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国際特許分類[C23C14/14]の内容

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【課題】ICのシールド用メッキ膜を製造する設備及びICの金属シールド膜層を提供する。
【解決手段】ベース31は、チャンバー311を有している。ワーク支持具32は、チャンバー311に内設されており、かつ複数の回転軸と回転自在に接続され、各回転軸は、少なくとも一つのジグを有し、そのジグでは、少なくとも一つのICを取付ける。各中周波マグネトロンターゲット33及び各多重アークイオンターゲット34は、それぞれチャンバー311に内設され、中周波マグネトロンターゲット33及び多重アークイオンターゲット34が、金属材料をIC上にスパッターリングを行うように用いられることによって、ICの表面に少なくとも一つの金属シールド膜層が形成される。 (もっと読む)


【課題】アスペクト比の異なる複数の開口下部に接続される配線に対して最適な処理を施すことができるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、第1の半導体基板と第2の半導体基板が接合された半導体基板の第1の開口の下部配線と、貫通接続孔と異なるアスペクト比の第2の開口の下部配線に対して、バリアメタル膜の成膜と、スパッタガスによる物理エッチングを同時に行うアンカー処理工程が含まれる。本技術は、例えば、固体撮像装置などの半導体装置に適用できる。 (もっと読む)


【課題】添加剤(着色剤や艶消し剤など)を添加しても金属との蒸着密着性に優れており、かつ耐アルコール性の良いアクリル系樹脂フィルムを提供する。
【解決手段】一方の表層は酸価が0.1mmol/g以下のアクリル系樹脂層であり、他方の表層は酸価が0.2mmol/g以上1.5mmol/g以下のアクリル系樹脂層である、積層フィルム。 (もっと読む)


【課題】 珪素の高い初期効率と電池容量を維持しつつ、サイクル特性に優れ、充放電時の体積変化を減少させた非水電解質二次電池の負極用として有効な活物質としての珪素粒子からなる負極活物質の製造方法を提供する。
【解決手段】 非水電解質を用いる二次電池用の負極活物質の製造方法であって、金属珪素を原料とした電子線蒸着法により、温度を800−1100℃に制御した基板上に、1kg/hrを超える蒸着速度で、蒸着膜厚が2−30mmの範囲で珪素を堆積させる工程と、該堆積させた珪素を粉砕・分級して、前記負極活物質を得る工程とを含むことを特徴とする非水電解質二次電池用負極活物質の製造方法。 (もっと読む)


【課題】無潤滑または境界潤滑環境下での使用において、DLCなどの従来の非晶質炭素皮膜と同等の低摩擦性を有し、かつ従来の非晶質炭素皮膜よりも優れた耐摩耗性を有する皮膜が形成された摺動部品を提供する。
【解決手段】本発明に係る摺動部品は、無潤滑または境界潤滑環境下で使用される摺動部品であり、前記摺動部品を構成する基材の摺動面に非晶質硬質皮膜が形成された摺動部品であって、前記非晶質硬質皮膜は、硼素、炭素、窒素および酸素を少なくとも含有し、前記硼素、前記炭素、前記窒素および前記酸素の合計を100原子%とした場合に、前記炭素の含有率が12原子%以上であり、前記窒素の含有率が10原子%以上であり、前記硼素の含有率が前記炭素および前記窒素のそれぞれの含有率よりも高く、前記酸素の含有率が5原子%以上12原子%以下であり、前記非晶質硬質皮膜の厚さが0.08μm以上10μm以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ITO膜と引き回し配線との密着性に優れた透明導電フィルムを提供する。信頼性の高いタッチパネルを提供する。
【解決手段】透明導電膜(II)4と直接接続する金属配線(III)5を有するフィルムであって、前記金属配線(III)5が、金属配線5中の金属全体を100重量%としたとき、Niを30重量%以上、80重量%未満、Cuを20〜50重量%含む透明導電フィルム1。前記透明導電膜(II)4が結晶性ITOにより形成されていることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】亀裂がなく、かつ、抵抗が低いタングステン遮光膜を得ることが可能なタングステン遮光膜の製造方法およびタングステン遮光膜を提供する。
【解決手段】本発明のタングステン遮光膜の製造方法は、基板11の一面11aに窒化タングステン膜を成膜する成膜工程と、窒化タングステン膜が形成された基板11を熱処理する熱処理工程と、を少なくとも備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】発光素子、光電変換素子等を含む各種光学素子の増強要素として有用なプラズモン材料を製造するための方法を提供する。
【解決手段】30個以上の金属系粒子が互いに離間して二次元的に配置されてなる金属系粒子集合体を製造する方法であって、100〜450℃の範囲内に温度調整された基板上に、1nm/分未満の平均高さ成長速度で金属系粒子を成長させる工程を含む金属系粒子集合体の製造方法である。該製造方法により、平均粒径が200〜1600nm、平均高さが55〜500nm、平均高さに対する平均粒径の比で定義されるアスペクト比が1〜8である金属系粒子からなる金属系粒子集合体を製造することができる。 (もっと読む)


【課題】 低抵抗かつ高反射率の特性と共に表面粗さが小さく、高い耐硫化性及び耐塩化性を兼ね備えた導電性膜およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 導電性膜が、InおよびSnのうち1種または2種を合計で:0.1〜1.5原子%、Sb:0.1〜1.5原子%を含有し、さらにGa,Mgの内の1種または2種を合計で0.5〜3原子%を含有し、残部がAgおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金で構成されている。この導電性膜は、表面に有機EL素子の透明導電膜が積層され、さらにその上に有機EL層を含む電界発光層が積層される有機EL素子用の反射電極膜として好適である。 (もっと読む)


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