【課題】 生産性を向上させることが可能な光電変換素子の製造方法、および光電変換素子を提供する。
【解決手段】 本発明の光電変換素子の製造方法は、入射した光を光電変換する光電変換層２ａを有する半導体基板２を準備する準備工程と、半導体基板２の主面２Ａ上に、酸素を含む雰囲気中でアルミニウム膜４を成膜する成膜工程と、該成膜工程よりも高い濃度の酸素を含む雰囲気中でアルミニウム膜４を加熱してアルミニウム膜４の表面に酸化膜３を形成する加熱工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】単結晶基板上において、圧電薄膜を良好な単結晶の状態で確実にエピタキシャル成長させて成膜し、圧電特性を確実に向上させる圧電素子と、その製造方法を提供する。
【解決手段】圧電素子１０は、以下の工程によって製造される。単結晶基板１を、振動する振動部１Ａと、振動部１Ａと連結されて振動が生じない非振動部１Ｂとに分けたときに、単結晶基板１上で、非振動部１Ｂ上を含む領域であって、振動部１Ａ上の圧電薄膜３の成膜領域を除く領域に、圧電薄膜３の単結晶での成長を阻害する阻害膜２を成膜する。次に、上記成膜領域となる振動部１Ａ上の少なくとも一部に、圧電薄膜３を単結晶でエピタキシャル成長させて成膜するとともに、阻害膜２上に、圧電薄膜３を非晶質または多結晶で成膜する。その後、阻害膜２上に成膜された圧電薄膜３を除去する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング中にターゲットからの粒子の落下を効果的に減少させることができる、ＣｏベースのまたはＦｅベースの磁気記録媒体の下層材料のためのターゲットを提供する。
【解決手段】立方結晶構造を有するマグネシウム一酸化物ベースの（ＭｇＯベースの）複合物からなるターゲットであって、ＭｇＯベースの複合物が、ＭｇＯおよび単数または複数の酸化物を備える、ＣｏベースのまたはＦｅベースの磁気記録媒体の下層材料のためのターゲット。 （もっと読む）

【課題】本発明の一態様は、スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好
適な材料を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、第１の酸化物部材を形成し、第１の加熱処理を行って表面か
ら内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第１の酸化物結晶部材を
形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化物部材を形成し、第２の加熱処理を行って
第１の酸化物結晶部材を種として結晶成長させて第２の酸化物結晶部材を設ける積層酸化
物材料の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】より高い特性を有する膜体を形成する。
【解決手段】被膜部材１０の製造方法は、スパッタリングターゲット部材を用い、スパッタリング処理によって被処理部材１１に膜体１２を形成する形成工程、を含むものである。この形成工程では、１又は複数のスパッタリングターゲット部材を用い、Ｍｇ、Ａｌ、Ｏ及びＮの元素を含む膜体１２を被処理部材１１の表面に形成する処理を行う。ここで、スパッタリングターゲット部材は、Ｍｇ、Ａｌ、Ｏ及びＮの全てが含まれていれば、どのような形態でも構わず、スパッタリングターゲット部材を１種用いるものとしてもよいし、スパッタリングターゲット部材を複数種用いるものとしてもよい。被処理部材１１に形成された膜体１２には、Ｍｇ、Ａｌ、Ｏ及びＮが含まれている。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を異常放電を抑制しつつ成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化インジウムと；Ｔｉ、Ｍｇ、Ａｌ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも１種の金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｚｎ_mＩｎ₂Ｏ_3+m（ｍは５〜７の整数）相を主相とし、Ｉｎ₂Ｏ₃、及びＺｎＯの各結晶相を含むと共に、相対密度８５％以上、比抵抗０．１Ω・ｃｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ドープされた金属酸化物誘電体材料を有する電子部品及びドープされた金属酸化物誘電体材料を有する電子部品の作製プロセスを提供する。
【解決手段】 ドープされた金属酸化物誘電体材料及びこの材料で作られた電子部品が明らかにされている。金属酸化物はＩＩＩ族又はＶ族金属酸化物（たとえば、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５またはＶ_２Ｏ_５）で、金属ドーパントはＩＶ族元素（Ｚｒ、Ｓｉ、ＴｉおよびＨｆ）である。金属酸化物は約０．１重量パーセントないし約３０重量パーセントのドーパントを含む。本発明のドープされた金属酸化物誘電体は、多くの異なる電子部品及びデバイス中で用いられる。たとえば、ドープされた金属酸化物誘電体は、ＭＯＳデバイスのゲート誘電体として用いられる。ドープされた金属酸化物誘電体はまた、フラッシュメモリデバイスのポリ間誘電体材料としても用いられる。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ膜と引き回し配線との密着性に優れた透明導電フィルムを提供する。信頼性の高いタッチパネルを提供する。
【解決手段】透明導電膜（ＩＩ）４と直接接続する金属配線（ＩＩＩ）５を有するフィルムであって、前記金属配線（ＩＩＩ）５が、金属配線５中の金属全体を１００重量％としたとき、Ｎｉを３０重量％以上、８０重量％未満、Ｃｕを２０〜５０重量％含む透明導電フィルム１。前記透明導電膜（ＩＩ）４が結晶性ＩＴＯにより形成されていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】携帯電話やゲーム機などに組み込まれるタッチパネルの電極フィルムとして用いた際に、ペン入力耐久性に優れた透明導電性フィルム及びこれを用いたタッチパネルを提供することにある。さらに、有機エレクトロルミネッセンス、色素増感型太陽電池等の低抵抗な透明電極が必要とされる用途に最適な電気特性に優れた透明導電性フィルムを提供すること。
【解決手段】透明プラスチックフィルムからなる基材上に、透明導電性薄膜層を積層した透明導電性フィルムであって、透明導電性薄膜層がＳｎＯ２の含有量が２〜１２質量％の結晶質なインジウム−スズ複合酸化物であり、透明導電性薄膜層をハイパワーインパルスマグネトロンスパッタリング法を用いて作製することを特徴とする透明導電性フィルムの製造方法。 （もっと読む）