【課題】高温環境下での耐摩耗性および耐溶着性に優れた被膜、その被膜を含む切削工具およびその被膜の製造方法を提供する。
【解決手段】切削工具の基材上に形成される被膜であって、第１酸化物層と第１酸化物層上に形成された第２酸化物層との積層体を含み、第１酸化物層は第２酸化物層よりも基材側に位置しており、第１酸化物層はα−アルミナ型の結晶構造を有し、第２酸化物層の組成は、以下の式（１）で表わされ、
（Ａｌ_１−ｘＺｒ_ｘ）_２Ｏ_{３（１＋ｙ）} …（１）
式（１）において、ｘは０．００１≦ｘ≦０．０７を満たす実数であり、ｙは−０．１≦ｙ≦０．２を満たす実数であって、第２酸化物層はα−アルミナ型の結晶構造およびγ−アルミナ型の結晶構造を有する被膜である。また、その被膜を含む切削工具と、その被膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ドーパント濃度を精度よく検出でき、製品管理能力が高い薄膜製造装置を提供すること。
【解決手段】この薄膜製造装置１は、フィルム基板１０の搬送方向の上流側から下流側に向けて設けられ、減圧条件下でフィルム基板１０上に薄膜を形成する第１成膜室１３ａ〜第３成膜室１３ｃと、第１成膜室１３ａ〜第３成膜室１３ｃの下流側に隣接して設けられた第１サンプリング室１４ａ及び第２サンプリング室１４ｂとを備える。第１サンプリング室１４ａには、第１成膜室１３ａで第１薄膜層４１が形成されたフィルム基板１０が搬入され、減圧条件下でフィルム基板１０から試料を採取する。 （もっと読む）

【課題】高硬度材の高速切削加工で、すぐれた耐チッピング性と仕上げ面精度を発揮する表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具を提供する。
【解決手段】バインダー相であるＴｉＮを２０〜５０ｖｏｌ％含有するｃＢＮ工具基体の表面から１μｍ以内の深さ領域において、上記バインダー相は０．１〜５原子％のＳｉを含有し、さらに、該工具基体表面上に、（Ｔｉ_１−ＸＳｉ_Ｘ）Ｎ層（但し、Ｘは０．００１〜０．０５）を下部層として蒸着形成し、ｃＢＮ工具基体と下部層の付着強度を高め、この上にさらに、ＴｉＮ、ＴｉＣＮおよび（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎの何れかからなる上部層を蒸着形成する。 （もっと読む）

【課題】密着性および耐摩耗性の両面に優れ、かつ、表面平滑性の高いＤＬＣ膜およびその成膜方法を提供する。
【解決手段】基材２の表面に形成された中間層３と表面層４とからなり、表面層４の最表面に有する高さ０．１μｍ以上の突起が測定長さ２０ｍｍの計測で１ｍｍ当り１．５個未満である硬質膜１の成膜方法であって、該成膜方法は、基材２上に金属系材料を主体とする中間層３を形成する中間層形成工程と、中間層３の上にＤＬＣを主体とする表面層４を形成する表面層形成工程とを有し、両工程において、スパッタリングガスとしてＡｒガスを用いたＵＢＭＳ装置を使用し、上記表面層形成工程は、上記装置内の真空度：０．２〜０．８Ｐａ、基材２に印加するバイアス電圧：７０〜２５０Ｖである条件下で、ターゲットから生じる炭素原子を、中間層３上に堆積させて表面層４を形成する工程である。 （もっと読む）

【課題】結晶中に欠陥の発生や不純物の混入を防止することにより結晶品質の改善を図ることが可能な結晶成長方法を提供する。
【解決手段】基板上に結晶９０を成長させる際に、結晶９０中の格子欠陥の欠陥準位に対応する波長を含む光を結晶成長時に照射し、照射した光に基づいて格子欠陥に対して近接場光を発生させ、発生させた近接場光による近接場光相互作用に基づいて格子欠陥を構成する不純物３３又は欠陥周辺の原子を脱離させる。 （もっと読む）

【課題】溶着性の高い被削材の高速切削加工で、硬質被覆層がすぐれた層間密着強度を有する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ超硬合金製工具基体の表面に、薄層Ａと薄層Ｂの二層積層構造、または、これらの三層以上の交互積層構造からなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、薄層Ａは、チタンとアルミニウムの複合窒化物層、薄層Ｂは、層厚方向に沿って傾斜組成をなすアルミニウム酸化物層からなり、さらに、薄層Ａと薄層Ｂとの界面では、薄層Ｂの構成成分である酸素とアルミニウムは、１．２２≦（酸素含有量）／（アルミニウム含有量）≦１．４５（但し、原子比）の関係を満足する。 （もっと読む）

高真空処理チャンバー、高真空処理チャンバーと連結されたトランスフォーマー型プラズマトロン、及び、トランスフォーマー型プラズマトロンに少なくとも１つのガスを導入するための、トランスフォーマー型プラズマトロンに連結された少なくとも１つのガス源とを具備するプラズマ発生装置であって、前記高真空処理チャンバーは少なくとも１つのエントリーポートを有し、前記トランスフォーマー型プラズマトロンは、交流電流を発生させるためのラジオ周波数電力源と、該ラジオ周波数電力源と接続された複数の導体と、前記ガスを閉じ込める閉ループ・ディスチャージチャンバーと、該閉ループ・ディスチャージチャンバーの周りに取り付けられ前記導体と接続された複数の透磁性の高い磁気鉄心と、該閉ループ・ディスチャージチャンバーの内側に沿って配置した複数の開口と、内側部分と外側部分とを連結する少なくとも２つの絶縁ガスケットを具備し、前記エントリーポートは、前記内側部分が前記高真空処理チャンバーに物理的に貫通するよう該内側部分を受け取るように構成され、前記導体は前記複数の透磁性の高い磁気鉄心の周りに１次巻き線を形成し、前記閉ループ・ディスチャージチャンバー中のガスは前記複数の透磁性の高い磁気鉄心の周りに２次巻き線を形成し、前記トランスフォーマー型プラズマトロンは、前記導体に前記交流電流が供給されたとき、それぞれのプラズマの少なくとも１つのガスに点火し、前記開口は、前記内側部分から該それぞれのプラズマを前記高真空処理チャンバーに放出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶配向性を維持しつつも中間層を薄膜化することで、膜の内部応力に起因する基板の反り返りを防止し、生産性にも優れた配向多結晶基材とそれを備えた酸化物超電導導体を提供する。
【解決手段】金属基材１１上に、イオンビームアシスト法（ＩＢＡＤ法）により面内に３回対称に配向するように成膜された岩塩構造の第一層１３と、この第一層１３上に３回対称に配向するように成膜された配向調整層１２と、この配向調整層１２上にＩＢＡＤ法により面内に４回対称に配向するように成膜された蛍石構造あるいはそれに準じた希土類Ｃ型あるいはパイロクロア構造の第二層１４とを具備する中間層１５を形成する。 （もっと読む）

【課題】大面積の基板に対して効果的にアシスト成膜を行うことができる薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】クラスターイオンアシスト蒸着によって、クラスターイオンビームＬのビームスポットよりも大きいサイズの基板７に薄膜を形成する際に、基板７を回転させながら基板７の表面７Ａに膜材料を蒸着して薄膜を形成する。そして、基板７の回転中心Ｒと周端の一点７ａとを含む領域にビームスポットを形成し、基板７の回転により薄膜全体にクラスターイオンを照射する。 （もっと読む）

【課題】膜剥離や短絡の発生を抑制し、かつ圧電特性を向上する圧電素子を提供する。
【解決手段】基板７の上に、単一の拡散防止層１２と、圧電層１３とが、この順序で積層された、基板７を含めた３層構造の圧電素子１００であって、拡散防止層１２及び圧電層１３は、それぞれエアロゾルデポジション法によって成膜された膜であり、拡散防止層１２の弾性率は、基板７の弾性率以下でかつ圧電層１３の弾性率以上の関係を有する。拡散防止層１２は、アルミナを添加したジルコニア、若しくは、チタン酸ジルコン酸鉛、若しくは、膜厚が５μｍ以上となるジルコニアにより構成する。 （もっと読む）