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国際特許分類[C23C14/06]の内容

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【課題】CrAlN/BNナノコンポジット被膜が高い付着強度で工具母材に設けられ、そのCrAlN/BNナノコンポジット被膜が有する優れた被膜性能が適切に得られるようにする。
【解決手段】Ala Tib Crc の窒化物または炭窒化物から成るI層22が工具母材12の表面上に設けられるとともに、CrAlN/BNナノコンポジット被膜から成るII層26が最表層となるように、それ等のI層22およびII層26が交互に2層以上積層されて硬質被膜20が構成されているため、高い付着強度が得られる。また、I層22およびII層26の層厚T1、T2は何れも50nmを超えており、且つ被膜全体の総膜厚Ttotal は0.1μm〜20μmの範囲内であるため、II層26を構成しているCrAlN/BNナノコンポジット被膜が有する優れた被膜性能が適切に得られ、高負荷時の工具寿命が向上するとともに、溶着が抑制されることで加工面粗さが向上する。 (もっと読む)


【課題】スパッタチャンバ内を汚染することなく、バリアメタルを形成することができる成膜装置を提供すること。
【解決手段】実施形態の成膜装置は、第1のプロセスチャンバと、第2のプロセスチャンバと、第3のプロセスチャンバと、を備えている。そして、第1のプロセスチャンバは、スパッタ処理を行うことにより、基板上に第1のバリアメタルを成膜する。また、前記第2のプロセスチャンバは、前記第1のバリアメタルが成膜された前記基板上に第1のガスを導入することにより、前記第1のバリアメタルの上層部を前記第1のガスによって表面処理し、これにより前記第1のバリアメタル上に第2のバリアメタルを形成する。さらに、前記第3のプロセスチャンバは、前記第2のバリアメタルが形成された前記基板にスパッタ処理を行うことにより、前記第2のバリアメタル上に第3のバリアメタルを成膜する。 (もっと読む)


【解決課題】 真空コーティング装置およびナノ・コンポジット被膜を堆積する方法を提供すること。
【解決手段】 真空チャンバ(31)と、少なくとも1対の対向カソード(1および4)と、この対向カソードにAC電圧を供給してこれをデュアル・マグネトロン・スパッタリング・モードで動作させる電源(8)とを備え、PVDコーティングのための少なくとも1のさらなるカソードが真空チャンバ内に提供された真空コーティング装置および方法は、少なくとも1のさらなるカソード(6および/または7)がマグネトロン・カソードとされ、マグネトロン・カソードまたはアーク・カソードに接続可能なパルス化電源またはDC電源の形態としてさらなる電源(42,44)が提供されている。 (もっと読む)


【課題】CrAlN/BNナノコンポジット被膜が高い付着強度で工具母材に設けられ、そのCrAlN/BNナノコンポジット被膜が有する優れた被膜性能が適切に得られるようにする。
【解決手段】Ala Tib Crc の窒化物または炭窒化物から成るI層22が工具母材12の表面上に設けられるとともに、そのI層22およびCrAlN/BNナノコンポジット被膜から成るII層26が交互に4層以上積層されて硬質被膜20が構成されているため、高い付着強度が得られる。I層22の層厚T2およびII層26の層厚T3は1nm〜50nmの範囲内で、総膜厚Ttotal は0.1μm〜20μmの範囲内であるため、II層26のCrAlN/BNナノコンポジット被膜が有する優れた被膜性能が適切に得られるとともに、層厚T2、T3が1nm〜50nmの極めて薄いナノレイヤー構造であるため、密着性が更に向上して40GPa以上の被膜硬さが得られるようになる。 (もっと読む)


【課題】テラヘルツ波発生器やテラヘルツ波検出器等のテラヘルツ帯デバイスにおいて優れた特性を発揮できるテラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】テラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜において、気相成長法によって基板上に気相成長され、厚さが5〜10μmであり、厚さのばらつきの範囲が厚さの10%以内である。
また、テラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜の製造方法において、基板上にZnTe下地層を10〜200オングストロームの厚さで形成する工程と、前記ZnTe下地層上にZnTe層を5〜10μmの厚さで気相成長させる工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】水素フリーで緻密で硬質なダイヤモンドライクカーボン膜を容易に形成することができる炭素薄膜成膜法を提供する。
【解決手段】この炭素被膜成膜方法は、マグネトロンスパッタ法により試料基板電極上に配置された試料基板表面に炭素被膜を堆積させる炭素被膜成膜装置を用い、炭素ターゲット基板電極と試料電極に対し、下記1〜4の条件でそれぞれ電圧を印加させることを特徴とする。
1.ターゲット基板電極に印加する電圧が負のパルス電圧であって、かつ、そのパルス電圧時間比が40%以下であること。
2.ターゲット基板電極に印加するパルス電圧のパルス時間が20μs〜200μsであること。
3.試料基板電極に印加する電圧が負のパルス電圧であって、かつ、そのパルス電圧時間比が50%以下であること。
4.試料基板電極に印加する負パルス電圧の大きさが−20V〜−200Vであること。 (もっと読む)


【課題】単純な装置構成を用いて適宜に加熱処理等を施すことにより、両面に真空成膜が施された積層体を効率的に製造できる成膜方法を提供すること等。
【解決手段】ロール状に巻かれた長尺の基体を第1の面を被成膜面として第1ロール室から第2ロール室へ向う方向に第1ロール室から繰り出し、繰り出された基体を脱ガスし、脱ガスされた基体の第1の面に第1成膜室において第1の膜材料を成膜し、第1の膜材料の上に第2成膜室において第2の膜材料を成膜し、膜材料が積層された基体を第2ロール室でロール状に巻取り、巻き取った基体を第1の面とは反対側の第2の面を被成膜面として方向に第1ロール室から繰り出し、上記全ての処理を繰り返す。 (もっと読む)


【課題】耐欠損性、耐摩耗性にすぐれた表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、物理蒸着法によって硬質被覆層を形成した表面被覆切削工具において、硬質被覆層は、組成式:(Al1−x−yCrSi)(N1−z)で表される平均層厚0.5〜8.0μmの複合炭窒化物層あるいは複合窒化物層からなり、硬質被覆層は、構成元素のうち90原子%以上が金属元素である断面長径0.05〜1.0μmの金属粒子を含有し、該金属粒子は硬質被覆層中に3〜20%の縦断面面積比率で分散分布し、金属粒子のうち、構成元素に50原子%以上のAlを含み、かつ縦断面形状のアスペクト比が2.0以上かつ断面長径が基板表面となす鋭角が45°以下などの条件を満たす粒子の縦断面面積比率をA%、それ以外の粒子の縦断面面積比率をB%としたとき、0.3≦A/(A+B)である。 (もっと読む)


【課題】高硬度鋼の高速重切削加工条件下において、硬質被覆層がすぐれた耐熱亀裂性および耐溶着欠損性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】WC基超硬合金またはTiCN基サーメットで構成された工具基体の表面に、硬質被覆層として、AlとTiの複合窒化物層からなる下部層と、A層:AlとTiの複合窒化物層、B層:(200)面配向性のAlとCrの複合窒化物層、A層+B層を1積層周期とした1周期以上の積層構造を有する上部層とからなる層を形成した表面被覆切削工具。 (もっと読む)


【課題】耐欠損性、耐摩耗性にすぐれた表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、物理蒸着法によって硬質被覆層を被覆形成した表面被覆切削工具において、硬質被覆層は、組成式:(Al1−x−yTiSi)(N1−z)で表される平均層厚0.5〜8.0μmの複合炭窒化物層あるいは複合窒化物層からなり、硬質被覆層は、構成元素のうち90原子%以上が金属元素である平均断面長径0.05〜0.5μmの金属粒子を含有し、該金属粒子は硬質被覆層中に3〜18%の縦断面面積比率で分散分布し、金属粒子のうち、構成元素に50原子%以上のAlを含み、かつ縦断面形状のアスペクト比が2.0以上かつ断面長径が基体表面となす鋭角が45°以下などの条件を満たす粒子の縦断面面積比率をA%、それ以外の粒子の縦断面面積比率をB%としたとき、0.3≦A/(A+B)である。 (もっと読む)


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