが可能なロータリースパッタリングカソード、およびロータリースパッタリングカソードを備えた成膜装置を提供すること。
【解決手段】ターゲット２１の外表面に付着した付着物を加熱して昇華させて除去する除去手段５１、又は、付着物を機械的に除去する除去手段を備える構成とする。これにより、従前のような付着物除去のためのスパッタリングを不要とする。付着物を加熱して昇華させる除去手段としては、例えばフィラメント５１を用い、付着物を機械的に除去する除去手段としては、例えばブラシ５３を用いることができる。これにより、ターゲットの消耗を抑えつつ、付着物を取り除くことができる。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングなどの薄膜パターン形成プロセスにおいてパターン形成のために使用されるステンレス鋼製のマスク部材の表面から、薄膜パターン形成過程で堆積されたＮｉ膜を除去するにあたり、ステンレス鋼製マスク部材を侵食させることなく、Ｎｉ膜を効果的に除去し得る方法を提供する。
【解決手段】薄膜形成技術によって基材上に所定のパターンでＮｉ膜を形成するために使用される、ステンレス鋼製のマスク部材について、その表面に形成されたＮｉ膜を除去するにあたり、硫酸を１５〜２５wt%、硝酸を５〜１５wt%含有する混酸水溶液を用いて、前記Ｎｉ膜を溶解、除去することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】クリーニングガスとしてフッ素系ガスを使用することにより、処理容器自体や被処理体を保持する保持手段にダメージを与えることなく不要な高分子薄膜のみを選択的に且つ効率的に除去することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗの表面に高分子薄膜を形成する成膜装置において、被処理体を収容する処理容器４と、処理容器内で被処理体を保持する保持手段６と、処理容器内を真空引きする真空排気系３０と、処理容器内へ高分子薄膜の複数の原料ガスを供給するガス供給手段２０と、処理容器内へクリーニングガスとしてフッ素ガスを供給するクリーニングガス供給手段２６と、処理容器を加熱する容器加熱手段１４とを備える。これにより、処理容器内をクリーニング処理するに際して、クリーニングガスとしてフッ素系ガスを使用する。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内壁を保護するシールドの交換頻度を低下させ、半導体製造工程におけるスループットの向上および製造コストの低下を実現することができる成膜装置およびシールド部材を提供する。
【解決手段】本実施形態による成膜装置は、基板を真空雰囲気中に収容するチャンバと、基板に材料を成膜する際に前記チャンバの内壁を保護し、チャンバから着脱可能なシールド部材とを備えている。シールド部材は、チャンバの内壁の保護にまだ使用されていていない使用前シールドを筒状に巻いた使用前ロールと、使用前ロールと連続して繋がっており、チャンバの内壁の保護にすでに使用された使用後シールドを筒状に巻くことが可能な使用後ロールとを含む。ガイド部は、シールド部材をチャンバの内壁において支持する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングによって防着板に堆積した堆積物が、膨張、収縮時の応力が加わっても剥離し難くすることで、チャンバ内のパーティクルの拡散を抑制する。
【解決手段】下部防着板１７は、ターゲットに臨む上面側１７ａが、ステージ１３に近接する位置である内周縁１７ｃから、少なくとも上部防着板の下端１６Ｅに重なる位置まで平坦面３１で構成されている。こうした平坦面３１は、例えば、水平面に対する角度θが５°〜２０°の範囲で、内周縁１７ｃからチャンバ１１の内周面（側壁）１１ａに向かって広がる傾斜面であればよい。 （もっと読む）

【課題】成膜材料であるＤｙ、Ｔｂを有効に利用しつつ、所定形状鉄−ホウ素−希土類系の磁石の表面に高速で成膜させて生産性が向上し、低コストで永久磁石を製造できる成膜装置を提供する。
【解決手段】真空排気可能な処理室２と、前記処理室内を加熱する加熱手段２３と、前記処理室内でバルク体たる金属蒸発材料と被処理物とをそれぞれ保持する保持手段６とを備え、前記処理室の減圧下で前記加熱手段を作動させ、少なくとも金属蒸発材料が蒸発する温度まで処理室を加熱して処理室内に金属蒸気雰囲気を形成し、前記金属蒸気雰囲気中の金属原子が、加熱されている被処理物表面に付着するように構成した。 （もっと読む）

【課題】蒸発源の冷却時間を短縮する。
【解決手段】蒸着準備工程では、蒸着材料３０を収納する坩堝１３、坩堝１３を加熱する加熱部１４、および坩堝１３内で気体化した蒸着材料３０を被処理物に向かって放出するノズル１２、を備える蒸発源１０、および被処理物を真空チャンバ内に配置する。次に、坩堝１３に収納された蒸着材料３０を加熱部１４により加熱して、気体化した蒸着材料ガスを発生させ、被処理物に蒸着膜を形成する。次に、蒸発源１０の外側からノズル１２を介して坩堝１３内にガス２６を供給し、かつ、加熱部１４を停止させて坩堝１３を冷却する。 （もっと読む）