【課題】３５０ｎｍ以上の粒径を有する大型金微粒子を多数生成できる金微粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】金からなるターゲットをレーザアブレーション装置のチャンバ内に配置する。続いて、チャンバ内に０．７以上の換算密度を有する超臨界トリフルオロメタンを収納する。続いて、ターゲットにレーザ光を照射して、レーザアブレーションにより前記ターゲットから金微粒子を生成する。超臨界流体としてトリフルオロメタンを選択し、かつ、超臨界流体の換算密度を０．７以上とすることにより、大型金微粒子が多数生成される。 （もっと読む）

ここに開示されたいくつかの技術は、分子ビーム部品から残留物を清浄することを促進する。例えば、典型的な方法では、分子ビームは、ビーム通路に沿って供給され、分子ビーム部品において残留物を増加させる。その残留物を減少させるために、分子ビーム部品は、フッ化炭化水素プラズマにさらされる。フッ化炭化水素プラズマへの接触は、第１の予め定められた条件が満たされたかどうかに基づいて終了し、第１の予め定められた条件は、残留物の除去の範囲を示している。他の方法およびシステムについても開示されている。
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【課題】真空処理装置が大型化すると上蓋開閉に必要な動作範囲が広がり、真空処理装置が設置される空間の天井高さなどに制約を与えることになっていた。また、交換作業時において上蓋等開けた状態に対応できる空間（作業範囲）の確保が必要であり、真空処理装置の周辺には、作業スペースを広げる必要があった。
【解決手段】被処理基板を真空処理する真空容器と、真空容器の開口部を開閉する蓋部材と、蓋部材を真空容器に対して着脱自在に並進移動させる昇降機構と、蓋部材に配置された処理部材を、蓋部材の上方で処理部材のみを表裏反転させる昇降回転機構とを備えて、
処理部材には、被処理基板に対向することにより真空処理を行う構造物が配置されている。 （もっと読む）

【課題】搬送アームに付着しているコンタミを除去する基板処理装置の制御方法を提供する。
【解決手段】基板の搬送を行うための静電チャックを有する搬送アームの洗浄方法であって、前記搬送アームに帯電している異物が付着している場合において、前記搬送アームに前記基板が載置されていない状態で、前記静電チャックの電極の各々に帯電している異物の電荷の極性と同じ極性の電圧を印加する電圧印加工程を有し、前記搬送アームに付着している異物を除去することを特徴とする搬送アームの洗浄方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】コンデンサの大容量化と漏れ電流の低減とを実現する事を目的とする。
【解決手段】この目的を達成するため本発明は、基材１８と、この基材１８上に形成された疎膜層１９と、この疎膜層１９上に形成された誘電膜８とを備え、疎膜層１９は、基材１８の表面から金属または金属化合物の少なくともいずれか一方からなる微粒子２０が不規則に複数個連なって構成されるとともに、内部に多数の空間を有する疎な構造体であり、誘電膜８は、疎膜層１９の微粒子２０の主成分とは異なる金属の化合物で構成された電極箔である。これにより本発明は、誘電率の高い材料で誘電膜８を構成するとともに、この誘電膜８で疎膜層１９を保護することができ、結果としてコンデンサの大容量化と漏れ電流の低減とを実現できる。 （もっと読む）

【課題】成膜工程中に付着する成膜材料の剥離を安定かつ有効に防止することを可能にした真空成膜装置用部品の製造方法を提供する。
【解決手段】真空成膜装置用部品１の製造方法は、部品本体２の表面にＷおよびＭｏから選ばれる高融点金属からなる溶射膜３を形成する工程と、溶射膜３を還元雰囲気中にて１０７３〜１３７３Ｋの温度で加熱し、溶射膜３の表面に存在する酸化被膜を除去しつつ脱ガス処理する工程とを具備する。脱ガス処理後の溶射膜は、ガス残存量が１０Ｔｏｒｒ・ｃｃ／ｇ以下とされている。 （もっと読む）

【課題】真空容器のベーキング時間を短縮させたベーキング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】真空容器の排気を行う工程と、真空容器に不活性ガスを導入する工程と、を繰り返すサイクルを有する真空容器のベーキング方法であって、
前記真空容器の排気は、前記真空容器に設けた排気コンダクタンス可変のスロー排気バルブを介して行い、前記スロー排気バルブの排気コンダクタンスを、前記サイクルの直前のサイクルにおける排気コンダクタンスより大きく設定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チャンバー壁をスパッタ堆積から保護するもので、蓄積した堆積材料が剥げ落ちて粒子を形成しないように固定数の堆積サイクル後に交換される、誘導結合プラズマスパッタリアクタと共に使用可能なシールドシステム提供する。
【解決手段】内部シールド１６２は、ターゲットバッキングプレート１３０付近の上端からＲＦコイル１６０より下の下端まで延び、通常、処理位置にあるペデスタル１４６の上面のすぐ下まで延びる。プラズマスパッタリアクタに使用するよう適応され、軸の周りで略円形対称であるシールド１６２において、前記軸に沿って延びる上端と、前記軸に沿って延びる下端と、前記上端と下端との間で前記軸から半径方向外方に延びるフランジ１６８と、を備え、前記軸に面したシールド内面は、前記軸からの傾斜が１０°以下で、それ以外は滑らかであるようにしたシールド。 （もっと読む）

【課題】
本発明は高精彩に成膜できるまたは生産性あるいは稼働率の高い有機ＥＬデバイス製造装置または有機ＥＬデバイス製造方法あるいは成膜装置または成膜方法を提供することである。
【解決手段】
本発明は、真空蒸着チャンバの壁に設けられた真空隔離手段から前記マスクを搬出し、前記真空隔離手段を共有するマスク洗浄チャンバで前記基板に付着した前記蒸着材料の堆積物にレーザ光を照射し前記マスクをドライ洗浄し、洗浄後前記マスクを真空隔離手段を介して前記真空蒸着チャンバに戻し、前記蒸着を行なうことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】同じ成膜室内で薄膜を蒸着及びスパッタすることができる薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】薄膜製造装置は、成膜室をスパッタチャンバー及び蒸着チャンバーに分け、スパッタチャンバー及び蒸着チャンバーを連通する貫通孔１２１３を有する固定板１２１を備える。ワークピースを積載する第一積載板１２２を有する積載装置１２０と、スパッタ装置と、蒸着装置１４０と、を備え、第一積載板は、スパッタチャンバー又は蒸着チャンバーに回動可能に取り付けられ且つ貫通孔の近傍に位置する。第一積載板を回動して、第一積載板が貫通孔を遮蔽しない際には、第一積載板に積載されるワークピースはスパッタチャンバー又は蒸着チャンバーに暴露され、第一積載板を回動して、第一積載板が貫通孔を遮蔽する際には、第一積載板に積載されるワークピースは蒸着チャンバー又はスパッタチャンバーに暴露される。 （もっと読む）