固体塊から固体元素のプラズマを生成する方法及び前記方法に使用されるプラズマソースを提供する。本発明の方法は、加速された粒子またはレーザーを内部でスパッタリングが遂行する第１チェンバー内の固体塊と衝突させて前記固体塊から固体原子を取り出すこと、前記固体原子を内部でプラズマ放電が遂行される第2チェンバーに移動させること、前記第２チェンバーに電圧を印加してプラズマ放電によって固体原子のプラズマを生成すること、及び前記固体原子のプラズマを、処理すべきターゲットに接触させることを含む。本発明は固体元素を含むガスを固体元素ソースとして使用する従来システムで発生する不純物とガスの毒性による問題点を解消する。
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組成Ａｌ_xＳｉ_yＭｅ_zＮの窒化アルミニウムベースの硬い耐摩耗性コーティングが提案される。ｘ、ｙおよびｚは原子分率を表し、その和は０．９５から１．０５であり、Ｍｅは、ＩＩＩからＶＩＩＩ族およびＩｂ族の遷移金属の金属ドーパントまたはこれらの組合せである。この金属は、コーティングプロセス中に、金属ドーピングのないコーティングよりも高い固有導電率（intrinsic electrical conductivity）を提供する。ケイ素含量は０．０１≦ｙ≦０．４であり、１つまたは複数の金属ドーパントＭｅの含量は、０．００１≦ｚ≦０．０８、好ましくは０．０１≦ｚ≦０．０５、最も好ましくは０．０１５≦ｚ≦０．０４５である。
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ｉＰＶＤのための容量性プラズマ源（２２）が強い局所的な磁界（３１）に埋設され、ｉＰＶＤの誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）源とのドロップイン(drop−in)交換品とすることができる。この源（ソース）は、それの後方に、電極表面にわたって放射状に伸びる磁界を有する電極表面に一様に平行な表面磁石（３３−３５）を含んだ磁石パック（９０）を持つ環状の電極（２３）を含む。内側および外側の環状リング磁石（それぞれ３６および３２）のような磁石は、電極に最も近い極が表面磁石の隣接した極と同じ極性である状態で、電極と交差する極軸を持っている。強磁性のハックプレート（３７）またはバック磁石（３７ａ）は磁石（３２，３６）の後方の極を相互接続する。磁石パック（３０）後方の強磁性シールド（３７ｂ）はｉＰＶＤ材料源（２１）から離れる磁界（３１）を閉じ込める。
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【課題】 真空チャンバ内に設けられた各部材のうち成膜プロセスに応じて遮蔽する必要があるものを確実に遮蔽するとともに、装置のコンパクトさを損なうこともない真空成膜装置を提供することである。
【解決手段】 真空成膜装置３５の真空チャンバ１の内壁１ｂには、各機器を真空チャンバ１内に配置するためのポートが形成されている。そして、第一のポートにはスパッタリング用電極が設けられており、第二のポートにはプラズマ重合用電極が設けられている。
また、真空チャンバ１内には、アーム２７及び遮蔽板２５を有する遮蔽手段が設けられている。遮蔽板２５は、アーム２７によって中心Ｃ１の回りに回転し、真空チャンバ１の内壁に沿って移動する。
そして、プラズマ重合用電極を動作させてプラズマ重合による成膜を行う場合には、遮蔽手段により第一のポートを遮蔽する。これにより、スパッタリング用電極をプラズマ重合のプロセスで生成したプラズマ雰囲気から保護することができる。 （もっと読む）

【課題】生分解性プラスチック成型体における生分解性ポリマーの親水性という特性に基づく機械的強度の低下を防止することができる生分解性ポリマー積層体及びその成型体の加工方法の提供。
【解決手段】生分解性ポリマーに、フッ素系有機化合物に一定割合で含有されるケイ素系化合物からなる共重合体薄膜を積層して形成されている積層体であることを特徴とする生分解性プラスチック積層体及びその成型体の加工方法。 （もっと読む）

【構成】 あらかじめ洗浄することなく、プライマーコート層を配設せずにプラスチック成形品表面に高周波励起プラズマによる0.7 〜5.0 μｍの膜厚の銅を成膜した後に電解メッキ銅、さらに保護メッキ膜の成膜を配設してなる電磁波シールドプラスチック成形品。
【効果】 気相蒸着の特徴を生かしつつ、電磁気シールド効果に優れ、厚膜銅の成膜が効率よく可能で、フロン洗浄を行うことなく、プライマーコート層の配設を必要とすることなく、廃液、廃気による汚染を心配することのない電磁気シールドプラスチック成形品が提供される。 （もっと読む）

【目的】 イオンビームミキシング方法で基板上に成膜する場合、成膜速度、膜質、基板と膜の付着力の改善を目的とする。
【構成】 ミキシングチャンバー１７内のターゲット７にＡｒ⁺ イオンビーム６を入射させてスパッタ原子８を放出せしめ、一方基板１１にはＮ₂ ⁺ イオンビーム９を走査しながら照射すると共に、ミキシングチャンバー１７内には反応ガス１５を導入し、かつ光源１３から光１３ａ（主として紫外線）を基板１１の表面、反応ガス１５及びスパッタ原子８に照射して基板１１上にスパッタ原子８による成膜と同時にミキシングされたミキシング膜１６を成長させるように構成したものである。 （もっと読む）