【課題】有機ＥＬ素子の大型蒸着マスクを効率よく洗浄し、蒸着マスクの利用回数を上げることができる装置を実現する。
【解決手段】蒸着マスク２は第１の面と第２の面を有し、前記第１の面には蒸着剤が付着しており、前記蒸着マスクの第１の面の周辺が前記蒸着マスクよりも厚さの大きい枠部３に取り付けられている。レーザ照射手段によって、第１の面にレーザ１０を照射して蒸着剤を蒸着マスクから剥離する。ノズルを有する第１の洗浄手段６によって蒸着マスクの第１の面に洗浄液を照射し、ノズルを有する第２の洗浄手段６によって超音波を印加した洗浄液を蒸着マスクの第２の面に照射する。これによって、蒸着マスク２の近傍において、超音波が印加された洗浄液を照射することが出来る。したがって、蒸着マスクを効率よく洗浄することが出来る。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ用蒸着マスクのクリーニングを行うときに、有機ＥＬ用蒸着マスクに応じた適切なエネルギーを設定することを目的とする。
【解決手段】有機材料が付着した有機ＥＬ用蒸着マスク２の表面に対してレーザ光Ｌを走査して有機材料を剥離するレーザ走査手段４と、有機ＥＬ用蒸着マスク２のうち一部の領域にレーザ光Ｌをテスト走査させるレーザ制御部５５と、有機ＥＬ用蒸着マスク２のうちテスト走査を行った部位の有機材料が剥離されたか否かを検出する画像処理部５２と、画像処理部５２の検出結果に基づいて、有機ＥＬ用蒸着マスク２に照射されるレーザ光Ｌの照射条件を補正する電流補正部５３およびフォーカス補正部５４と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】真空成膜装置で内部応力が大きい薄膜を成膜する際に、成膜工程中に付着する成膜材料の剥離を安定かつ有効に防止し、装置クリーニングや部品の交換などに伴う生産性の低下や成膜コストの増加を抑える。
【解決手段】Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｇ、ＡｕおよびＩｎから選ばれる金属元素の単体、もしくは前記金属元素を含む合金または化合物の薄膜を成膜する真空成膜装置の構成部品１を製造する方法であって、部品本体２の表面に膜厚が300μm以上のＣｕ溶射膜３を形成する工程と、表面に前記Ｃｕ溶射膜３が形成された部品を、真空雰囲気中で加熱するアニーリング工程と、前記アニーリング工程後、水素雰囲気中にて前記加熱温度より低い温度で前記部品を還元する還元処理工程とを具備する。 （もっと読む）

１０μｍ以下のサイズを有する粒子を製造するための、高い生産速度の、プラズマ・スパッタリング・プロセスが開示される。このプロセスは、スパッタされたターゲット原子の少なくとも一部をイオン化させ、グレインの表面での、イオン化されスパッタされたターゲット原子の、ピックアップ可能性が高いようなパラメータで、実行される。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス頻度を低減でき、適切なメンテナンス時期を見極めることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、イオンを発生させるイオン源４０と、イオン源４０からのイオンビーム４５を受けるターゲット３６と、第一真空容器１１内に収容されてターゲット３６からのスパッタ粒子４６を受けるウエハ１を保持するウエハホルダ１８と、第二真空容器２２へのスパッタ粒子４６の付着を抑制する防着板５１と、防着板５１へ付着するスパッタ粒子４６の付着量を予測する付着量予測部６１とを備える。 （もっと読む）

【課題】静電容量バラツキの少ない大容量電極箔を形成する事を目的とする。
【解決手段】この目的を達成するため本発明は、表面に凹溝１７が形成された基体１８からなる蒸着用ボート１３であって、凹溝１７は、少なくとも蒸着材料が供給される供給用凹溝１９と、この供給用凹溝１９と連通し、蒸着材料を蒸発させる蒸発用凹溝２０とで構成され、供給用凹溝１９は蒸発用凹溝２０よりも幅が狭く、表面に供給用凹溝１９が形成された領域の基体１８の抵抗値に対する、表面に蒸発用凹溝２０が形成された領域の基体１８の抵抗値の比は、蒸着材料の沸点を蒸着材料の融点で除した値以上であるものとした。これにより本発明は、供給用凹溝１９近傍の温度を下げ、供給用凹溝１９近傍における蒸着材料の溶融や酸化を抑制し、蒸発量を安定化し、均一に粗膜層７を形成できる。 （もっと読む）

【課題】基板処理室内に石英部材を用い、高温時よりも低温時の方が石英部材のエッチング速度が大きいクリーニングガスを使用する基板処理装置において、クリーニングガスの加熱を安定して行う加熱機構を用いた基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置を次のように構成する。すなわち、基板を収容し処理を行う基板処理室と、基板処理室内に連通するクリーニングガス供給管を経由して、前記基板処理室内にクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給系と、クリーニングガス供給管内に連通する不活性ガス供給管を経由してクリーニングガス供給管内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給系と、基板処理室外に設けられ、不活性ガス供給管からクリーニングガス供給管内に供給される不活性ガスを加熱する不活性ガス加熱部とを備え、基板処理室内をクリーニングする際は、クリーニングガスと不活性ガス加熱部により加熱された不活性ガスとを混合して基板処理室内に供給する。 （もっと読む）

【課題】シールドに形成された付着膜の剥がれを防止すること。
【解決手段】発明者らの検討によれば、曲率半径を一定以上にすることは、付着膜の剥がれを抑える場合、本質的なことではないことがわかった。発明者らの検討によれば、付着膜の剥がれは、シールドの曲率が変化する領域で発生し、シールドの曲率の変化が小さい場合に、付着膜の剥がれが発生しにくくなることが分かった。従って、問題なのはシールドの曲率の変化であり、曲率を段階的に変えることで曲率の変化を抑えることができるため、シールドを大型化することによって生じうる、膜厚分布悪化などの不利益を受けることなく、付着膜の剥がれを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】大気開放することなくチャンバー内で防着シールドのクリーニングを行うことができ、メンテナンスコストの低減を図ることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】真空処理装置は、基板に対してスパッタリング成膜処理を行うときは、カソード１４に電力を印加するとともに、シリンダー部３２を伸ばしてアース電極４１を防着シールド２０に電気的に接続させ、防着シールドをクリーニングするときは、防着シールドに高周波電流を印加するとともに、シリンダー部を縮ませてアース電極と防着シールドを電気的に絶縁することができるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】メンテナンスコストを低減するとともに、リーク箇所を特定することができるインライン式の真空処理装置に適したリークチェック方法を提供する
【解決手段】本発明のリークチェック方法は、複数のチャンバがそれぞれゲートバルブを介して連接されてなるインライン式真空処理装置Ｓに好適に適用されるものであって、リークチェックが行われるチャンバＰ６の隣に連接されたチャンバＰ７内に所定量のガスを導入するガス導入Ｓ００４の後に、チャンバＰ６及びチャンバＰ７の真空度を測定Ｓ００５し、チャンバＰ６の真空度を基準値と比較Ｓ００７した結果を出力Ｓ００８し、その後に、チャンバＰ６のチャンバＰ７とは逆側に連接されているチャンバに対して上記のようなリークチェックが順次行われる。 （もっと読む）