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国際特許分類[C23C14/06]の内容

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【課題】本発明は、所定の超硬合金を基材とした光学素子用成形型について、より寿命の長い離型膜をその成形面に形成可能とした光学素子用成形型及びその製造方法を提供する。
【解決手段】タングステンカーバイドを主成分とする超硬合金(バインダレス超硬合金を除く)からなる基材2の成形面に、ダイヤモンドライクカーボンからなる離型膜4を形成した光学素子用成形型であって、基材2と離型膜4との間に、立方晶からなる結晶構造を有し、その表面粗さRaが0.5nm以下であるタングステンカーバイド膜3を介在させた光学素子成形用成形型1。 (もっと読む)


【課題】 低抵抗かつ高反射率の特性と共に表面粗さが小さく、高い耐硫化性及び耐塩化性を兼ね備えた導電性膜およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 導電性膜が、InおよびSnのうち1種または2種を合計で:0.1〜1.5原子%、Sb:0.1〜1.5原子%を含有し、さらにGa,Mgの内の1種または2種を合計で0.5〜3原子%を含有し、残部がAgおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金で構成されている。この導電性膜は、表面に有機EL素子の透明導電膜が積層され、さらにその上に有機EL層を含む電界発光層が積層される有機EL素子用の反射電極膜として好適である。 (もっと読む)


【課題】 硬質皮膜を被覆することで優れた耐食性を有する、プラスチックやゴム等の成型部品に最適な被覆物品の製造方法および被覆物品を提供する。
【解決手段】 物品の基材表面に物理蒸着法によって硬質皮膜を被覆した被覆物品の製造方法であって、前記硬質皮膜は、前記基材表面に被覆された第1の硬質皮膜と、その直上に被覆された第2の硬質皮膜の少なくとも2層以上からなり、
前記基材表面は窒化処理されており、前記第2の硬質皮膜を被覆する前に、前記第1の硬質皮膜の表面を算術平均粗さRaは0.05μm以下、かつ最大高さRzは1.00μm以下となるように研磨する耐食性に優れた被覆物品の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】異なる組成のスパッタリングターゲットを使用して、インラインで積層し、短時間の加熱処理で結晶性を有することができ、低抵抗の透明導電膜を有した透明導電性積層体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明導電膜はIn、Sn、Oを主成分とし、Snの含有量が1重量%以上4重量%以下であるインジウム・スズ複合酸化物からなる第一透明導電膜3aと、同じくIn、Sn、Oを主成分とし、Snの含有量が4重量%超え、10重量%以下であるインジウム・スズ複合酸化物からなる第二透明導電膜3bで形成され、前記第一及び第二透明導電膜の膜厚がそれぞれ10nm以上30nm以下であり、両者の透明導電膜の合計厚みが20nm以上40nm以下であり、真空中で加熱温度が120℃以上200℃以下であり、加熱時間が1分以上、30分以下の条件で加熱処理することで前記第一及び第二透明導電膜のいずれも結晶化することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】DLC膜の形成方法を検討することで、研磨実施後もプレス加工金型用工具の加工面にDLC膜が存在することが可能であり、且つ、プレス加工金型用工具の側面と加工面に同等の特性を有するDLC膜を形成することが可能なプレス加工金型用工具の補修方法を提供する。
【解決手段】被加工材をプレスにより成型加工又は打ち抜き加工を行うためのプレス加工金型用工具の補修方法であって、摩耗したプレス加工金型用工具43の加工面43bを研磨する工程と、プレス加工金型用工具43の側面43aをマスキング材10で保護する工程と、研磨した加工面43bにDLC膜41を形成する工程と、を有するものである。 (もっと読む)


【課題】微細な溝部の内部に隙間無く導電材料を埋め込み、導電性に優れた配線を得ることが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】バリア層(バリアメタル)13を覆うようにライナー層14が形成されている。ライナー層14は、Ni(ニッケル)から構成される。ライナー層14は、このライナー層14の内側に形成されるCu(銅)からなる導電体15に対する濡れ性を高め、かつ、溝部12の内側の平滑性を高める。 (もっと読む)


【課題】窒化アルミニウム膜を、表面が平坦であるとともに、内部が均質である状態となるように、基体の一面に形成することが可能な、窒化アルミニウム膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基体の一面にスパッタリング法により窒化アルミニウム膜の形成方法であって、窒化アルミニウム膜を形成する際に、アルミニウムからなるターゲットと、不活性ガスに窒素ガスを混合させてなるプロセスガスとを、少なくとも用い、不活性ガスの流量に対する窒素ガスの流量の比率において、成膜時真空度が安定傾向から増加傾向へ移行する点をA、成膜時電圧が減少傾向から安定傾向へ移行する点をB、点Aと点Bとの間を遷移モードT、と定義したとき、遷移モードTにて成膜する。 (もっと読む)


【課題】スパッタリング法により、被処理基板の一面に形成されたチタンナイトライド膜上にタングステンシリサイド膜を形成する際に、タングステンシリサイド膜に含ませるシリコン原子の割合を微細制御することを可能にする、デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】被処理基板の一面103aに、チタンナイトライド膜109、タングステンシリサイド膜110、タングステン膜111の順に堆積してなるデバイスの製造方法であって、タングステンシリサイド膜110をスパッタリング法により形成する際に、タングステン原子からなるターゲット102と、シリコン原子を含むプロセスガスを少なくとも用いる。 (もっと読む)


【課題】バリア性に優れた窒化酸化珪素膜を形成可能にしたガスバリア性フィルムの製造方法およびガスバリア性フィルムを提供する。
【解決手段】プラスチック基材11と、プラスチック基材11の両面または一方の面に設けた窒化酸化珪素膜13とを備えるガスバリア性フィルムの製造方法であって、窒化酸化珪素膜13が、窒化珪素と、珪素、一酸化珪素、二酸化珪素のうち一種類以上とを含む蒸着材料を用いた真空蒸着法により形成され、成膜中の真空槽内の圧力が0.10Pa以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】様々な基板の上に結晶性を制御した状態でハイドロキシアパタイトの薄膜が形成できるようにする。
【解決手段】第1工程S101で、ハイドロキシアパタイトの焼結体からなるターゲットおよびH2Oガスを含むスパッタガスを用いたスパッタ法で、基板101の上に薄膜102を形成する。基板101は、例えば、シリコン基板であればよい。次に、第2工程S102で、酸素が存在する雰囲気で薄膜102を加熱して結晶化する。例えば、酸素ガスの雰囲気中、または、大気中で加熱を行えばよい。 (もっと読む)


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